专利名称：光信息记录/重现设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光信息记录/重现设备，它具有降低在高频作用电路中产生的不需的辐射的装置，本发明具体涉及这样一种设备中的噪声抑制装置。
在一个光信息记录/重现设备的记录或重现运行中，已知道有着由高频电流的作用以电流激励一个激光二极管的高频作用方法，用来防止在返回光中感应出的激光噪声。应用高频作用方法的光信息记录/重现设备中有一个高频作用电路，它包含一个振荡器，用以按几百MHz的频率切换激光输出光线的通/断，使得激光束的垂直模式转变为多模形式，防止了所述激光噪声的产生(例如，JP专利出版物9086/1984)。
然而，如果所述高频作用电路的高频振荡分量泄漏到空气中，那将是不需的辐射(引线噪声，辐射噪声)。所以，应当防止高频泄漏。
不需的电波辐射可分类为通过大气空间的辐射和通过接通外部电路的连接线的辐射。对前者的防止是用导电屏蔽壳将装置包封起来，对后者的防止是在外部连接线与地之间接入一个电容器。
图10示出防止不需的辐射的先有技术光信息记录/重现设备。在图10的光信息记录/重现设备中，安装的那部分高频作用电路用屏蔽壳4(导电壳体)紧封起来。
此外，在此光信息记录/重现设备中，如图11中所示(它是去掉屏蔽壳4后沿图10中c方向上的视图)，激光二极管6与光学基座7上的一个开口相接合，又激光二极管6的两个端子都在基板5上，用于高频作用电路。
对高频作用电路供电的外部连接线、对激光二极管的供电的连接线以及高频作用电路的控制信号线，都是通过有关的穿芯(穿板)电容器11与外部电路相连接的，穿芯电容器11的外周与屏蔽壳4相接合。因此，高频作用电路本身由屏蔽壳紧封住，而外部连接线通过穿芯电容器11与外部电路相连接，从而可防止不需的辐射。
在使穿芯电容器11固定到屏蔽壳4上所开的一个小孔处，不会有辐射通过穿芯电容器11与屏蔽壳4之间的缝隙泄漏出来。
穿芯电容器11连接到高频作用电路的基板5上时，或是可通过挠性的印刷电路12(图11(a))，或者是直接地连接(图11(b))。
然而，先有技术的光信息记录/重现设备虽然便于防止不需的辐射，但有下列问题应该解决。
(1)如图11中所示，穿芯电容器11的一端(a)必须或是通过内部连接用的挠性印刷电路12、或是直接地与高频作用电路的基板5相连接，而穿芯电容器11的另一端(b)必须连接到外部连接用的另一个挠性印刷电路13上，因此，安装穿芯电容器的工作是复杂的，此外还难以降低元件的成本。再又，由于穿芯电容器要占用大的面积，所以，难于减小光信息记录/重现设备本身的尺寸。
(2)由于屏蔽壳上必须有一小孔供安装穿芯电容器使用，使屏蔽壳的制作工序复杂，而且对屏蔽壳的组装工序也复杂。
(3)当考虑连线工作时，最好希望外部连接线是从屏蔽壳的一个表面上引出的(便于连线操作、连线操作效率高等)。所以，用于对高频作用电路供电、用于对激光二极管供电以及高频作用电路的控制信号线，它们的穿芯电容器用的小孔必须位于屏蔽壳的一个表面上。然而，这一点妨碍了将光信息记录/重现设备做得尺寸小。
例如，如果穿芯电容器的大小为2mmΦ(即穿芯电容器的直径2mm)，则如图10中所示，一个小孔占据的宽度Wc为2mm。假设相邻小孔之间的间隔Ws为1mm，接地端宽度Wg也为2mm，则屏蔽壳一个侧面上纵向长度约11mm。此外，假定一个小孔的两侧各保持1mm的余量，则侧向长度大约须占4mm。因此，屏蔽壳一个侧面的面积须44mm2(11mm×4mm)。
