存储设备的制作方法

本公开的示例实施例涉及存储设备。

背景技术：

1、半导体存储器设备可以包括易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在其电源被切断时损失存储的数据，而非易失性存储器即使在其电源被切断时仍保留存储的数据。非易失性存储器可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)或铁电ram(fram)。

2、非易失性存储器的操作特性可能取决于温度而变化。当在其上对数据进行编程的非易失性存储器的温度与读取数据时的温度不同时，可能频繁发生错误。

技术实现思路

1、本公开的至少一个示例实施例提供了补偿取决于非易失性存储器的温度而变化的操作特性的存储设备。

2、本公开的至少一个示例实施例提供了确定非易失性存储器的温度值并使用确定的温度来降低其性能退化的存储设备。

3、根据本公开的示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为通过第一接口与多个非易失性存储器通信，并且具有分别为非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令；以及外部温度传感器，被配置为经由第二接口与存储器控制器通信。存储器控制器被配置为在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定目标非易失性存储器的温度范围，当差异超过第一阈值时，基于内部温度确定温度范围，并向目标非易失性存储器提供对应于温度范围的操作命令。

4、根据本公开的示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；以及存储器控制器，被配置为控制多个非易失性存储器，并且具有分别为非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令。存储器控制器被配置为基于内部温度传感器的温度值来确定非易失性存储器中每一个的温度范围。存储器控制器被配置为周期性地监视非易失性存储器中每一个的输入/输出工作负荷，当输入/输出工作负荷的量在预定时间段内处于预定范围之外时，参照目标非易失性存储器的内部温度传感器的温度值来更新目标非易失性存储器的温度范围，向多个非易失性存储器当中的目标非易失性存储器提供与更新的温度范围对应的操作命令。

5、根据本公开的示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器；存储器控制器，被配置为控制多个非易失性存储器，并且具有分别为非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令；以及通道，被配置为向多个非易失性存储器中的目标非易失性存储器提供由存储器控制器输出的命令锁存使能(cle)信号和地址锁存使能(ale)信号。存储器控制器被配置为在其中cle信号被使能的第一时间段中向目标非易失性存储器提供多个操作命令当中的、与多个非易失性存储器当中的目标非易失性存储器的温度值所属于的温度范围对应的操作命令，在其中ale信号被使能的第二时间段中向目标非易失性存储器提供实际地址，以及在其中cle信号被使能的第三时间段中向目标非易失性存储器提供确认命令。

技术特征：

1.一种存储设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为从在包括编程操作、读取操作和擦除操作的操作类型中定义的温度范围的操作命令当中分别选择与所述目标非易失性存储器的温度范围和要被指示的操作类型对应的操作命令。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为基于所述多个非易失性存储器的平均温度值来确定内部温度值。

4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，通过第一接口再次获得所述内部温度值，并且基于所获得的温度值来确定非易失性存储器的温度范围。

5.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为从主机接收存储设备的外部区域的温度值，并将与接收的温度值所属于的温度范围对应的命令确定为操作类型中的每一个的默认命令。

6.根据权利要求1所述的存储设备，

7.根据权利要求6所述的存储设备，其中，当第一外部温度传感器的温度值和第二外部温度传感器的温度值之间的差异等于或大于第二阈值时，所述存储器控制器被配置为基于内部温度传感器的内部温度值来更新所述多个非易失性存储器的温度范围。

8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储设备还包括衬底，所述存储器控制器和所述多个非易失性存储器堆叠在所述衬底上。

9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还包括命令队列，所述命令队列对要提供给所述多个非易失性存储器的操作命令进行排队，并且根据所述命令队列中排队的命令的数量来确定第一频率和第二频率之间的比率。

10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为当在所述命令队列中排队的操作命令的数量等于或小于阈值时，增加第二频率与第一频率的比率。

11.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第二接口是内部集成电路(i2c)接口。

12.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第二频率被配置为比第一频率更不频繁。

13.一种存储设备，包括：

14.根据权利要求13所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为当所述输入/输出工作负荷的量在预定范围内时，保持所述目标非易失性存储器的温度范围。

15.根据权利要求13所述的存储设备，其中，多个非易失性存储器中的每一个的输入/输出工作负荷是基于在预定时间段中多个非易失性存储器的磨损的程度的增加的量来确定的。

16.根据权利要求15所述的存储设备，其中，所述磨损的程度是包括在多个非易失性存储器中的存储器块的编程/擦除(p/e)周期、存储器块的擦除计数和多个非易失性存储器的编程页数中的至少一个。

17.根据权利要求13所述的存储设备，

18.根据权利要求13所述的存储设备，其中，所述存储设备还包括：

19.根据权利要求18所述的存储设备，其中，当第一外部温度传感器的温度值和第二外部温度传感器的温度值之间的差异等于或大于阈值时，所述存储器控制器被配置为基于内部温度传感器的温度值来更新多个非易失性存储器的温度范围。

20.一种存储设备，包括：

技术总结
存储设备包括非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为具有为不同温度定义的多个操作命令和外部温度传感器。存储器控制器在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定目标非易失性存储器的温度范围，当差异超过第一阈值时，基于内部温度值确定温度范围，并向目标非易失性存储器提供对应于温度范围的操作命令。

技术研发人员：李庚德,千允洙
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13