一种光电阴极导电基底的制作方法

专利名称:一种光电阴极导电基底的制作方法
本发明属于制作超快速光电成象器件的范畴。
超快速光电器件的半导体光电阴极均需制作在导电基底上，要求导电基底的面电阻率小，光透过率高，与光电阴极相容，且不影响光电成象器件的成象质量。现有的导电基底有热压金属网(英国专利GB1217477)，热压金属网导电基底的面电阻率低，与光电阴极相容，但是光透过率不高，更主要的是这种导电基底出现的莫尔现象对光电器件的成象质量有很大影响。
本发明的目的在于提供一种新的光电阴极导电基底，使之具有面电阻率低，光透过率高，与光电阴极相容，不影响光电器件成象质量的优点。
本发明的要点是，在光电阴极玻璃窗上真空镀铬，镀层厚约1000
，采用线宽为4μm的铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成任意走向的，线宽为2～4μm的铬网。
本发明提出的光电阴极导电基底，先采用人工制作出放大的任意走向的网络图，再利用精缩的方法制成光刻用的铬板，其线条宽度约为4μm。然后，在光电阴极玻璃窗上真空镀铬约1000A厚，利用上述制成的铬板对其进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成任意走向的，线宽为2～4μm铬网。采用M1白钢玉微粉对这种具有任意走向铬网的光电阴极玻璃窗进行抛光，以便清除光刻时残存的对光电阴极有毒害的物质，获得一清洁表面。为了减小导电基底的面电阻率，在具有任意走向铬网的光电阴极玻璃窗上电镀金。镀金后所得到的铬网线宽小于3μm。
按本发明制得的光电阴极导电基底的面电阻率小于300μΩ/□，光透过率大于80%，并与任何半导体光电阴极相容。由于其导电网络走向是随机的，光电器件的空间分辩率不受莫尔现象的影响。
实施例1当光电阴极导电基底上的导电铬网线宽为4μm时，其面电阻率为20Ω/□，光透过率为60%。
实施例2当光电阴极导电基底上的导电铬网线宽为2μm时，其面电阻率为200Ω/□，光透过率为80%。
实施例3在具有线宽为2μm铬网的光电阴极导电基底上电镀金，镀金后得到的导电网络线宽小于3μm，其面电阻率小于300μΩ/□，光透过率大于80%。
权利要求
1.一种超快速光电器件的半导体光电阴极导电基底，其特征在于在光电阴极玻璃窗上真空镀铬约1000
厚，采用铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成任意走向的线宽为2～4μm的铬网。
2.根据权利要求
1所述的铬板，其特征在于通过人工制出的，放大的任意走向的网络图，经精缩制成光刻用的铬板，其线条宽度约为4μm。
3.根据权利要求
1所述的具有任意走向的线宽为2～4μm铬网的光电阴极玻璃窗，其特征在于采用M1白钢玉微粉对其抛光。
4.根据权利要求
1和权利要求
3所述的具有任意走向的线宽为2～4μm铬网的光电阴极玻璃窗，其特征在于在其上电镀金，通过腐蚀，镀金后得到的铬网线宽小于3μm。其面电阻率低于300μΩ，光透过率大于80%，并与任何半导体光电阴极相容。
专利摘要
提出了一种新的光电阴极导电基底，此种导电基底是通过在光电阴极玻璃窗上真空镀铬1000厚，用铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成了任意走向的线宽为2～4μm和铬网。这种光电阴极导电基底的面电阻率低于300μΩ/□，光透过率大于80％，并与任何半导体光电阴极相容。由于该导电网络走向是随机的，光电器件的空间分辨率不受莫尔现象的影响。
文档编号H01J1/34GK87106900SQ87106900
公开日1988年4月13日 申请日期1987年10月10日
发明者牛憨笨 申请人:中国科学院西安光学精密机械研究所