然而，由于最近的光信息记录/重现设备尺寸很小，在高频作用电路的侧壁上要有如此大的一个面积几乎是不可能的。
(4)通常，激光二极管上有另一个端子线，用于后向监测接收，以检测同一密封块内的激光输出。当将该导线连接到一个外部电路上时，还必须安装附加的穿芯电容器，这使得将光信息记录/重现设备做得小变为更加困难。
虽然，依靠减少许多元件来使光信息记录/重现设备做得小是方案之一，但在减少许多元件的同时又要防止电路特性变坏，这几乎是不可能的。例如，在图12上所示的那种用于高频作用电路的一个电路中，要减少许多元件(防止不需的辐射用的元件除外)而不损害电路特性，是不可能的。图12中，D11是激光二极管，C21、C22和C23是防止辐射噪声的穿芯电容器。
本发明的一个目的是提供一种光信息记录/重现设备，它容易将防止不需的辐射用的元件安放和组装入光信息记录/重现设备中(设备里有着高频作用电路)，并且，用于这些元件的安放空间和成本都减少了。
实现所述的本发明之目的的特征包括一个激光源，它以激光照射信息记录媒体；一个光电变换器，通过使用从所述信息记录媒体上来的反射光，它提供出与存储于所述信息记录媒体上的信息相对应的电信号；一个高频作用电路，用以通/断地切换所述激光；这里，所述高频作用电路和所述激光源的电气端子由一个导电屏蔽壳包围，屏蔽壳分为一对半壳，每个半壳有一壳壁，两个相应的半壳壳壁相互接触和搭叠；一个电容器，它安装在所述高频作用电路和所述激光源的至少一条外部连接线与地之间；所述电容器与一条外部连接线的连结点位置紧邻所述屏蔽壳的一个壳壁；与所述电容器连接的一条外部连接线是通过一个缝隙引出的，该缝隙处于所述两个半壳的一对相对搭叠的壳壁之间。
本发明的另一个特征是光信息记录/重现设备中包含有一个激光源，它以激光照射信息记录媒体；一个光电变换器，通过使用从所述信息记录媒体上来的反射光，它提供出与存储于所述信息记录媒体上的信息相对应的电信号；一个高频作用电路，用以通/断地切换所述激光；这里，所述高频作用电路和所述激光源的电气端子由一个导电屏蔽壳包围，屏蔽壳分为一对半壳，每个半壳有一壳壁，两个相应的半壳壳壁相互接触和搭叠；一个电感器，它的安装是与所述高频作用电路和所述激光源的至少一条外部连接线相串联的；与所述电感器连接的一条外部连接线通过一个缝隙引出，该缝隙处于所述两个半壳的一对相对搭叠的壳壁之间，而连结线与所述电感器的连接点紧邻屏蔽壳的壳壁。
最好是，使所述外部连接线与所述电容器和所述电感器两者相连接。
图1是按照本发明的光信息记录/重现设备的一个透视图；图2是所述光信息记录/重现设备之一部分的透视图，该部分用于安装高频作用电路；图3是本发明的一个剖面图(自图2中A方向看过去)；图4是本发明的一个剖面图(自图2中B方向看过去)；图5示出高频作用电路的基板5以及一对半壳4和4a；图6示出应用一个双面基板的安装例子；图7示出应用一个多层基板的安装例子；图8是高频作用电路的电路图；图8示出层叠于多层(9层)基板诸内层里的一个电容器；图10是先有技术中光信息记录/重现设备的高频作用电路；图11是先有技术中光信息记录/重现设备的一个剖面图(自图10中c方向看过去)；图12示出应用穿芯电容器的高频作用电路的例子。
图1示出按照本发明的光信息记录/重现设备的透视图。
该光信息记录/重现设备具有一个光学基座7，它上面有可移动部分22，该可移动部分22上有一个物镜21。物镜21可在聚焦方向FCS上移动，并可借助于向一个线圈(未示出)供电以驱动所述可移动部分22在跟踪方向TRK上移动。
