用于控制字线电压的存储器设备及其操作方法与流程

背景技术：

1、本发明构思涉及一种存储器设备，并且更具体地，涉及一种提供与读取性能的提高相关联的字线电压电平的存储器设备、包括该存储器设备的存储器系统以及该存储器设备的操作方法。

2、闪存是非易失性存储器，并且即使在断电时也可以维持存储在其中的数据。包括诸如固态驱动器(ssd)和记忆卡的闪存的存储设备正被广泛使用，并有效地用于存储或移动大量数据。

3、随着对非易失性存储器设备的高容量和小型化的需求增加，已经开发了包括在衬底上沿垂直方向延伸的多个垂直沟道结构的三维(3d)存储器设备。为了进一步提高3d存储器设备的集成度，堆叠在衬底上的字线的数量可以增加，但是由于数据读取过程中最大电流消耗(峰值icc)的限制，在增加提供给字线的读取电压的电平方面有限制，导致读取时间更长的问题。

技术实现思路

1、本发明构思提供了一种存储器设备及其操作方法，其最优地控制提供给三维存储器设备中的字线的读取电压的电平。

2、根据本发明构思的一方面，一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个单元串，多个单元串中的每一个包括垂直排列的串选择晶体管、多个存储器单元、以及接地选择晶体管，串选择晶体管连接到串选择线，多个存储器单元分别连接到多个字线，并且接地选择晶体管连接到接地选择线；电压产生电路，被配置为产生提供给多个字线的字线电压；以及控制逻辑，被配置为输出调整从电压产生电路提供的字线电压的电压电平变化特性的斜率控制信号，其中多个单元串中的第一单元串包括包含一个或多个字线的第一边缘组、包含一个或多个字线的第二边缘组、以及包含第一边缘组和第二边缘组之间的一个或多个字线的中心组，第一边缘组与串选择线相邻，第二边缘组与接地选择线相邻，并且电压产生电路被配置为在存储器设备的读取操作的预脉冲时段期间，响应于斜率控制信号，向第一边缘组的字线提供具有第一斜率的第一字线电压，并且向中心组的字线提供具有小于第一斜率的第二斜率的第二字线电压。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中：

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，所述阶跃信息是表示所述参考电压的增加电平的信息，并且所述周期信息是表示所述参考电压的电压电平变化时段的信息。

10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

12.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

13.一种存储器设备，包括：

14.根据权利要求13所述的存储器设备，其中，所述多个组包括包含一个或多个字线的第一边缘组、包含一个或多个字线的第二边缘组、以及包含所述第一边缘组和所述第二边缘组之间的一个或多个字线的中心组，所述第一边缘组与所述串选择线相邻，所述第二边缘组与所述接地选择线相邻。

15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中：

16.根据权利要求15所述的存储器设备，其中，所述电压产生电路被配置为在所述预脉冲时段期间，向所述第二边缘组的字线提供具有所述第一斜率的第三字线电压。

17.根据权利要求14所述的存储器设备，其中：

18.根据权利要求14所述的存储器设备，其中，所述第一时段对应于所述编程操作中的字线再循环时段，并且

19.一种存储器设备的操作方法，所述存储器设备包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个单元串，所述多个单元串中的每一个包括垂直排列的串选择晶体管、多个存储器单元、以及接地选择晶体管，所述串选择晶体管连接到串选择线，所述多个存储器单元分别连接到多个字线，并且所述接地选择晶体管连接到接地选择线，所述操作方法包括：

20.根据权利要求19所述的操作方法，其中，所述第一斜率与所述第二斜率相同。

技术总结
一种存储器设备及其操作方法调整字线电压的斜率。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个单元串；电压产生电路，被配置为产生提供给多个字线的字线电压；以及控制逻辑，被配置为输出调整从电压产生电路提供的字线电压的电压电平变化特性的斜率控制信号，其中在存储器设备的读取操作的预脉冲时段期间，提供给包括一个或多个字线的边缘组的第一字线电压的斜率大于提供给包括中心区中的一个或多个字线的中心组的第二字线电压的斜率，该边缘组与串选择线相邻。

技术研发人员：崔士罗,朴贤国
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12