专利名称：一种晶圆及利用该晶圆识别错误制程的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶圓和利用该晶圓识别错误制程的方法。
背景技术：
请参阅图1，为现有技术中晶圓采用的设计。晶圓通常是具有一个v形的 缺口，这个缺口在制程过程中用于晶圓定位和对准。这个缺口通常在晶圆的底 部，垂直于晶圓边缘，且开口高度为d，开口的角度为e。目前还有一种晶圓设 计，其在晶圓的顶部上设置一个与底部缺口大d、一样的缺口。这个顶部的缺口 仅仅是用于晶圓的定位指示，然而，这个顶部的缺口通常在制程中会引起叠对
(overlay)的问题。所以较为普遍的是采用只在晶圆的底部设置一个缺口 ，同 时完成晶圓的定位，并在^r测的过程中用作对准标志。
在集成电路的制程中，出现的问题很多时候不是晶圆出现的问题，而是制 程本身出现的问题。 一个集成电路的制程中包括很多子制程，当晶圆生产完毕 后，对晶圓检测发现晶圓上有一些芯片参数失效，实际操作时就很难判断究竟 是哪个子制程出现问题导致晶圓上芯片参数失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆，及利用该设计的晶圆有效识别错误制程 的方法。
本发明提供一种晶圆，其边缘设有第一缺口，其中，在晶圓的边缘至少还 设有第二缺口，第二缺口与第一缺口的位置相差卯度。
所述第 一缺口的形状与第二缺口的形状不 一样。
所述第一缺口的开口高度与第二缺口的开口高度相等。
本发明还提供一种利用晶圓识别错误制程的方法，晶圆上设有至少两个缺 口，至少两个所述的晶圓通过该制程，该方法包括如下步骤
第 一 片晶圓通过该晶圓上的第 一缺口定位，通过该制程；
将第二片晶圆旋转90度，通过该晶圓上的第二缺口定位，通过该制程； 通过第 一缺口定位检测第 一片晶圆上的芯片参数； 通过第二缺口定位检测第二片晶圆上的芯片参数； 对比两个晶圆上芯片参数的失效模式来判断该制程是否出现错误。 与现有技术相比，本发明通过在晶圓上添设一第二缺口 ，可以在任一选定 的制程通过旋转晶圓摆放的方向，达到识别该制程是否是导致晶圓上的芯片参 数失效模式的原因。这种方法可以有效识别错误制程，而且简化了芯片参数失 效出现原因的过程。
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的 目的、具体结构特征和优点。其中，附图为 图1为现有技术中晶圓的示意图； 图2为本发明晶圓的示意图； 图3为图2晶圓中的缺口 ll和缺口 12的示意图。
具体实施例方式
如图2所示，为本发明晶圓1的示意图。本发明的晶圓1在其底部设有与 圆心垂直的边缘设有一个V形的缺口 11，这个缺口 11用于晶圆的定位和对准。 在晶圓的右侧与圓心垂直的边缘还设有 一 个缺口 12。
请参阅图3，缺口 ll和缺口 12的角度e相同，而且开口高度d也相等。设 置相同的开口角度e和高度d是为了缺口 12可以与缺口 11 一样定位及对准。 但是，缺口 12的底部与缺口 11的底部的形状不同以便区分。
本发明的晶圓1可以用于判断哪个子制程出现问题从而导致晶圆1上的失 效模式。首先以两个晶圆， 一个子制程的生产为例说明如何检测晶圓上坏片是 哪个制程出现了问题。
在子制程中第一片晶圓1可以按照图2所示的方向进入设备生产，缺口 11 位于晶圓1的底部，而第二片同样的晶圆1生产时，将该晶圆1顺时针旋转卯
度，即缺口 2位于晶圓1的底部，再进入设备生产。最后检测时，如果两片晶 圓1的芯片参数的失效模式相对于各自缺口都一样，则证明该子制程出现问题， 而不用挨个^f全测其它子制程。
实际生产中，若干晶圓1同时生产，操作者可以根据实际需要选定几个有 可能出现问题的子制程，在选定的子制程中，可以将至少一个晶圓l旋转90度， 当生产完成后，直接对比旋转前晶圓1和旋转后晶圆1上芯片参数失效模式分
别相对于缺口 11和缺口 12的位置。
如果旋转前晶圓1上芯片参数相对于第一缺口 11的失效;漢式和旋转后晶圓
1上芯片参数相对于第二缺口 12的失效模式一样，则证明该选定制程出现错误。 如果旋转前晶圓1上芯片参数相对于第一缺口 11的失效模式和旋转后晶圆 1上芯片参数相对于第二缺口 12的失效模式不一样，则证明晶圓上的坏片与该 选定制程无关。
权利要求
1、一种晶圆，其边缘设有第一缺口，其特征在于在晶圆的边缘至少还设有第二缺口，第二缺口与第一缺口的位置相差90度。
2、 如权利要求1所述的一种晶圆，其特征在于所述第一缺口的形状与第二缺 口的形状不一样。
3、 如权利要求1所述的一种晶圓，其特征在于所述第一缺口的开口高度与第 二缺口的开口高度相等。
4、 如权利要求1所述的一种晶圓，其特征在于所述第一缺口的开口角度与第 二缺口开口角度相等。
5、 一种利用晶圓识别一睹误制程的方法，晶圓上设有至少两个缺口，至少两个所 述的晶圓通过该制程，其特征在于该方法包括如下步骤第 一片晶圓通过该晶圓上的第 一缺口定位，通过该制程；将第二片晶圓旋转90度，通过该晶圓上的第二缺口定位，通过该制程；通过第 一缺口定位检测第 一片晶圆上的芯片参数；通过第二缺口定位检测第二片晶圓上的芯片参数；对比两个晶圓上芯片参数的失效模式来判断该制程是否出现错误。
6、 如权利要求5所述的一种利用晶圆识别错误制程的方法，其特征在于如果 第 一 个晶圆上芯片参数相对于第 一缺口的失效模式和第二个晶圆上芯片参数相 对于第二缺口的失效模式一样，则证明该制程出现错误。
7、 如权利要求5所述的一种利用晶圆识别错误制程的方法，其特征在于如果 第一个晶圓上芯片参数相对于第 一缺口的失效模式和第二个晶圆上芯片参数相 对于第二缺口的失效模式不 一 样，则证明晶圆上的坏片与该制程无关。
全文摘要
本发明提供一种晶圆，其边缘设有第一缺口，其中，在晶圆的边缘至少还设有第二缺口，第二缺口与第一缺口的位置相差90度，形状不同，且开口高度相等。本发明还提供一种利用晶圆识别错误制程的方法，晶圆上设有至少两个缺口，至少两个晶圆通过该制程，该方法包括如下步骤第一片晶圆通过该晶圆上的第一缺口定位，通过该制程；将第二片晶圆旋转90度，通过该晶圆上的第二缺口定位，通过该制程；通过第一缺口定位检测第一片晶圆上的芯片参数；通过第二缺口定位检测第二片晶圆上的芯片参数；对比两个晶圆上芯片参数的失效模式来判断该制程是否出现错误。与现有技术相比，本发明可以有效识别错误制程，而且简化了判断坏片出现原因的过程。
文档编号H01L23/544GK101174610SQ20061011798
公开日2008年5月7日 申请日期2006年11月3日 优先权日2006年11月3日
发明者简维廷, 强 郭 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司