光学基座7上还包括一个高频作用电路，其中有一个输出激光的激光二极管，以及将光盘中检测到的光信号变换为电信号的一个接收单元23。对那些元件的供电及电信号的通路，都通过挠性印刷电路1来实现。高频作用电路由屏蔽壳4紧封住，以防止不需的辐射向外泄漏。
图2示出高频作用电路及其外围部分。该高频作用电路由屏蔽壳4紧封住，挠性印刷电路1通过屏蔽壳4中的一个缝隙穿出。
图3示出图2中沿A方向的视图，图4示出图2中沿B方向的视图。这些图中，未示出屏蔽壳和电路元件(与防止不需要的辐射有关联的元件除外)。
图5示出高频作用电路基板5的细节和一个屏蔽壳。图5中，激光二极管6与光学基座7上的一个小孔连结，激光二极管6的端子6a安置在高频作用电路的基板5上。
高频作用电路基板5与挠性印刷电路1相连接，印刷电路1中的导线1a对高频作用电路供电，导线1b对激光二极管供电。
本发明中，电容器或电感器，或者电容器与电感器两者，它们作为不需的辐射防止装置用元件。
图3(b)和图4(b)中示出了内部屏蔽壳4a和导电针脚4b，屏蔽壳4a对于将高频作用电路安置到光学基座7上起衬垫或支持装置的作用。导电衬垫(支持装置)在电气上与高频作用电路的地以及光学基座7相连接。围绕高频作用电路的屏蔽壳4在电气上与衬垫和光学基座7相连接。
屏蔽壳分为一对半壳4a和4。底下的半壳4a应用一个螺丝固定到光学基座7上，并支持住高频作用电路的基板。高频作用电路基板5的接地方式是依靠焊点5a连接到半壳4a上的。
底下的半壳4a实质上是平行管形状的，其一个平面4a-1面向光学基座(图中光学基座已移开)。
顶上的半壳4实质上也是平行管形式的，并盖住底下的半壳4a，以使得底下半壳4a的上面部分与顶上半壳4的下面部分相互搭叠，搭叠长度W。最好，对顶上半壳和底下半壳的搭叠部分至少用一个螺丝拧牢在一起，使两个半壳在机械上互相固定住，在电气上又互相连接一起。
假定，在顶上半壳与底下半壳之间的搭叠部分W上存在一个薄的缝隙空间，使得挠性的印刷电路1可通过所述缝隙空间。挠性印刷电路的厚度例如大约0.2mm。预定用于防止泄漏的信号频率小于2GHz，它的波长十分长于缝隙空间的宽度(0.2mm)，所以，不会有辐射通过这两个半壳之间的缝隙空间泄漏出去。
在一个有尺寸数值的实施例中，高频作用电路基板5的大小为5.4mm×12.7mm，顶上屏蔽壳4的端平面4S的大小为5mm×5.4mm(＝27mm2)。按先有技术，在端平面4S上不可能安置下4个穿芯电容器。
图8(a)或图8(b)中示出的诸电子元件全都安装在高频作用电路基板5上，电路基板5通过引线W1、W2和W3与外部电路相连接。用于噪声抑制的电容器C1、C2和C3分别连接在地与引线W1、W2和W3之间，而抑制噪声用的L1、L2和L3最好分别串联地插入于引线中。噪声抑制电容器C1、C2或C3为表面安装式元件或小型片式电容器，通过将电容器的两端焊接于基板上而使之固定于基板5上。电容器的电容量在50pF至1000pF范围内，尺寸例如为1mm×0.5mm×0.55mm或1.6mm×0.8mm×0.9mm。这些电容器都安装在屏蔽壳4、4a内，通过挠性的印刷电路1与外部电路相连接，而电感器L1、L2和L3串联地插入于屏蔽壳4、4a外面的引线内。
噪声抑制电容器C1、C2和C3固定在屏蔽壳4、4a内，紧邻屏蔽壳的壳壁。连接于挠性印刷电路上用以向外连通的电容器的一端，与屏蔽壳壳壁之间的长度T值最好小于2mm。根据试验，当T＝2mm时，比之T＝6mm的情况来说，向外辐射的不需要辐射场可减少19％。
