专利名称：Led和led封装的制作方法
技术领域：
本公开涉及发光器件(LED)及其封装。
背景技术：
发光器件(LED)是将电流转换成光的半导体器件。在红光LED商品化之后，红光 LED和绿光LED被用作包括信息通讯器件的电子器件的光源。
例如，如氮化镓(GaN)半导体的氮化物半导体具有高的热稳定性和宽带隙。GaN半导体可以与其他元素(例如，化和々1)结合以制造发绿光、蓝光或白光的半导体层，并且其发射的波长容易控制。由此，在包括LED的高功率电子器件技术领域，GaN半导体吸引了广泛的关注。
近年来，正在开发高清晰显示器应用，以用高功率LED阵列来代替液晶显示器 (IXD)的灯泡型背光单元(BLU)。
为了使用这种高功率LED，必须满足如高亮度、低功耗和有效散热的一般要求。因此，许多制造商通过积累技术基础加速市场的优先占领。
随着高功率LED市场的发展，针对散热的有效设计技术，开发了如芯片、封装和模块的各个阶段的技术。
发明内容
技术问题 实施例提供了能够增加外部载流子进入器件的均勻电流扩展效应的发光器件 (LED)及其封装。
实施例还提供了能够实现一个引线结合封装的LED及其封装。
实施例还提供了能够通过宽面积散热的LED及其封装。
实施例还提供了能够通过用于大面积芯片的隔离结构提高热特性和电流扩展的 LED及其封装。
技术方案 在一个实施例中，LED包括在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；覆盖第二导电类型半导体层和有源层的边缘的第一电介质层；和覆盖第一导电类型半导体层的边缘的第一电极层。
在另一个实施例中，LED包括包含在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的发光结构；在通过去除部分有源层和第二导电类型半导体层而暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极；覆盖有源层和第一导电类型半导体层的边缘的第三电介质层；和在第二导电类型半导体层上的第二电极层。
在一个实施例中，LED封装包括在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；覆盖第二导电类型半导体层和有源层的边缘的第一电介质层；和覆盖第一导电类型半导体层的边缘的第一电极层。
在另一个实施例中，LED封装包括包含在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的发光结构；在通过去除部分有源层和第二导电类型半导体层而暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极；覆盖有源层和第一导电类型半导体层的边缘的第三电介质层；和在第二导电类型半导体层上的第二电极层。
有益效果 根据芯片驱动的电流可以流过该接触界面。因此，与通过相关技术的两个引线结合的电流注入相比，本实施例可以降低工作电压，并且能够散发由内部芯片发热造成的不需要的热。
也就是说，根据本实施例，通过芯片边缘上的电极的电流能够非常好的地扩展，由此能够降低工作电压并且无引线结合附接。因此，能够提供一个引线结合封装。
在大面积结构的情况下，本实施例可以通过芯片隔离结构增加电流扩展效应，由此能够通过大面积散热。
而且，通过用焊接而接触封装和芯片底部，本实施例提高了散热，由此使得能够通过大面积芯片的小面积隔离结构提高电流扩展和热特性。
图1和2分别是根据实施例1的发光器件(LED)的截面图和平面图。
图3根据实施例1的LED封装的截面图。
图4至7是示出制造根据实施例1的LED的工艺的截面图。
图8和9分别是根据实施例2的LED的截面图和平面图。
图10是根据实施例2的LED封装的截面图。
图11至13是示出制造根据实施例2的LED封装的工艺的截面图。
图14和15分别是根据实施例3的LED的截面图和平面图。
图16是根据实施例3的LED封装的截面图。
图17至20是示出制造根据实施例3的LED的工艺的截面图。
图21和22分别是根据实施例4的LED的截面图和平面图。
图23是根据实施例4的LED封装的截面图。
图M至27是示出制造根据实施例4的LED的工艺的截面图。
具体实施例方式参考附图，将详细描述根据实施例的发光器件(LED)及其封装。
在实施例的描述中，应该明白当层(或膜)被称为在另一层或衬底的“上面/上方”时，其可以直接在另一层或衬底的上面/上方，或者还可以存在插入层。此外，应该明白当层被称为在另一层的“下面/下方”时，其可以直接在另一层的下面/下方，并且还可以存在一个或多个插入层。另外，还应该明白，当层被称为在两层“之间”时，其可以是这两层之间仅有的层，或者还可以存在一个或多个插入层。
