专利名称：静电管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于信息模块中的具有“开”、“关”特性的静电管。
目前，信息模块中的单元为具有开关特性的PN结形式，如ROM，RAM等芯片，利用PN结形式，在硅片上大规模集成数字电路。其存在的不足之处在于，制造工艺复杂，成本高，容量有限，且PN结受温度影响，速度不高。
本实用新型其目的就在于提供一种应用于信息模块的具有开关特性的静电管，制造工艺简单，成本低，容量大，且不受温度影响，开关速度极高，功耗极低。
实现上述目的而采取的技术方案为，输入端、输出端连接导线中间有一断口距离在Mm级，断口上、下方经电介质隔离后接控制电场的正负极，组成静电管。
以下结合附图对本实用新型作进一步详述，
图1为本实用新型结构原理示意图；图2为集线式静电管结构原理示意图；图3为本装置应用实施例之二一位存贮器原理示意图；图4为本装置应用实施例之一16位存贮器原理示意图；本实用新型是利用静电感应及电场束缚原理来工作的。其结构如图1所示，输入端A、输出端B连接导线中间有一断口，断口距离d在Mm级，断口上、下方经电介质隔离后接控制电场Eab的正负极a、b，组成静电管。当附加电场值Eab为零时，信号即电平根据静电感应原理可从输入端A传递至输出端B，具有“开”的特性，相当于PN结的导通状态；当附加电场Eab为一定数值时，断口受电场束缚，又可阻断静电感应，使电平不能从输入端A感应至输出端B，也应是说信号被切断了，具有“关”的特性，相当于PN结的截止状态。
上述为单个静电管，依此，也可组合成多个，为集线式静电管，如图2所示，输入端为A1、A2、A3……An，相对应其输出端为B1、B2、B3、……Bn，上、下方连接电场E，图示电场方向为由外向里(*)。由于电场尺寸不受限制，因此受其束缚的可以是很多条互不连通的电子线路。
其应用实施例之一，16位存贮器，如图4所示，a、b、c、d、e、f、g、h为任意型号的开关管，感应区为K1～K16，断口距离为1d，信息区为J1～J16接通为*，断开为o，断开距离大于2d；信号检测区即信号输出端u。当a、e管导通时，电平E只有唯一一条通路E→a1→K1→J1→e1→u，因为走其它路径需要经过3d距离的断口(感应区)，E无法感应(或理解为击穿)，假设电平E感应范围为2d距离，其它依次理推。
其应用实施例之二，一位存贮器，如图3所示，由6个静电管构成一存贮器，u为输出信号。
另外，本静电管工作物质为电场，而现有集成电路中的晶体管工作物质为电流。
与现有技术相比本实用新型具有以下优点由于采用了静电感应和电场束缚原理，取代现有技术中的PN结技术，因而制造工艺简单，只需刻线，成本低，容量大，功耗极低且不受温度影响，开关速度极高。
权利要求静电管，其特征在于，输入端A、输出端B连接导线中间有一断口，断口距离d在Mm级，断口上、下方经电介质隔离后接控制电场Eab的正负极a、b，组成静电管。
专利摘要静电管,输入端和输出端连线中间有一断口,断口上下方经电介质连接控制电场的正负极,组成静电管,具有开关特性,可以取代现有芯片中的PN结,构成信息模块,具有制造工艺简单,容量大,功耗极低,且不受温度影响开关速度极高。
文档编号H01L49/00GK2423657SQ0023484
公开日2001年3月14日 申请日期2000年5月17日 优先权日2000年5月17日
发明者徐国强 申请人:徐国强