将屏蔽壳4、4a用螺线100固定到光学基座7上是有益的。在试验中(T＝2mm)，将屏蔽壳用螺丝固定到光学基座7上时，与不使用螺丝相比较，不需的向外辐射要减少一半。
采用上面的结构，本发明的光信息记录/重现设备可防止泄漏出不需要的向外辐射，包括辐射噪声和引线噪声。辐射噪声是由高频作用电路辐射进空间的，引线噪声是通过引线辐射的。
由于辐射噪声(不需的辐射)是由高频作用电路辐射进空间的，所以包围高频作用电路的屏蔽壳可防止辐射泄漏进空间。
这种场合下，屏蔽壳和光学基座必须在要防止的辐射噪声的频带内处于地电位上，也就是在高频作用电路(它会产生辐射噪声)的振荡频率范围内(300MHz-600MHz)要处于地电位上。
为了使屏蔽壳和光学基座保持于地电位，屏蔽壳与高频作用电路地线之间的阻抗(尤其是感抗)以及光学基座与高频作用电路地线之间的组抗(尤其是感抗)，必须尽可能地小。
然而，先有技术的光信息记录/重现设备中，屏蔽壳与高频作用电路地线之间的连接以及光学基座与高频作用电路地线之间的连接，仅仅依靠激光二极管的外壳。这种结构中，屏蔽壳与高频作用电路地线之间的阻抗以及光学基座与高频作用电路地线之间的阻抗，对于防止噪声辐射进空间来说都不是足够小的。
另一方面，按照本发明，利用一个导电的衬垫(它包括内屏蔽壳4a和导电针脚4b)使高频作用电路固定到光学基座上，并且高频作用电路的地通过所述的衬垫与光学基座在电气上相连接，因此，光学基座与高频作用电路地线之间的阻抗是小的。此外，由于屏蔽壳在电气上连接至衬垫和光学基座，所以屏蔽壳与高频作用电路地线之间的阻抗也是小的。
最好是，高频作用电路的地线在电气上用焊料与衬垫4b相连接，所以屏蔽壳与高频作用电路地线之间的阻抗以及光学基座与高频作用电路地线之间的阻抗，都是小的。
导电针脚的形状不限制于特定的形状，导电针脚4b的数目也不加限制。例如，采用导电针脚4b时，在高频作用电路的基板上作出一个直径约0.6mm的一个穿通孔，以便导电针脚焊牢到所述穿通孔上，使光学基座与高频作用电路电气上连接起来；因此，屏蔽壳与高频作用电路地线之间的阻抗以及光学基座与高频作用电路地线之间的阻抗，都是小的。应用一个导电针脚4b来给出高频作用电路地线与光学基座相连接的优点在于，只需使用一个空着的、基板上未有安装元件的小区域，就可以使屏蔽壳与高频作用电路地线之间的阻抗以及光学基座与高频作用电路地线之间的阻抗都很小。
(电容器和电感器的定位)对于通过引线辐射出的引线噪声，其防止是依靠连接在引线与地之间的电容器、插入在引线中的电感器以及电容器和电感器两者兼有来做到的。
最好，在引线一侧的电容器的一个端子其位置紧密地靠近引线穿过的屏蔽壳壳壁处。这种结构可防止屏蔽壳中的辐射噪声感应在所述屏蔽壳壳壁与电容器端子之间的引线上，泄漏入外部电路形成引线噪声。
对于电容器在接地侧的端子，最好连接到稳定的地端，使得在引线上感应的引线噪声被接地。所以，最好将电容器接地侧的端子直接连接到屏蔽壳上，因为屏蔽壳是与最稳定的接地端光学基座连接着的。
对于电感器，最好是在屏蔽壳之外、紧密靠近并蔽壳壳壁的引线穿出处接入该引线中。有了这样的电感器结构，引线噪声不会通过引线泄漏出去。将电感器安装于屏蔽壳之外的原因在于，如果电感器位于屏蔽壳之内，则不可能使电容器的位置紧密靠近屏蔽壳壳壁。而如果将电感器安装得远离屏蔽壳壳壁之外，则从屏蔽壳壳壁与电感器之间的引线上将辐射出辐射噪声，显然那是不可取的。
