三维存储器件中的输入/输出参考电压训练方法与流程

本公开总体上涉及半导体技术的领域，并且更具体地涉及一种用于三维(three-dimensional，3d)存储器的输入/输出电压训练的方法、相关系统和相关介质。

背景技术：

1、由于存储器件正在缩小到更小的管芯尺寸以降低制造成本并提高存储密度，因此平面存储单元的扩展面临着处理技术限制和可靠性问题带来的挑战。三维(3d)存储器架构(例如，3d nand闪速存储器件)可以解决平面存储单元中的密度和性能限制。为了改进在3dnand闪速存储器件与主机(例如，处理器设备)或其他集成电路(integrated circuit，ic)设备之间通信的信号的准确度，许多常规技术可用于校准这些设备中的电路(例如，接收机和发射机)。3d nand闪速存储器件的初始化过程可以包括四个阶段：上电和初始化、zq校准、vref dq校准和读取/写入训练。

技术实现思路

1、本公开中描述了三维(3d)存储器件和用于输入/输出电压训练的方法的方面。

2、本公开的一个方面提供了一种用于三维(3d)存储器件的输入/输出电压训练的方法。该方法可以包括以下操作：(1)在管芯上终端(odt)启用状态下设置参考电压值；(2)控制3d存储器件以执行写入训练过程；(3)确定是否需要进一步的写入训练过程；(4)响应于确定需要进一步的写入训练过程，重复操作(1)、(2)和(3)；以及(5)响应于确定不需要进一步的写入训练过程，将参考电压值设置为优化的参考电压值。

3、在一些实施例中，无论是在管芯上终端(on-die termination，odt)启用状态还是在odt禁用状态下，都执行设置参考电压值。

4、在一些实施例中，设置参考电压值包括：通过使用第一修整信号(trimmingsignal)来控制主电压源以生成参考电压生成信号。

5、在一些实施例中，设置参考电压值还包括：通过使用第二修整信号和升压器(booster)使能控制信号来控制电压升压器以生成参考电压升压信号。

6、在一些实施例中，设置参考电压值还包括：至少基于参考电压生成信号和参考电压升压信号来生成参考电压值。

7、在一些实施例中，其中，设置参考电压值还包括：在升压器使能控制信号的第一高电平的第一持续时间期间，将参考电压从较旧值改变为默认值；以及在升压器使能控制信号的第二高电平的第二持续时间期间，将参考电压从默认值改变为用于写入训练的新值。

8、在一些实施例中，设置参考电压值还包括：通过使用第一修整信号和升压器使能控制信号来控制电压升压器以生成参考电压升压信号；以及通过使用第一修整信号和发起使能控制信号来控制参考电压发起电路以生成参考电压发起信号。

9、在一些实施例中，设置参考电压值还包括：至少基于参考电压生成信号、参考电压升压信号和参考电压发起信号来生成参考电压值。

10、在一些实施例中，其中，设置参考电压值还包括：在发起使能控制信号的高电平的第一持续时间期间，将参考电压从较旧值改变为默认值；以及在升压器使能控制信号的高电平的第一持续时间期间，将参考电压从较旧值改变为默认值。

11、在一些实施例中，执行写入训练过程包括执行数据写入操作和数据读出操作；以及至少基于数据读出操作的结果来确定是否需要进一步的写入训练过程。

12、本公开的另一方面提供了一种三维(3d)存储器件，包括：存储单元阵列；以及与存储单元阵列耦合的外围电路。该外围电路包括：控制电路，该控制电路被配置为：(1)在管芯上终端(odt)启用状态下设置参考电压值；(2)控制存储单元阵列以执行写入训练过程；(3)确定是否需要进一步的写入训练过程；(4)响应于确定需要进一步的写入训练过程，重复操作(1)、(2)和(3)；以及(5)响应于确定不需要进一步的写入训练过程，将参考电压值设置为优化的参考电压值。

