三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质与流程

本发明属于固态盘存储，更具体地，涉及一种三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质。

背景技术：

1、原始误码率作为衡量三维闪存可靠性的重要指标，主要受可编程擦写循环次数、数据保存时间和单元间干扰等信道噪声的影响而发生变化。具体地，可编程擦写循环次数的增加、数据保存时间的延长和单元间干扰的增强均会导致三维闪存原始误码率的增加，进而影响三维闪存的可靠性。目前，高原始误码率已经成为三维闪存向更高层堆叠以增大存储容量的技术瓶颈，而降低原始误码率也成为三维闪存领域的研究热点与难点。

2、对于三维闪存，当数据需要读出时，读电压对读出数据的正确性有着重要的影响，直接关系到原始误码率的高低。而在现有三维闪存数据读出环节中，通常采用预定的默认读电压来读出三维闪存所保存的数据，这种数据读出方式导致原始误码率较高。

技术实现思路

1、本发明的目的在于解决现有三维闪存数据读出方式因采用默认读电压而导致原始误码率高的问题。

2、为了实现上述目的，本发明提供一种三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质。

3、根据本发明的第一方面，提供一种三维闪存读电压优化方法，该三维闪存读电压优化方法包括以下步骤：

4、在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；

5、在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。

6、作为可选的是，所述根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压基于以下公式实现：

7、

8、上式中，vopt为优化读电压，为各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压分布与第i-1状态下阈值电压分布之间的默认读电压，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i-1状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i-1状态下阈值电压均值。

9、根据本发明的第二方面，提供一种三维闪存读电压优化系统，该三维闪存读电压优化系统包括以下功能模块：

10、阈值电压均值获取模块，用于在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值，以及在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值；

11、读电压优化模块，用于根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。

12、作为可选的是，所述读电压优化模块根据以下公式确定优化读电压：

13、

14、上式中，vopt为优化读电压，为各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压分布与第i-1状态下阈值电压分布之间的默认读电压，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i-1状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i-1状态下阈值电压均值。

15、根据本发明的第三方面，提供一种电子设备，该电子设备包括处理器和存储器，所述处理器执行所述存储器中保存的计算机程序时实现上述任一种三维闪存读电压优化方法。

16、根据本发明的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一种三维闪存读电压优化方法。

17、本发明的有益效果在于：

18、本发明的三维闪存读电压优化方法，首先，在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；然后，在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。

19、本发明的三维闪存读电压优化方法，利用三维闪存单元阈值电压分布特征对默认读电压进行优化。具体地，通过三维闪存单元阈值电压分布在漂移前后的状态以确定漂移参数，并基于漂移参数对两个相邻状态之间的默认读电压进行调整，以得到优化读电压。采用该优化读电压读出三维闪存所保存的数据时，能够有效地降低原始误码率，进而提高三维闪存的可靠性。由此可知，采用本发明的三维闪存读电压优化方法，能够行之有效地解决现有三维闪存数据读出方式因采用默认读电压而导致原始误码率高的问题。

20、本发明的三维闪存读电压优化系统、电子设备和计算机可读存储介质与上述三维闪存读电压优化方法属于一个总的发明构思，至少具有与上述三维闪存读电压优化方法相同的有益效果，其有益效果在此不再赘述。

21、本发明的其他特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种三维闪存读电压优化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三维闪存读电压优化方法，其特征在于，所述根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压基于以下公式实现：

3.一种三维闪存读电压优化系统，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的三维闪存读电压优化系统，其特征在于，所述读电压优化模块根据以下公式确定优化读电压：

5.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述处理器执行所述存储器中保存的计算机程序时实现权利要求1或2所述的三维闪存读电压优化方法。

6.一种计算机可读存储介质，其特征在于，该计算机可读存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1或2所述的三维闪存读电压优化方法。

技术总结
本发明提供一种三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质。所述方法包括：在目标数据写入之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；在目标数据写入之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据默认读电压以及两个时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。所述系统包括用于共同实现上述方法的功能模块。电子设备：处理器执行存储器中保存的计算机程序时实现所述方法。存储介质存储有当被处理器执行时实现所述方法的计算机程序。根据本发明，能够解决现有三维闪存数据读出方式因采用默认读电压而导致原始误码率高的问题。

技术研发人员：吴佳,李礼,吴叶楠
受保护的技术使用者：上海威固信息技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15