起噪声抑制作用的电容器和电感器并不限制于表面安装元件形式，但如果是表面安装形式的元件，则它们的安装较容易。
(电容器和电感器的特性)由高频作用电路辐射出的不需的辐射中，包括了高频作用电路振荡频率的频率成分，所以，重要的是解决不需的辐射中的振荡频率成分问题。
因此，连接在引线与地端之间的电容器其固有谐振频率最好很接近高频作用电路的振荡频率。应当知道，电容器在接近其固有谐振频率的频率上阻抗是小的，而在固有谐振频率上阻抗最小。所以，当电容器的固有谐振频率很接近高频作用电路的振荡频率时，振荡频率成分的不需的辐射将通过电容器被吸收入地。
对于串联地插入于引线中的电感器，最好使电感器的固有谐振频率很接近高频作用电路的振荡频率。应当知道，电感器在接近其固有谐振频率的频率上阻抗是大的，而在固有谐振频率上阻抗最大。所以，当电感器的固有谐振频率很接近高频作用电路的振荡频率时，振荡频率成分的不需的辐射不会通过电感器泄漏出去。于是。振荡频率成分的不需的辐射传递给电容器，它使不需的辐射短路到地。
不需的辐射的抑制特别地对基波成分有效，并可高到2GHz。一般，与谐波成分的不需的辐射相比较，谐波成分的不需的辐射要小10dB(通常要小20dB)；尤其是，高于2GHz的谐波成分的不需的辐射电平是非常低的。所以，该抑制特性高到2GHz实际不成问题。
(屏蔽壳的引出线)
从屏蔽壳上引出供作外部连接的导电引线，或可以用挠性的印刷电路，或可以用扁平电缆来实现。导电引线是从包围高频作用电路的一对屏蔽壳半壳之搭叠部分间的缝隙中引出的，所以，用于供电的引线以及与高频作用电路连接的信号线都自屏蔽壳上引出时，高频作用电路中的辐射噪声不会有泄漏。
此外，由于在屏蔽壳上不需要有小孔供穿芯电容器使用，所以屏蔽壳的制造工序简单，屏蔽壳的安装操作也简单。
如图2至图5中所示地当应用挠性的印刷电路作为导电引线时，挠性印刷电路的宽度为2mm，厚度为0.2mm，因而该挠性印刷电路可以通过屏蔽壳一对半壳之重叠部分间的缝隙引出。屏蔽壳的缝隙是指半壳4与4a之间的缝隙，以及屏蔽壳4与光学基座7之间的缝隙。
屏蔽壳的缝隙对于挠性印刷电路的厚度来说是足够宽的，而该缝隙宽度比之高频作用电路振荡频率的波长来说又小得多，所以，通过缝隙的不需的辐射泄漏可以忽略。
(高频电路的安装)图6示出应用双面基板的高频作用电路的安装，其中，图6(a)示出基板的第一平面，图6(b)示出基板的第二平面。双面基板5a上安装有电阻器R1至R3、电容器C2至C9、电感器L4至L9、半导体元件T1和激光二极管D1。图8(a)中元件符号与图6中号码间的对应关系如下R1；34R2；35R3；29C2；21C3；22C4；28C5；26C6；25C7；32C8；24C9；23L4；27L5；30L6；31T1；33这些元件可以安装在基板的两个平面上；另一种方法，一部分元件可以安装在基板内层上。
图7示出一个安装例子，其中，用7(a)示出第一外平面，图7(b)示出第二外平面，图7(c)示出一个内平面，(第三平面)，图7(d)示出一个内平面(第二平面)。带有两个电极25a和25b的电容器C6连接在第一外平面与内平面(第二平面)之间，电感器L4(27)安装在内平面(第三平面)上。
