专利名称：提高太阳能电池产能制程装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种提高太阳能电池产能制程装置，尤指一种设有 多数个不同功效的真空腔体，同时对多数组待加工物进行不同加工处理， 进而提升产能、縮短加工时间、减少成本，进而达到一种提高太阳能电 池产能制程装置的目的。
背景技术：
随着光电与半导体等产业的发展，在基板上进行等离子处理以成长 薄膜的制程方式已逐渐获得广泛的应用，因此，以等离子辅助化学气相
沉积法(PECVD)，在大面积基板上进行薄膜成长，已是光电与半导体工业 中的重要技术之一，而PECVD制程乃是通过等离子辅助，利用化学反应 方式，将通入的气体反应成固体，而沉积在被镀物(玻璃)上，但要做得 好，则需要特别注意以下几点反应器设计、气流分布、真空度、加热 温度、均匀性及等离子密度控制……等；
请参阅图l所示，是现今市面上常见的批次式PECVD加工装置，其 包含 一真空腔体l，该真空腔体l入口处设有闸门11，且该真空腔体l 设有加热器12、高压电极13及气体供应装置14;多数个分子涡流帮浦 15，该分子涡流帮浦15与真空腔体1相接；多数个干式帮浦16，该干式 帮浦16与真空腔体1相接； 一电极承盘17，该电极承盘17内可供待镀 物放置；
但，上述现有的"批次式PECVD加工装置"其虽可通过分子涡流帮 浦15与干式帮浦16，对真空腔体l进行抽气而达真空状态，再由加热器 12加热，另由气体供应装置14提供制程时所需的气体，再由高压电极 13提供解离该气体所需的电场，达成PECVD制程；
然，该"批次式PECVD加工装置"同一时间仅能对一电极承盘17内
所放置的待镀物进行PECVD加工处理，且整各PECVD加工处里时间通常 为4 6.5个小时，故在这段时间里此台"批次式PECVD加工装置"，不 能再对其它待镀物进行加工，因此，使用者如需再有更大的产能，则需 另行购置一台相同的"批次式PECVD加工装置"以供其它待镀物加工使 用，如因而往往造成制程成本的提升、产能不佳，且每次处理完一批待 镀物后，要进行下一批的处里时，该"批次式PECVD加工装置"则需再 次进行完整的抽气动作以维持在真空状态，也因而更加长制程时间；
因此，如何将上述等缺失加以摒除，并提供一种可连续式的对待加 工物进行加工，即是指同时对多数组待加工物进行不同加工处理，进而 提升产能、縮短加工时间、减少成本，进而达到一种提高太阳能电池产 能制程装置的目的，即为本案创作人所欲解决的技术困难点的所在。
实用新型内容
本实用新型的主要目的即在提供一种提高太阳能电池产能制程装 置，其包含
一真空加热腔体，该真空加热腔体设有加热器、分子涡流帮浦及干 式帮浦，又该真空加热腔体入口处设有可开闭的第一真空封合闸门；
一真空等离子辅助化学气相沉积(PECVD)制程腔体，该真空等离子辅
助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、分子涡流帮浦 及干式帮浦，又该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体与真空加热腔 体间设有可开闭的第二真空封合闹门；
一真空冷却腔体，该真空冷却腔体设有冷却装置、分子涡流帮浦及 干式帮浦，且该真空冷却腔体与真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体 间设有可开闭的第三真空封合闸门，又该真空冷却腔体出口处亦设有可 开闭的第四真空封合闸门；
本实用新型的有益效果是，通过本实用新型的不同腔体作不同加工， 可同时对多数组待加工物进行不同加工处理，进而提升产能、縮短加工 时间、减少成本，进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的。
图1是为 一般现有的批次式PECVD加工装置;
图2是为本实用新型结构示意图； 图3是为本实用新型启动时动作示意图 图4是为本实用新型第一步动作示意图 图5是为本实用新型第二步动作示意图 图6是为本实用新型第三步动作示意图； 图7是为本实用新型第四步动作示意图 图8是为本实用新型第五步动作示意图 图9是为本实用新型第六步动作示意图，
17 21 2主要组件符号说明
1…真空腔体
12…加热器 13-14…气体供应装置 16…干式帮浦 2…真空加热腔体 22…分子涡流帮浦 3…真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体 31…气体供应装置 32* 33…分子涡流帮浦 34-4…真空冷却腔体 41-42…分子涡流帮浦 43-51…第一真空封合闸门 52-53…第三真空封合闸门 54-61…第一承盘 62-63…第三承盘 64'
11…闸门 *高压电极 15…分子涡流帮浦 电极承盘 加热器 干式帮浦
