用于存储器装置的自适应温度补偿的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地，涉及用于存储器装置的自适应温度补偿。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可使用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供一种方法。方法包括：执行对多裸片存储器装置的每一相应裸片的第一分析；基于第一分析，确定用于基于每一相应裸片的编程擦除周期(pec)的数目而确定相应裸片的相应温度补偿(tempco)值的方程；存储用于处理存储器存取请求的针对相应裸片的方程；及基于对相应裸片的第二分析，确定是否更新针对相应裸片的方程。

2、根据本申请的另一实施例，提供一种系统。系统包括：存储器装置；和处理装置，其以操作方式耦合到存储器装置。处理装置配置成执行包括以下各项的操作：执行对多裸片存储器装置的每一相应裸片的第一分析；基于第一分析，确定用于基于每一相应裸片的编程擦除周期(pec)的数目而确定相应裸片的相应温度补偿(tempco)值的方程；存储用于处理存储器存取请求的针对相应裸片的方程；及基于对相应裸片的第二分析，确定是否更新针对相应裸片的方程。

3、根据本申请的又另一实施例，提供一种非暂时性计算机可读存储媒体。非暂时性计算机可读存储媒体包含指令，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置执行包括以下各项的方法：接收对多裸片存储器装置的裸片执行存储器存取操作的请求；使用预定方程确定与裸片相关联的温度补偿(tempco)值；及使用tempco值对多裸片存储器的裸片执行存储器存取操作。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中执行对所述多裸片存储器装置的每一相应裸片的所述第一分析包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中基于所述第一分析，确定用于基于所述pec的数目而确定所述相应裸片的相应tempco值的所述方程包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中存储用于处理存储器存取请求的针对所述相应裸片的所述方程包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行对所述相应裸片的所述第二分析包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中确定是否更新所述方程包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述优化方法为以下各项中的一个：梯度下降、随机梯度下降或线性回归。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述方程为以下各项中的一个：线性方程、分段线性方程或二阶线性方程。

9.一种系统，其包括：

10.根据权利要求9所述的系统，其中执行对所述多裸片存储器装置的每一相应裸片的所述第一分析，所述处理装置将进一步执行包括以下的操作：

11.根据权利要求10所述的系统，其中基于所述第一分析，确定用于基于所述pec而确定所述相应裸片的相应tempco值的所述方程，所述处理装置将进一步执行包括以下各项的操作：

12.根据权利要求11所述的系统，其中存储用于处理存储器存取请求的针对所述相应裸片的所述方程，所述处理装置将进一步执行包括以下的操作：

13.根据权利要求9所述的系统，其中执行对所述相应裸片的所述第二分析，所述处理装置将进一步执行包括以下各项的操作：

14.根据权利要求13所述的系统，其中确定是否更新所述方程，所述处理装置将进一步执行包括以下各项的操作：

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述优化方法为以下各项中的一个：梯度下降、随机梯度下降或线性回归。

16.根据权利要求9所述的系统，其中所述方程为以下各项中的一个：线性方程、分段线性方程或二阶线性方程。

17.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包含指令，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置执行包括以下各项的方法：

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述预定方程为以下各项中的一个：线性方程、分段线性方程或二阶线性方程。

19.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中使用所述方程确定与所述裸片相关联的所述tempco值使得所述处理装置执行包括以下各项的操作：

20.根据权利要求19所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中与裸片相关联的所述一组参数包括与所述方程相关联的斜率参数和与所述方程相关联的截距参数，且其中所述一组参数是基于tempco值的历史记录的优化方法而更新，所述tempco值是基于在各个预定数目的pec下所述裸片的交叉温度测量。

技术总结
本申请涉及存储器装置的自适应温度补偿。执行对多裸片存储器装置的每一相应裸片的第一分析。基于所述第一分析，确定用于基于每一相应裸片的编程擦除周期PEC的数目而确定所述相应裸片的相应温度补偿tempco值的方程。存储用于处理存储器存取请求的针对所述相应裸片的所述方程。基于对所述相应裸片的第二分析而确定是否更新针对所述相应裸片的所述方程。

技术研发人员：V·P·拉亚普鲁,S·M·金茨
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15