13、在一些实施例中，逻辑控制电路还被配置为：无论是在管芯上终端(odt)启用状态还是在odt禁用状态下，都设置参考电压值。

14、在一些实施例中，外围电路还包括：主电压源，该主电压源被配置为从逻辑控制电路接收第一修整信号并且生成参考电压生成信号。

15、在一些实施例中，外围电路还包括：电压升压器，该电压升压器被配置为从逻辑控制电路接收第二修整信号和升压器使能控制信号来生成参考电压升压信号。

16、在一些实施例中，外围电路还包括：复用器，该复用器被配置为至少基于参考电压生成信号和升压器使能控制信号来生成参考电压值。

17、在一些实施例中，复用器被配置为：在升压器使能控制信号的第一高电平的第一持续时间期间，将参考电压从较旧值改变为默认值；以及在升压器使能控制信号的第二高电平的第二持续时间期间，将参考电压从默认值改变为用于写入训练的新值。

18、在一些实施例中，外围电路还包括：电压升压器，该电压升压器被配置为从逻辑控制电路接收第一修整信号和升压器使能控制信号来生成升压器使能控制信号；以及参考电压发起电路，该参考电压发起电路被配置为从逻辑控制电路接收第一修整信号和发起使能控制信号来生成参考电压发起信号。

19、在一些实施例中，外围电路还包括：复用器，该复用器被配置为至少基于参考电压生成信号、升压器使能控制信号和参考电压发起信号来生成参考电压值。

20、在一些实施例中，复用器还被配置为：在发起使能控制信号的高电平的第一持续时间期间，将参考电压从较旧值改变为默认值；以及在升压器使能控制信号的高电平的第一持续时间期间，将参考电压从较旧值改变为默认值。

21、在一些实施例中，控制电路还被配置为：控制存储单元阵列以执行数据写入操作和数据读出操作；以及至少基于数据读出操作的结果来确定是否需要进一步的写入训练过程。

22、本公开的另一方面提供了一种存储器系统，包括：上面所描述的3d存储器件；以及存储器控制器，该存储器控制器被配置为控制3d存储器件。

23、本领域技术人员可以根据本公开的说明书、权利要求书和附图来理解本公开的其他方面。

技术特征：

1.一种用于三维(3d)存储器件的输入/输出电压训练的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，无论是在所述管芯上终端(odt)启用状态还是在odt禁用状态下，都执行设置所述参考电压值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述参考电压值包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，设置所述参考电压值还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，设置所述参考电压值还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，设置所述参考电压值还包括：

7.根据权利要求3所述的方法，其中，设置所述参考电压值还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，设置所述参考电压值还包括：

9.根据权利要求7所述的方法，其中，设置所述参考电压值还包括：

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

11.一种三维(3d)存储器件，包括：

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述逻辑控制电路还被配置为：

13.根据权利要求11所述的设备，其中，所述外围电路还包括：

14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述外围电路还包括：

15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述外围电路还包括：

16.根据权利要求15所述的设备，其中，所述复用器被配置为：

17.根据权利要求13所述的设备，其中，所述外围电路还包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述外围电路还包括：

19.根据权利要求18所述的设备，其中，所述复用器还被配置为：

20.根据权利要求11所述的设备，其中，所述控制电路还被配置为：

21.一种存储器系统，包括：

技术总结
公开了一种用于三维(3D)存储器件的输入/输出电压训练的方法。该方法可以包括以下操作：(1)在管芯上终端(ODT)启用状态下设置参考电压值；(2)控制3D存储器件以执行写入训练过程；(3)确定是否需要进一步的写入训练过程；(4)响应于确定需要进一步的写入训练过程，重复操作(1)、(2)和(3)；以及(5)响应于确定不需要进一步的写入训练过程，将参考电压值设置为优化的参考电压值。

技术研发人员：杨诗洋,邓春菲,鲁岩,丁玲,付祥
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5