实施例1 图1和2分别是根据实施例1的发光器件(LED)的截面图和平面图。图1是沿着图2的线I-I'获取的垂直截面图。
参考图1和2，根据实施例1的LED可以包括形成在衬底110上的第一导电类型半导体层130、有源层140和第二导电类型半导体层150 ；覆盖第二导电类型半导体层150 和有源层140的边缘的第一电介质层171 ；和覆盖第一导电类型半导体层130的边缘的第一电极层135。
虽然示出了第一电极层135也形成在第一电介质层171上，但是本实施并不限于此。也就是说，第一电极层135可以不形成在第一电介质层171上。
而且，虽然示出了第一电极层135不仅形成在第一导电类型半导体层130上，而且还形成在衬底Iio和缓冲层120上，但是本实施例并不限于此。也就是说，第一电极层135 可以仅形成在第一导电类型半导体层130上。
如果第一电极层135不仅形成在第一导电类型半导体层130上，而且形成在衬底 110和缓冲层120上，则增加有效接触面积以提高电流扩展和热特性。
图1和2示出了形成η型电极的方法。有源层140和第二导电类型半导体层150 的边缘被部分地蚀刻，并通过第一电介质层171钝化。其后，通过第一导电类型半导体层 130上的第一电极层135形成N型电极，由此使电流均勻注入外延层。
例如，如果在平面图中未蚀刻的LED芯片是500 ymX500ym的正方形芯片，那么正方形的从每个边到大约25至50 μ m点的区域可以认为是要被去除的边缘，对此本发明没有限制。
本实施例在侧面型结构中的暴露的外延层的边缘上形成了两个电极中的一个，由此使得能够通过LED芯片的外电极增加电流扩展效应。而且，本实施例通过芯片隔离结构可以增加电流扩展效应，由此使得能够通过宽面积散热。
如图1和2所示，根据实施例1的LED具有在边缘上形成第一电极层135以实现 N型电极的结构。
本实施例1，通过蚀刻工艺暴露边缘的第一导电类型半导体层130 ；通过第一电介质层171(例如，钝化层)将其隔离；在其上沉积第一电极层135 ；以及对具有良好导热性的封装进行整体或局部焊接。例如，该封装可以是金属基封装，对此本实施例没有限制。
在图1中示意性示出了电流流动。电流从上面的P型电极155流向形成在边缘上的第一电极层135的η型电极，由此使得能够实现均勻的电流扩展效应。
本实施例1克服了局部发光的问题，由此降低了由相应的电压和电流造成的不必要的功耗。
本实施例1在边缘上形成η型电极来制造LED芯片，由此通过焊接使底部/侧边与具有良好导热性的封装接触。为此，第一电极层135( S卩，边缘上的η型电极)可以包括用来将产生的光提取到外部的高反射金属层，对此本实施例没有限制。
图3是根据实施例1的LED封装的截面图，其示出了用于图1的LED芯片结构的封装的最终截面结构。
除了在芯片顶部上的诸如透明树脂沈0的光提取单元之外，第一电极层135和封装金属体210通过焊料220彼此接触，以形成η型电极。
根据芯片驱动的电流可以流过该接触界面。因此，与通过相关技术的两个引线结合的电流注入相比，本实施例可以降低工作电压，并且能够散发由内部芯片发热造成的不需要的热。
也就是说，根据本实施例，通过芯片边缘上的电极的电流可以非常好地扩展，由此能够使工作电压降低和无引线结合附接。由此，能够提供一个引线结合封装。
而且，因为在高功率应用显示器中，热的改善对于封装寿命来说是非常重要的，所以能够增加可靠性。具体地，因为在侧面型结构中使用的底部衬底的导热性相对非常低，所以将产生的热散发到外部是很重要的。
在大面积结构的情况下，本实施例可以通过芯片隔离结构增加电流扩展效应，由此使得能够通过大面积散热。
而且，本实施例通过用焊接接触封装和芯片底部提高散热，由此使得能够通过大面积芯片的小面积隔离结构提高电流扩展和热特性。
本实施例通过电介质230使上面的ρ型焊盘250和封装表面电隔离，并进行引线结合255，使得金属封装形成一个电极并且上面的ρ型焊盘250形成另一个电极。
图4至7是示出制造根据实施例1的LED的工艺的截面图。
参考图4，制备衬底110。衬底110可以是蓝宝石(Al2O3)单晶衬底，对此本实施例没有限制。可以进行湿法清洗工艺以去除衬底110的表面的杂质。可以在衬底110上形成缓冲层120。
在缓冲层120上形成第一导电类型半导体层130。例如，可以使用化学气相沉积 (CVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、溅射工艺或氢化物气相外延(HVPE)工艺来形成第一导电类型半导体层130。而且，通过向工艺腔室中注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气 (N2)或包含如硅(Si)的η型杂质的硅烷气体(SiH4),可以形成第一导电类型半导体层130。
