在平面结构中具有侧壁及块体区域的存储器单元的制作方法

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态而存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一者，所述状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述状态中的任一者。为存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。

技术实现思路

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的设备，其中用以存储信息的所述块体区域的性能至少部分基于所述侧壁区域的宽度，所述侧壁区域的所述宽度经配置以增加所述块体区域的所述性能。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述侧壁区域的所述宽度在所述自选择存储元件的宽度的5％到50％之间。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述硫属化物材料的所述第一组合物中的一或多种成分的第一浓度超过一或多个阈值，且所述硫属化物材料的所述第二组合物中的所述一或多种成分的第二浓度小于或等于所述一或多个阈值。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述硫属化物材料的所述第一组合物中的一或多种成分的第一浓度与所述第二组合物中的所述一或多种成分的第二浓度相差2％到20％之间。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述硫属化物材料的所述第一组合物可至少部分基于跨所述自选择存储元件施加的电压而在多种状态之间编程，且其中所述硫属化物材料的所述第二组合物保持在一种状态中，而无关于跨所述自选择存储元件施加的所述电压。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述硫属化物材料的所述第二组合物具有第一机械稳定性，所述第一机械稳定性高于所述硫属化物材料的所述第一组合物的第二机械稳定性。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述自选择存储元件包括延伸于所述第一电极与所述第二电极之间的多个侧，且其中所述侧壁区域包括所述多个侧中的至少一者。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述自选择存储元件定位于所述第一电极的顶部上，且其中所述第二电极定位于所述自选择存储元件的顶部上。

11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

12.一种方法，其包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述自选择存储元件包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述自选择存储元件进一步包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述侧壁区域的所述宽度、所述侧壁区域的所述机械稳定性、所述侧壁区域的所述导电率、所述侧壁区域中的所述一或多种组分的所述浓度或其任何组合至少部分基于所述清洁的持续时间、用于所述清洁的化学品、所述温度处理的持续时间、所述温度处理的温度、用于所述掺杂的元素、用于所述密封的化学品或其任何组合。

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

18.根据权利要求12所述的方法，其中所述自选择存储元件包括在所述第一导电材料与所述第二导电材料之间延伸的多个侧，且其中所述多个侧的至少一侧暴露于用于形成所述自选择存储元件的一或多个操作。

19.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中：

21.一种设备，其包括：

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述存储器阵列进一步包括：

23.根据权利要求21所述的设备，其中所述块体区域的性能至少部分基于所述侧壁区域在正交于所述第一方向的方向上的宽度。

24.根据权利要求23所述的设备，其中所述侧壁区域的所述宽度是在所述自选择存储元件在正交于所述第一方向的所述方向上的宽度的5％到50％之间。

25.根据权利要求21所述的设备，其中所述硫属化物材料的所述第一组合物可至少部分基于跨所述自选择存储元件施加电压而在多种状态之间编程，且其中所述硫属化物材料的所述第二组合物保持于一种状态中，而无关于跨所述自选择存储元件施加所述电压。

26.根据权利要求21所述的设备，其中所述硫属化物材料的所述第二组合物具有高于所述硫属化物材料的所述第一组合物的第二机械稳定性的第一机械稳定性。

27.根据权利要求21所述的设备，其中所述自选择存储元件包括在所述第一电极与所述第二电极之间在所述第一方向上延伸的多个侧，且其中所述侧壁区域包括所述多个侧中的至少一者。

28.根据权利要求21所述的设备，其中所述存储器阵列包括衬底，且其中所述多个存储器单元在所述第一方向上远离所述衬底定位。

技术总结
描述用于在平面结构中具有侧壁及块体区域的存储器单元的技术的方法、系统及装置。存储器单元可包含第一电极、第二电极及所述第一电极与所述第二电极之间的自选择存储元件。所述第一电极与所述第二电极之间的导电路径可在远离由衬底界定的平面的方向上延伸。所述自选择存储元件可包含块体区域及侧壁区域。所述块体区域可包含具有第一组合物的硫属化物材料，且所述侧壁区域可包含具有不同于所述第一组合物的第二组合物的所述硫属化物材料。所述块体区域及侧壁区域可在所述第一电极与所述第二电极之间且在远离由所述衬底界定的所述平面的所述方向上延伸。

技术研发人员：L·弗拉汀,E·瓦雷西,P·凡蒂尼
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15