图8(a)示出高频作用电路，其中，用以测量激光输出的一个反向监测接收端安装在激光二极管D1所在的同一个密封块内，但没有使用。图8(b)示出另一个高频作用电路，其中，反向监测接收端连接到一个外部电路上。这种情况下，用于反向监测接收端的信号线必须安装在挠性印刷电路1上。因为本发明中应用了表面安装元件C1来取代先有技术中的穿芯电容器，所以，先有技术高频作用电路中应用的、供测量激光输出的正向监测接收单元信号线，在这里不需要有它的安置空间。
图7的实施例中，电路元件电容器和电感器等，除了高频作用电路中为防止不需的辐射的那些以外，都安装在多层基板5b的一个内层中。另一种方法，防止不需的辐射的电容器C1至C3都安装在多层基板5b的一个内层中。这种情况下，防止不需的辐射的元件所占的面积可以减小。
图9示出多层(9层)基板5b的情况，其中，电容器C1至C3都安装在内层中。图9(a)中示出平面图，图9(b)中示出图9(a)上AA’方向的剖面图。
图9中，在挠性印刷电路1连接端子下面的多层基板5b里有多个内层，它们提供出一对电极2a和2b，用于接通一个电容器。电极2a与一条供电线或信号线相连接，电极2b与地端相连接(例如，焊接到屏蔽壳4上的地)。
插入于引线W1-W1’、W2-W2’、W3-W3’内、用于外部连接的噪声抑制电路CF可以只包括电容器，或者只包括电感器，或者包括电容器和电感器两者。图8(a)和图8(b)示出的实施例中只使用了电容器(C1、C2、C3)，其中与每个电容器相连接的引线是采用挠性印刷电路引出的。图8(c)示出只使用电感器(L1、L2、L3)的情况，图8(d)示出兼使用电容器(C1、C2、C3)和电感器(L1、L2、L3)的情况。自屏蔽壳上给出的引线不限制于所述的实施例，电源供电线和信号线也可以是另外的引线。此外，供电路运行用的元件和供防止不需的辐射用的元件也可以安装在一个表面平面上或者后背平面上。
如上面所述，本发明的光信息记录/重现设备有下面的效能(1)与使用穿芯电容器的先有技术相比较，其安装和组装防止不需的辐射用元件的工序较简单。此外，由这些元件占用的面积也减小了。
(2)与使用穿芯电容器的先有技术相比较，屏蔽壳的结构得到简化。此外，屏蔽壳的尺寸可根据高频作用电路基板的尺寸来设计，不必考虑到穿芯电容器的形状。所以，光信息记录/重现设备本身的尺寸也小。
(3)用于外部连接的导电引线是通过屏蔽壳搭叠部分上的缝隙引出的，因而导电引线容易引出。
(4)可以设计防止不需的辐射用的电容器和电感器的特性，使其固有谐振频率接近高频作用电路的振荡频率，从而使防止不需的辐射的效率提高。
(5)当高频作用电路用的基板多于3层时，防止不需的辐射的元件可以安装在内层中，因此，所述元件占用的面积减小。
(6)可以增加从屏蔽壳中引出的导线数目而不加大防止不需的辐射用元件占用的面积，所以，可从屏蔽壳上引出附加的导线，例如，能容易地安置一条用于反向监测接收元件的导线。
按照本发明，可防止来自电子设备的不需的辐射，因而不会干扰医疗设备和/或航空设备的运行。于是，光信息记录/重现设备的应用领域得以扩大。
权利要求
1.一种光信息记录/重现设备，包括一个激光源，它以激光照射信息记录媒体；一个光电变换器，通过使用从所述记录媒体上来的反射光，它提供出与记录在所述信息记录媒体上的信息相对应的电信号；以及一个高频作用电路，用以通/断地切换所述激光；其特征在于，所述高频作用电路和所述激光源的一个端子包封在一个导电的屏蔽壳中；所述屏蔽壳分为一对半壳，每个半壳有一壳壁，两个半壳的壳壁部分地互相搭叠；有一个电容器，它连接在使所述高频作用电路和所述激光源与外部电路相连接的至少一条引线与地之间；所述电容器与用于外部连接的一条引线之间的连结点，紧邻所述屏蔽壳的壳壁；以及与所述电容器相连，用于外部连接的所述引线是通过两个半壳之搭叠壳壁间的缝隙从屏蔽壳中引出的。