在第一导电类型半导体层130上形成有源层140。当通过第一导电类型半导体层 130注入的电子与通过第二导电类型半导体层150注入的空穴复合时，有源层140发出由有源层材料的特定能带决定的能量的光。
有源层140可以具有通过一次或几次交替地层压具有不同能带的氮化物半导体层而形成的单一或多量子阱结构。例如，有源层140可以具有hGaN/GaN结构的多量子阱结构，该结构是通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)或三甲基铟气体(TMh) 形成的，对此本实施例没有限制。
在有源层140上形成第二导电类型半导体层150。例如，通过向工艺腔室中注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)、氢气(H2)或包含如镁(Mg)的ρ型杂质的双乙基环戊二烯镁^tCp2Mg) {Mg (C2H5C5H4)2I，可以形成第二导电类型半导体层150，对此本实施例没有限制。
在第二导电类型半导体层150上形成欧姆接触层160。例如，欧姆接触层160可以由 ITO (铟锡氧化物)、IZO (In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、 IGZ0(In-Ga ZnO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0 中的至少一种形成，对此本实施例没有限制。本实施例形成了欧姆接触层，由此使得能够增加导电率和光提取效率。
而且，根据实施例1，通过欧姆接触层160扩展的电流对于在芯片上部中发光的均勻分布起着重要的作用。
参考图5，去除欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的边缘， 以暴露第一导电类型半导体层130。例如，形成第一图案(未示出)，并且使用第一图案作为蚀刻掩模来去除欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的边缘，由此暴露第一导电类型半导体层130。第一图案可以由氮化硅、氧化硅或光致抗蚀剂形成。其后，可以通过湿法蚀刻工艺或灰化工艺去除第一图案。
例如，如果未蚀刻的LED芯片在平面图中是500 ymX500ym的正方形芯片，那么正方形的从每个边到大约25至50 μ m点的区域可以认为是要被去除的边缘，对此本发明没有限制。
参考图6，形成第一电介质层171，以覆盖欧姆接触层160、第二导电类型半导体层 150和有源层140的边缘。例如，可以使用氧化物层或氮化物层以在该暴露的外延层的表面上形成第一电介质层171 (即，钝化层)，以抑制由表面不稳定性造成的泄漏电流。第一电介质层171用来电隔离有源层140、第二导电类型半导体层150和后来要形成的第一电极层 135。
形成第一电极层135，以覆盖第二导电类型半导体层150、有源层140、衬底110和第一导电类型半导体层130的边缘。
虽然图6示出了第一电极层135还形成在第一电介质层171上，但是本实施例并不限于此。也就是说，第一电极层135可以不形成在第一电介质层171上。
而且，示出了第一电极层135不仅形成在第一导电类型半导体层130上，还形成在衬底110和缓冲层120上，但是本实施例不限于此。也就是说，第一电极层135可以仅形成在第一导电类型半导体层130上。
如果第一电极层135不仅形成在第一导电类型半导体层130上，而且形成在衬底 110和缓冲层120上，则增加了有效接触面积以提高电流扩展和热特性。
在本实施例中，第一电极层135可以由能够反射光的金属形成。例如，第一电极层 135可以由能很好地反射由有源层发出的光的金属层形成，该金属层包含铝(Al)、银(Ag) 或者包含Al或Ag的金属合金。
根据本实施例，两个电极中的一个形成在侧面型结构中的暴露的外延层的边缘上，由此使得能够通过LED芯片边缘电极增加扩展效应。
参考图7，在欧姆接触层160上形成第二电极155。
根据本实施例，两个电极中的一个形成在侧面型结构中的外延层的边缘上，由此使得能够通过LED芯片边缘电极增加扩展效应。
而且，本实施例可以通过芯片隔离结构增加电流扩展效应，由此使得能够通过大面积散热。
实施例2 图8和9分别是根据实施例2的LED的截面图和平面图。图10是根据实施例2 的LED封装的截面图。图8是沿着图9中的线II - II'获取的截面图。
实施例2可以使用实施例1的技术特征。在下文中，为了简洁将省略与实施例1 一致的描述。
参考图8和9，实施例2包括将第二导电类型半导体层150、有源层140和第一导电类型半导体层130分成多个区域的第二电介质层172。
如图8和9所示，实施例2通过蚀刻工艺将外延层分成四分的正方形，并将大面积芯片的电流流动分配到四分区域，由此使得能够提高均勻性并抑制局部发热。该外延层还可以分成两个或三个相等的部分。