>高频电极
-干式帮浦
-冷却装置
-干式帮浦
-第二真空封合闸门
*第四真空封合闸门
-第二承盘
*第四承盘
具体实施方式
为方便简捷了解本实用新型的其它特征内容与优点及其所达成的功
效能够更为显现，兹将本实用新型配合附图，详细说明如下
请参阅图2所示，本实用新型提供一种提高太阳能电池产能制程装 置，其包含
一真空加热腔体2，该真空加热腔体2设有加热器21、至少一个以上 的分子涡流帮浦22及至少一个以上的干式帮浦23，又该真空加热腔体2入 口处设有可开闭的第一真空封合闸门51，而该真空加热腔体2出口处设有 可开闭的第二真空封合闸门52;
一真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3，该真空等离子辅助化学 气相沉积制程腔体3设有气体供应装置31、高频电极32、至少一个以上的 分子涡流帮浦33及至少一个以上的干式帮浦34，又该真空等离子辅助化 学气相沉积制程腔体3与真空加热腔体2间是设有可开闭的第二真空封合 闸门52，而该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3出口处则设有第三 真空封合闸门53;
一真空冷却腔体4，该真空冷却腔体4设有冷却装置41、至少一个以 上的分子涡流帮浦42及至少一个以上的干式帮浦43，且该真空冷却腔体4 与真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3间设有可开闭的第三真空封 合闸门53，而该真空冷却腔体4出口处亦设有可开闭的第四真空封合闸门 54;
请参阅图3所示，当本实用新型启动后，先行开启第二真空封合闸门 52与第三真空封合闸门53，而第一真空封合闸门51与第四真空封合闸门 54关闭，同时启动个真空腔体所接设的干式帮浦23、 34、 43进行粗抽， 待腔体压力达e-2torr，则转为启动分子涡流帮浦22、 33、 42进行高真空 抽气达e-6torr时，即可准备投料生产；
请参阅图4所示，先行将第二真空封合闸门52与第三真空封合闸门53 关闭，并将真空加热腔体2泄气后，开启第一真空封合闸门51，将第一承 盘61送入真空加热腔体2后，关闭第一真空封合闸门51，随即进行抽气使 真空度达4. 6e-5torr，并启动加热器21加热使温度为230度以上，时间约 为两小时；
请参阅图5所示，当真空加热腔体2达设定的真空度与温度后，即可 开启第二真空封合闸门52，将第一承盘61移至真空等离子辅助化学气相
沉积制程腔体3，当第一承盘61完全移至真空等离子辅助化学气相沉积制
程腔体3时，该第二真空封合闸门52随即关闭，此时，该第一承盘61通过 该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3所设的气体供应装置31提供 PECVD制程时所需的气体，再由高频电极32提供该气体解离时所需的电 场，将该气体反应成固体，且沉积于第一组电极承盘内所放置的待加工 物，完成PECVD制程，该制程时间约2.5小时，且当该第一承盘61于该真 空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3内进行PECVD制程时，该真空加热 腔体2亦同时进行泄气，并开启第一真空封合闸门51，以准备将第二承盘 62载入；
请参阅图6所示，当第二承盘62完全加载真空加热腔体2后，关闭第 一真空封合闸门51，且该真空加热腔体2开始进行抽气与加热，当第一承 盘61于真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3内完成PECVD制程后，则 开启第三真空封合闸门53，准备将该第一承盘61移载至真空冷却腔体4以 进行冷却，同时第二承盘62的真空度与温度也达设定值，待第一承盘61 完全移载至真空冷却腔体4后，关闭第三真空封合闸门53，并通过真空冷 却腔体4内的冷却装置41对第一承盘61进行1.5小时的冷却，同时开启第 二真空封合闸门52，以准备将第二承盘62移载至真空等离子辅助化学气 相沉积制程腔体3;
请参阅图7所示，待第二承盘62完全移载至真空等离子辅助化学气相 沉积制程腔体3后，随即关闭第二真空封合闸门52，而该第二承盘62则在 真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体内进行PECVD处理，而该真空加热 腔体2则进行泄气，并准备开启第一真空封合闸门51，以准备将第三承盘 6塌入；
请参阅图8所示，当第三承盘63进入真空加热腔体2后， 一样随即关 闭第一真空封合闸门51，同样地亦进行抽气与加热，此时，第一承盘61 在真空冷却腔体4内进行冷却，第二承盘62于真空等离子辅助化学气相沉 积制程腔体3内进行PECVD制程，第三承盘63则于真空加热腔体2内进行抽 气与加热，当第一承盘61于真空冷却腔体4内冷却完成后，即可开始泄气， 然后开启第四真空封合闸门54，准备将第一承盘61载出；