2.一种光信息记录/重现设备，包括一个激光源，它以激光照射信息记录媒体；一个光电变换器，通过使用从所述记录媒体上来的反射光，它提供出与记录在所述信息记录媒体上的信息相对应的电信号；以及一个高频作用电路，用以通/断地切换所述激光；其特征在于，所述高频作用电路和所述激光源的一个端子包封在一个导电的屏蔽壳中；所述屏蔽壳分为一对半壳，每个半壳有一壳壁，两个半壳的壳壁部分地互相搭叠；有一个电感器，它与所述高频作用电路和所述激光源的至少一条外部连接线相串联；与所述电感器相连、用于外部连接的所述引线是通过两个半壳之搭叠壳壁间的缝隙从屏蔽壳中引出的；所述电感器与用于外部连接的一条引线之间的连结点，紧邻所述屏蔽壳的壳壁。
3.按照权利要求1的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，电感器在所述屏蔽壳外部与所述引线相串联。
4.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，所述电容器、所述电感器及所述电容器与所述电感器两者，它们之中的至少一个其固有谐振频率实质上与高频作用电路的振荡频率相同。
5.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，所述电容器、所述电感器及所述电容器与所述电感器两者，它们之中的至少一个为表面安装式元件。
6.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，所述电容器的接地端与所述屏蔽壳直接连接。
7.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，所述电容器位于上面安装有高频作用电路的基板的一个内层中。
8.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，所述引线是挠性的印刷电路。
9.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，上面安装了所述高频作用电路的一个基板(5)是借助于两个半壳之一(4a)固定于光学基座(7)上的；所述高频作用电路基板(5)的一个地端在电气上与所述半壳相连接；以及所述半壳在电气上与所述光学基座相连接。
10.按照权利要求1至3中之一的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，与电容器相连接的引线的长度(L)在屏蔽壳内小于2mm。
11.按照权利要求2的一种光信息记录/重现设备，其特征在于，所述电感器位于屏蔽壳的外面。
全文摘要
一种光信息记录/重现设备,包括:激励一个激光源的高频作用电路;该电路和激光源的电端子包封在导电屏蔽壳中;屏蔽壳由一对半壳组成,两个半壳相互接触,它们的壳壁相互搭叠;在所述高频作用电路和激光源接通外部连接的至少一条导线与地之间接入有电容器;所述电容器与所述导线之间的连结紧靠近所述屏蔽壳的壳壁;用于外部连接的所述导线通过所述两个半壳壳壁搭叠部分之间的缝隙,从屏蔽壳中向外面引出。
文档编号G11B7/125GK1197528SQ97190846
公开日1998年10月28日 申请日期1997年7月3日 优先权日1996年7月4日
发明者高原诚志 申请人:Tdk株式会社