半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法与流程

本实施方式涉及一种半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法。

背景技术：

1、已知有一种半导体存储装置，具备：存储单元阵列，具备多个存储单元及连接于多个存储单元的多个位线；及多个感测放大器单元，分别连接于多个位线。

技术实现思路

1、本发明提供一种能够高集成化的半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法。

2、一实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器串，具有串联连接的第1选择晶体管及多个第1存储单元晶体管；第1位线，连接于第1存储器串；选择栅极线，连接于第1选择晶体管的栅极电极；多个字线，连接于多个第1存储单元晶体管的栅极电极；第1感测放大器单元，连接于第1位线；控制电路，能够执行选择栅极线的编程动作；及电压产生电路，产生电压。第1感测放大器单元包含第1感测放大器电路、将第1位线及第1感测放大器电路电连接的第1晶体管、及不经由第1晶体管将第1位线及电压产生电路电连接的第2晶体管。在编程动作的第1期间，对第1晶体管的栅极电极供给将第1晶体管设为断开(off)状态的电压，对第2晶体管的栅极电极供给将第2晶体管设为接通(on)状态的电压，在所述状态下，第1位线的电压成为第1电压，选择栅极线的电压成为第2电压。在编程动作中的第1期间后的第2期间，对第1晶体管的栅极电极供给将第1晶体管设为接通状态的电压，对第2晶体管的栅极电极供给将第2晶体管设为断开状态的电压，在所述状态下，第1位线的电压成为小于第1电压的第3电压，选择栅极线的电压成为大于第2电压的第4电压。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其具备：

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

11.一种对于选择栅极线的编程动作方法，其是对于半导体存储装置的所述第1选择晶体管、所述第2选择晶体管、及所述第3选择晶体管的编程动作方法，且所述半导体存储装置具备：

12.一种半导体存储装置，其具备：

技术总结
本发明提供一种能够高集成化的半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法。本发明的半导体存储装置具备位线、选择栅极线、感测放大器单元、及电压产生电路。感测放大器单元包含：感测放大器电路；第1晶体管，将位线及感测放大器电路电连接；及第2晶体管，不经由第1晶体管而将第1位线及电压产生电路电连接。在编程动作的第1期间，第1晶体管成为断开状态，第2晶体管成为接通状态，第1位线的电压成为第1电压，选择栅极线的电压成为第2电压。在编程动作的第2期间，第1晶体管成为接通状态，第2晶体管成为断开状态，第1位线的电压成为小于第1电压的第3电压，选择栅极线的电压成为大于第2电压的第4电压。

技术研发人员：犬塚雄贵,矶部克明
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25