请参阅图9所示，当第一承盘61载出后，随即关闭第四真空封合闸门
54，且该真空冷却腔体4重新进行抽气，时间约40分钟，使真空冷却腔体 4的压力达8.5e-6torr，此时，第二承盘62的PEVCD制程也刚好完成，因 此，开启第三真空封合闸门53，将第二承盘62移载至真空冷却腔体4，准 备进行冷却，而当第二承盘62完全移载至真空冷却腔体4后，随即关闭第 三真空封合闸门53，并开启第二真空封合闸门52，并将第三承盘63移载 至真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3，当第三承盘63完全移载至真 空等离子辅助化学气相沉积制程腔体3后，随即关闭第二真空封合闸门52 后，该真空加热腔体2则进行泄气后，并开启第一真空封合闸门51，以准 备将第四承盘64载入，待第四承盘64加载后，则关闭第一真空封合闸门 51，如此反复动作；
可同时且连续性的对多数组待加工物进行不同加工处理，进而提升 产能、縮短加工时间、减少成本，且本实用新型中间的真空等离子辅助 化学气相沉积制程腔体3，从启动后一直保持于高真空状态，未与大气接 触，因此，在制程上较为稳定，故产品良品率也得到提升，进而达到一 种提高太阳能电池产能制程装置的目的。
为使本实用新型更加显现出其进步性与实用性，兹与现有作一比较 分析如下
现有技术
1、 加工时间长。
2、 产能低。
3、 成本高。
4、 良品率较差。
本实用新型优点
1、 加工时间短。
2、 产能高。
3、 成本低。
4、 良品率佳。
综上所述，本实用新型在突破先前的技术结构下，确实己达到所欲 增进的功效，且也非熟悉该项技艺者所易于思及，再者，本实用新型申
请前未曾公开，其所具的进步性、实用性，显已符合新型专利的申请要 件，依法提出申请。
权利要求1、一种提高太阳能电池产能制程装置，其特征在于包含一真空加热腔体，该真空加热腔体设有加热器、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，又该真空加热腔体入口处设有可开闭的第一真空封合闸门，而该真空加热腔体出口处设有可开闭的第二真空封合闸门；一真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体，该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，又该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体与真空加热腔体间设有可开闭的第二真空封合闸门，而该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体出口处设有可开闭的第三真空封合闸门；一真空冷却腔体，该真空冷却腔体设有冷却装置、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，且该真空冷却腔体与真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体间设有可开闭的第三真空封合闸门，而该真空冷却腔体出口处亦设有可开闭的第四真空封合闸门。
2、 如权利要求1所述的提高太阳能电池产能制程装置，其特征在于，该真空加热腔体真空度为4. 6e-5torr、温度为230度以上、时间为两小时。
3、 如权利要求1所述的提高太阳能电池产能制程装置，其特征在于，该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体制程时间为2. 5小时。
4,如权利要求1所述的提高太阳能电池产能制程装置，其特征在于，该真空冷却腔体冷却时间为1. 5小时。
专利摘要本实用新型一种提高太阳能电池产能制程装置，其包含一真空加热腔体，该真空加热腔体设有加热器、分子涡流帮浦及干式帮浦；一真空等离子辅助化学气相沉积(PECVD)制程腔体，该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、分子涡流帮浦及干式帮浦；一真空冷却腔体，该真空冷却腔体设有冷却装置、分子涡流帮浦及干式帮浦；提供本实用新型的不同腔体作不同加工，可同时对多数组待加工物进行不同加工处理，进而提升产能、缩短加工时间、减少成本，进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的。
文档编号H01L31/18GK201069777SQ20072016929
公开日2008年6月4日 申请日期2007年7月10日 优先权日2007年7月10日
发明者曾子峻, 林煌琦 申请人:仕贯真空科技股份有限公司