图11至13是示出制造根据实施例2的LED的工艺的截面图。
参考图11，在衬底110上形成第一导电类型半导体层130、有源层140和第二导电类型半导体层150。这里，可以在衬底110上进一步形成缓冲层120，并且可以在第二导电类型半导体层150上进一步形成欧姆接触层160。
去除欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的边缘，以暴露第一导电类型半导体层130。
而且，实施例2形成了将欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150、有源层140 和第一导电类型半导体层130分成多个区域的第二沟槽T2。
参考图12，形成第一电介质层171，以覆盖欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的边缘以及暴露的第一导电类型半导体层130。而且，形成第二电介质层172，以填充第二沟槽T2。这里，在形成覆盖欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150 和有源层140的边缘以及暴露的第一导电类型半导体层130的电介质层(未示出)之后， 去除欧姆接触层160上的电介质层，由此同时形成第一电介质层171和第二电介质层172。
实施例2通过蚀刻工艺将外延层分成四分的正方形，并将大面积芯片的电流流动分配到四分区域，由此使得能够提高均勻性并抑制局部发热。该外延层还可以分成两个或三个相等的部分。
可以形成第一电极层135，以覆盖具有第一电介质层171的欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150、有源层140、衬底110和第一导电类型半导体层130。
第一电极层135可以仅形成在第一导电类型半导体层130上。
可以在分开的第二导电类型半导体层150或欧姆接触层160上形成共用第二电极 15fe。例如，可以形成共用第二电极15 以接触所有分开的第二导电类型半导体层150或分开的欧姆接触层160。
这里，第一电极层135和共用第二电极15 可以由相同的材料同时形成。例如， 形成金属层以覆盖LED芯片，并去除该金属层，以留下共用第二电极15 上的金属层并暴露出第一电介质层171，由此同时形成了第一电介质层135和共用第二电极15fe。
实施例3 图14和15分别是根据实施例3的LED的截面图和平面图。图16是根据实施例 3的LED封装的截面图。图14是沿着图15中的线III-ΙΙΓ获取的截面图。
实施例3可以使用实施例1的技术特征。在下文中，为了简洁将省略与实施例1 一致的描述。
根据实施例3的LED可以包括顺序地形成在衬底110上的第一导电类型半导体层130、有源层140、第二导电类型半导体层150 ；在通过去除有源层140和第二导电类型半导体层150的一部分而暴露的第一导电类型半导体层130的中心上形成的第一电极133 ； 覆盖衬底110、第一导电类型半导体层130、有源层140和第二导电类型半导体层150的边缘的第三电介质层173 ；以及在第二导电类型半导体层150的上部的周围的第二电极层 157。
实施例3实现了要用作边缘处的ρ型电极的第二电极层157。实施例3蚀刻了欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的中心，并在第一导电类型半导体层130的中心区域形成η型电极133。在图16中，将η型电极133引线结合到N型焊盘235。
图17至20是示出制造根据实施例3的LED的工艺的截面图。
参考图17，在衬底110上形成缓冲层120、第一导电类型半导体层130、有源层 140、第二导电类型半导体层150和欧姆接触层160。
形成第三电介质层173，以覆盖衬底110、缓冲层120、第一导电类型半导体层130、 有源层140、欧姆接触层160和第二导电类型半导体层150的边缘。例如，使用氧化物层或氮化物层来形成钝化层(即，第三电介质层17 ，由此提供了与后来形成的第二电极层157 的电隔离。
参考图18，在第二导电类型半导体层150的上部的周围形成第二电极层157。这里，可以形成第二电极层157，以覆盖第三电介质层173。像第一电极层135 —样，第二电极层157可以由能够反射光的金属形成，对此本实施例没有限制。
参考图19，利用第一图案310作为掩模，去除欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的中心部分，以暴露第一导电类型半导体层130。例如，可以形成第一沟槽Tl，以去除欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的中心部分， 以暴露出第一导电类型半导体层130。第一图案310可以是光致抗蚀剂、氧化物层或氮化物层。
