晶片级处用于将激光二极管集成到记录头中的激光散热的制作方法

背景技术：

1、一些硬盘驱动器(hdd)使用热辅助磁记录(hamr)技术来存储信息。使用hamr技术的hdd通常利用激光二极管来加热磁介质上的小点。加热磁介质会减少磁介质的矫顽性，这使hamr记录头能够改变位的磁化方向，并且因此将信息存储到磁介质。hamr记录头还包含将激光束从激光二极管导引到近场换能器的波导，所述近场换能器使能量成形且将其从激光二极管引导到磁介质。

2、在一些情况下，hamr记录头和激光二极管使用单独的过程形成，使得激光二极管与波导在组装期间的对准可能具有挑战性。hamr记录头和激光二极管可通过转印过程集成以形成hamr装置。尽管hamr装置的电气部件在未对准时仍可操作，但激光二极管与波导之间的未对准可导致光学效率损失。另外，在一些情况下，静电放电(esd)事件可在组装期间发生。esd事件可能导致激光二极管的灾难性光学损坏。

技术实现思路

1、本公开涉及用于在激光二极管与hamr记录头的集成期间和之后防止或减少esd事件的技术。在一个示例中，激光二极管被转印到hamr记录头的平面化散热器。所述平面化散热器与例如泄放电阻器等一个或多个esd装置连接。泄放电阻器具有相对大的电阻，并且尤其是在激光二极管与散热器接触的时刻提供用以释放静电积聚的路径。另外，在转印后，泄放电阻器继续为集成激光二极管提供esd保护。另外，散热器的制造和平面化使得激光二极管能够更精确地与波导对准。平面化过程提供相对平滑的表面，其还可有助于提高转印过程的产率。

2、在一个示例中，描述一种方法，所述方法包括以下步骤：在第一衬底上形成包含波导的记录头、散热器和泄放电阻器。所述泄放电阻器耦合到所述散热器和所述衬底。所述散热器的顶表面被平面化以形成平面化散热器。在第二衬底上形成的激光二极管被转印到所述平面化散热器上以形成集成激光二极管。

3、在另一示例中，描述一种设备，所述设备包括设置在第一衬底上的包含波导的记录头、散热器和泄放电阻器。所述泄放电阻器耦合到所述散热器和所述衬底。所述散热器的顶表面被平面化以形成平面化散热器。激光二极管设置在第二衬底上，并且被转印到所述平面化散热器上以形成集成激光二极管。

4、鉴于以下详细讨论和附图，可理解各种实施例的这些和其它特征以及方面。

技术特征：

1.一种方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中平面化所述散热器的所述顶表面包含平面化所述散热器以使得所述集成激光二极管与所述波导对准。

3.根据权利要求1所述的方法，其中平面化所述散热器使所述平面化散热器的表面粗糙度小于约0.5nm均方根。

4.根据权利要求1所述的方法，其中平面化所述散热器的所述顶表面包括以机械抛光、化学抛光或化学机械抛光中的至少一者抛光所述散热器的所述顶表面。

5.根据权利要求1所述的方法，另外包括配置所述泄放电阻器以防止转印期间对所述激光二极管的esd损坏。

6.根据权利要求1所述的方法，另外包括配置所述泄放电阻器以防止转印之后对所述激光二极管的esd损坏。

7.一种设备，包括：

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述散热器的所述顶表面被平面化，使得所述集成激光二极管与所述波导对准。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述集成激光二极管在所述z方向上在50nm到约150nm内与所述波导对准。

10.根据权利要求7所述的设备，其中所述平面化散热器的表面粗糙度小于约0.5nm均方根。

技术总结
本申请公开了晶片级处用于将激光二极管集成到记录头中的激光散热。描述一种方法，所述方法包括以下步骤：在第一衬底上形成包括波导的记录头、散热器和泄放电阻器。所述泄放电阻器耦合到所述散热器和所述衬底。所述散热器的顶表面被平面化以形成平面化散热器。在第二衬底上形成的激光二极管被转印到所述平面化散热器上以形成集成激光二极管。

技术研发人员：F·埃尔哈拉克,B·J·豪沃尔斯,M·G·波伊尔,F·A·麦金尼蒂,M·L·麦加里
受保护的技术使用者：希捷科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15