半导体器件的制作方法

多种实施例总体涉及半导体器件，并且更具体地涉及将在从源电压产生内部电压时产生的漏电流用于内部电压的半导体器件。

背景技术：

1、嵌入在便携式电子设备中的半导体器件通过执行动态电压频率调整(dvfs)操作而根据操作频率来选择性地使用源电压，以防止不必要的功耗。

2、借助于通过在操作频率高时接收具有高电压电平的源电压而执行高速操作以及通过在操作频率低时接收具有低电压电平的源电压而执行低速操作，半导体器件可以降低内部电路中的功耗。

技术实现思路

1、在一实施例中，一种半导体器件可以包括：电压供应电路，其包括被施加从外部电源产生的第一源电压的第一焊盘和被施加从外部电源产生的第二源电压的第二焊盘，并且被配置为基于第一源电压和第二源电压中的至少一个产生内部电压；以及内部电压供应电路，其被配置为，当基于第一源电压产生内部电压时，在第二源电压的电平为设定电压电平或更高时，通过向第一源电压供应非全部的第二源电压而产生内部电压。

2、在一实施例中，一种半导体器件可以包括：电压供应电路，其包括被施加第一源电压的第一焊盘和被施加第二源电压的第二焊盘，以及被配置为向内部电路供应基于第一源电压和第二源电压中的一个而产生的内部电压；以及内部电压供应电路，其被配置为根据动态电压频率调整(dvfs)操作检测第二源电压，以及被配置为在第二源电压的电平为设定电压电平或更高时向第一源电压供应非全部的第二源电压。

3、在一实施例中，一种半导体器件可以包括：电压供应电路，其包括被施加第一源电压的第一焊盘和被施加第二源电压的第二焊盘，并且被配置为向内部电路供应基于第一源电压和第二源电压中的一个而产生的内部电压；以及内部电压控制电路，其被配置为根据动态电压频率调整(dvfs)操作检测第二源电压，以及被配置为在第二源电压的电平为设定电压电平或更高时向地电压释放被供应至第二源电压的电荷。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源电压是具有大于或等于所述第二源电压的电压电平的电压电平的电压。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部电压供应电路：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压供应电路还包括开关电路，所述开关电路：基于功率控制信号的逻辑电平，通过从所述第一焊盘接收第一输入电压而产生所述内部电压，或者通过从所述第二焊盘接收第二输入电压而产生所述内部电压。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部电压供应电路包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述供电电压发生电路包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述电荷泵包括：

9.一种半导体器件，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电压供应电路：

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电压供应电路：

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述内部电压供应电路：

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电压供应电路还包括开关电路，所述开关电路：响应于在dvfs操作被去激活时被禁止的功率控制信号而通过从所述第一焊盘接收第一输入电压和非全部的所述第二源电压来产生所述内部电压，以及在所述功率控制信号被使能时通过从所述第二焊盘接收第二输入电压而产生所述内部电压。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述内部电压供应电路包括：

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述供电电压发生电路包括：

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述电荷泵包括：

17.一种半导体器件，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述第一源电压是具有大于或等于所述第二源电压的电压电平的电压电平的电压。

19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述内部电压控制电路：

20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述内部电压控制电路：

21.根据权利要求17所述的半导体器件，其中：

22.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述电压供应电路还包括开关电路，所述开关电路：基于功率控制信号的逻辑电平，通过从所述第一焊盘接收第一输入电压而产生所述内部电压，或者通过从所述第二焊盘接收第二输入电压而产生所述内部电压。

23.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述内部电压控制电路包括：

24.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述供电电压发生电路包括：

25.根据权利要求24所述的半导体器件，其中，所述电荷泵包括：

技术总结
一种半导体器件，包括：电压供应电路，其包括被施加从外部电源产生的第一源电压的第一焊盘和被施加从外部电源产生的第二源电压的第二焊盘，以及基于第一源电压和第二源电压中的至少一个产生内部电压；以及内部电压供应电路，其：在基于第一源电压产生内部电压时，在第二源电压的电平为设定电压电平或更高时，通过向第一源电压供应非全部的第二源电压而产生内部电压。

技术研发人员：李世远
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16