参考图20，第一电极133可以形成在暴露的第一导电类型半导体层130上。例如， 通过利用未去除的第一图案310填充第一沟槽Tl并通过灰化工艺或蚀刻工艺去除第一图案310，可以在第一导电类型半导体层130上形成第一电极133。
实施例4 图21和22分别是根据实施例4的LED的截面图和平面图。图23是根据实施例 4的LED封装的截面图。图21是沿着图22中的线IV-IV'获取的截面图。
实施例4可以使用实施例1至3的技术特征。在下文中，为了简洁将省略与实施例1至3—致的描述。
参考图21和22，实施例4包括将欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150、有源层140和第一导电类型半导体层130分成多个区域的第四电介质层174。
如图21和22所示，实施例4通过蚀刻工艺将外延层分成四分的正方形，并将大面积芯片的电流流动分配到四分区域，由此使得能够提高均勻性并抑制局部发热。该外延层还可以分成两个或三个相等的部分。
图M至27是示出制造根据实施例4的LED的工艺的截面图。
参考图M，在衬底110上顺序地形成缓冲层120、第一导电类型半导体层130、有源层140、第二导电类型半导体层150和欧姆接触层160。
第二图案320用作掩模来形成第二沟槽T2，该第二沟槽T2将欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150、有源层140、第一导电类型半导体层130和缓冲层120分成多个区域。第二图案320可以是光致抗蚀剂或电介质。
参考图25，去除第二图案320，并使用第三图案330作为掩模，去除欧姆接触层 160、第二导电类型半导体层150和有源层140的中心部分，以暴露第一导电类型半导体层 130。例如，可以形成第一沟槽Tl，以去除欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150和有源层140的中心部分。
参考图26，可以通过灰化工艺或蚀刻工艺去除第三图案330，可以形成第四电介质层174以填充第二沟槽T2，并且可以形成第三电介质层173以覆盖欧姆接触层160、第二导电类型半导体层150、有源层140、第一导电类型半导体层130、缓冲层120和衬底110的边缘。例如，在没有第三图案330的芯片上形成电介质层(未示出)，并去除欧姆接触层160 和第一沟槽Tl上的电介质层，以同时形成第四电介质层174和第三电介质层173，对此本实施例没有限制。
参考图27，可以形成第二电极层157以覆盖具有第三电介质层173的欧姆接触层 160、第二导电类型半导体层150、有源层140、衬底110和第一导电类型半导体层130的边缘。
而且，可以在暴露的第一导电类型半导体层130和第四电介质层174上形成共用第一电极133a。共用第一电极133a可以形成为与所有分开的第一导电类型半导体层130 接触。
第二电极层157和共用第一电极133a可以同时形成。例如，在图沈的状态下，形成金属层(未示出)以覆盖LED芯片；去除在第一沟槽Tl上的一部分金属，以通过留下金属层仅与第一导电类型半导体层130接触，来形成共用第一电极133a ；以及去除欧姆接触层160上的一部分金属层，由此同时形成了第二电极层157和共用第一电极133a。
实施例4通过蚀刻工艺将外延层分成四分的正方形，并将大面积芯片的电流流动分配到四分区域，由此使得能够提高均勻性并抑制局部发热。该外延层还可以分成两个或三个相等的部分。
工业应用 根据芯片驱动的电流可以流过该接触界面。因此，与通过相关技术的两个引线结合的电流注入相比，本实施例可以降低工作电压，并且能够散发由内部芯片发热造成的不需要的热。
也就是说，根据本实施例，通过芯片边缘上的电极的电流能够非常好地扩展，由此能够降低工作电压和无引线结合的附接。因此，能够提供一个引线结合封装。
在大面积结构的情况下，本实施例可以通过芯片隔离结构增强电流扩展效应，由此使得能够通过大面积散热。
而且，通过用焊接接触封装和芯片底部，本实施例提高了散热，由此使得能够通过大面积芯片的小面积隔离结构提高电流扩展和热特性。如上所述，当发光器件的结构包括封装时，发光器件可以获得高提取效率，而与封装结构无关。
