非易失性存储器装置及其编程方法与流程

本公开整体涉及一种非易失性存储器装置，更具体地说，涉及一种非易失性存储器装置及其编程方法，该非易失性存储器装置的升压(boosting)效率通过在多堆叠结构中使用中心伪线晶体管而增大。

背景技术：

1、半导体存储器装置用于存储数据，并且分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。作为非易失性存储器装置的示例，闪速存储器装置可用于智能电话、个人计算机(pc)、固态驱动器(ssd)、通用串行总线(usb)存储器、数码相机、移动电话、平板pc和其它装置。

2、在具有多堆叠结构的三维(3d)nand闪速存储器中，伪字线存在于多堆叠件之间。伪字线由于处理原因等未被用作存储数据的存储器单元。虽然伪字线占据闪速存储器中的空间，但是难以使用伪字线存储数据，并且因此，伪字线被看作是浪费的资源。需要利用伪字线开发闪速存储器的性能。

3、随着高度集成的竖直闪速存储器装置的数量增加，闪速存储器的沟道变长。随着沟道变长，升压涉及的字线的数量增加，并且因此，升压效率降低。

技术实现思路

1、提供了一种其中利用中心伪线晶体管增大升压效率的存储器装置及其编程方法。

2、附加方面将在下面的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过所呈现的实施例的实践来了解。

3、根据示例实施例的一方面，一种非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括各自包括第一堆叠件和邻近于第一堆叠件的第二堆叠件的多个单元串，操作方法可包括步骤：通过将包括多个第一电压电平的编程电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的选择字线，在其中多个编程循环被执行的时间段中执行第一编程操作；在该时间段中，将包括第二多个电压电平的第二电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的非选择字线；以及在该时间段中，将第三电压保持在第一电平，第三电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第二堆叠件的非选择字线。

4、根据示例实施例的一方面，一种非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括连接至多条位线的多个单元串，其中，多个单元串包括分别连接至多条位线的多个串选择晶体管，操作方法可包括：在第一时间段期间将包括第一电平的第一电压施加至多条位线中的第一位线和第二位线；在第一时间段之后的第二时间段期间将包括第二电平的第二电压施加至第一位线；在第二时间段期间，将多个串选择晶体管中的连接至第一位线的单元串中包括的第一串选择晶体管导通；在第二时间段期间，将多个串选择晶体管中的连接至第二位线的单元串中包括的第二串选择晶体管截止；以及在第二时间段期间，将施加至第二位线的第三电压保持在第二电平。

5、根据示例实施例的一方面，一种非易失性存储器装置可包括：存储器单元阵列，其包括多个单元串；电压生成器，其被配置为生成施加至连接至多个单元串的位线的电压；以及控制电路，其被配置为对从存储器单元阵列外部接收的数据编程。控制电路可被配置为：通过以下操作来控制包括选择字线的选择堆叠件与邻近于选择堆叠件的堆叠件之间的电连接：控制邻近于选择堆叠件和与选择堆叠件邻近的堆叠件之间的边界的至少一个晶体管，并且控制施加至连接至于选择堆叠件邻近的堆叠件的非选择字线的电压，以在其中用于存储器单元阵列的多个编程循环被执行的时间段期间保持第一电平。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串各自包括第一堆叠件和邻近于所述第一堆叠件的第二堆叠件，所述操作方法包括步骤：

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一电平包括通过电压电平或读电压电平。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述多个编程循环中的每一个编程循环包括：

4.根据权利要求1所述的操作方法，还包括，在所述多个编程循环中，在所述编程电压被施加至所述选择字线时，将第一伪电压施加至连接至邻近于所述第一堆叠件和所述第二堆叠件之间的边界的多个晶体管的字线。

5.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：初始化所述多个单元串的字线电压。

6.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述非易失性存储器装置包括连接至多条位线的多个单元串，其中，所述多个单元串包括分别连接至所述多条位线的多个串选择晶体管，所述操作方法包括：

7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，所述第一位线和所述第二位线分别连接至所述多个单元串中的第一单元串和第二单元串，

8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，在所述第二时间段期间将施加至所述第二位线的所述第三电压保持在所述第二电平的步骤包括：通过将所述第一伪电压施加至邻近于与所述第二单元串中包括的第二选择堆叠件邻近的堆叠件与所述第二选择堆叠件之间的边界的所述至少一个晶体管，将所述第二选择堆叠件的沟道与所述第二位线彼此电断开。

9.根据权利要求7所述的操作方法，其中，第四电平电压包括通过将所述至少一个晶体管的阈电压和所述第二电压的第二值彼此相加获得的第一值，并且所述第一伪电压包括所述阈电压和所述第四电平电压之间的电压电平。

10.根据权利要求7所述的操作方法，还包括：在所述第一时间段和所述第二时间段期间，将通过电压施加至连接至与所述第一选择堆叠件邻近的所述堆叠件的字线。

11.根据权利要求7所述的操作方法，其中，所述至少一个晶体管包括所述第一选择堆叠件中包括的第一晶体管和邻近于所述第一选择堆叠件的所述堆叠件中包括的第二晶体管，并且

12.根据权利要求7所述的操作方法，其中，所述至少一个晶体管包括所述第一选择堆叠件中包括的第一晶体管和邻近于所述第一选择堆叠件的所述堆叠件中包括的第二晶体管，并且

13.根据权利要求6所述的操作方法，还包括：在所述第一时间段之前将位线预充电电压施加至所述第一位线和所述第二位线。

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，施加所述第一电压的步骤包括：

15.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：

16.根据权利要求6所述的操作方法，其中，所述第一位线和所述第二位线分别连接至所述多个单元串中的第一单元串和第二单元串，

17.根据权利要求16所述的操作方法，其中，所述第五伪电压包括地电压。

18.根据权利要求6所述的操作方法，还包括：初始化所述多个单元串的字线电压。

19.一种非易失性存储器装置，包括：

20.根据权利要求19所述的非易失性存储器装置，其中，所述控制电路还被配置为，在位线设置操作期间在控制将第二电平的电压施加至第一位线和第二位线之后：

技术总结
提供了一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括各自包括第一堆叠件和邻近于第一堆叠件的第二堆叠件的多个单元串，操作方法包括步骤：通过将包括第一多个电压电平的编程电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的选择字线，在其中多个编程循环被执行的时间段期间执行第一编程操作；在该时间段期间，将包括第二多个电压电平的第二电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的非选择字线；以及在该时间段期间，将第三电压保持在第一电平，第三电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第二堆叠件的非选择字线。

技术研发人员：崔容赫,李耀翰
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12