虽然参考若干个示例性实施例已经描述了实施例，但是应该明白本领域的技术人员可以设计出许多其它修改和实施例，这些都将落入本公开原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附权利要求书的范围内，组成部件和/或主题组合布置的布置都可以进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，替换使用对于本领域的技术人员来说也是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件(LED)，包括:在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层； 覆盖所述第二导电类型半导体层和所述有源层的边缘的第一电介质层；以及覆盖所述第一导电类型半导体层的边缘的第一电极层。
2.根据权利要求1所述的LED，其中所述第一电极层延伸到所述第一电介质层和所述衬底中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的LED，其中所述第一电极层仅在所述第一导电类型半导体层上。
4.根据权利要求1所述的LED，包括第二电介质层，该第二电介质层将所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层分成多个区域。
5.根据权利要求4所述的LED，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层由相同的材料形成。
6.根据权利要求4所述的LED，包括共用第二电极，该共用第二电极在分开的第二导电类型半导体层上。
7.根据权利要求6所述的LED，其中所述共用第二电极和所述第一电极层由相同的材料形成。
8.根据权利要求6所述的LED，其中所述共用第二电极接触所有分开的第二导电类型半导体层。
9.根据权利要求1所述的LED，其中所述第一电极层包括反射金属层。
10.根据权利要求1所述的LED，包括欧姆接触层，该欧姆接触层在所述第二导电类型半导体层上。
11.一种发光器件(LED)，包括:发光结构，该发光结构包含在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一电极，该第一电极在通过去除所述有源层和所述第二导电类型半导体层的部分而暴露的所述第一导电类型半导体层上；第三电介质层，该第三电介质层覆盖所述有源层和所述第一导电类型半导体层的边缘；以及第二电极层，该第二电极层在所述第二导电类型半导体层上。
12.根据权利要求11所述的LED，其中所述第二电极层覆盖所述第三电介质层的一部分。
13.根据权利要求11所述的LED，包括第四电介质层，该第四电介质层将所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层分成多个区域。
14.根据权利要求13所述的LED，其中所述第三电介质层和所述第四电介质层由相同的材料形成。
15.根据权利要求13所述的LED，其中所述第一电极由在分开的第一导电类型半导体层上的共用第一电极形成。
16.一种发光器件(LED)封装，包括在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；覆盖所述第二导电类型半导体层和所述有源层的边缘的第一电介质层；以及覆盖所述第一导电类型半导体层的边缘的第一电极层。
17.根据权利要求16所述的LED封装，其中所述第一电极层延伸到所述第一电介质层和所述衬底中的至少一个。
18.一种发光器件(LED)，包括发光结构，该发光结构包含在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一电极，该第一电极在通过去除所述有源层和所述第二导电类型半导体层的部分而暴露的所述第一导电类型半导体层上；第三电介质层，该第三电介质层覆盖所述有源层和所述第一导电类型半导体层的边缘；以及第二电极层，该第二电极层在所述第二导电类型半导体层上。
19.根据权利要求18所述的LED，其中所述第二电极层覆盖所述第三电介质层的一部分。
20.根据权利要求19所述的LED，包括第四电介质层，该第四电介质层将所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层分成多个区域。
全文摘要
本发明提供一种发光器件(LED)及其封装。该LED包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层、第一电介质层和第一电极层。第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层在衬底上。第一电介质层覆盖第二导电类型半导体层和有源层的边缘。第一电极层覆盖第一导电类型半导体层的边缘。
文档编号H01L33/36GK102187483SQ200980141602
公开日2011年9月14日 申请日期2009年6月5日 优先权日2009年2月19日
发明者崔正铉, 姜正模, 金斗显, 金在煜 申请人:Lg伊诺特有限公司