牺牲组合物、其应用以及分解方法

专利名称：牺牲组合物、其应用以及分解方法
技术领域：
总体而言，本发明涉及牺牲组合物(sacrificial composition)。更具体而言，本 发明涉及牺牲聚合物以及其分解催化剂、其使用方法以及该牺牲聚合物的分解方法。
背景技术：
微电子和微机电系统(MEMS)的范围广泛的应用增加了对温度更低、热可分解的 牺牲材料的需求。这些应用包括在电互连(electricalinterconnects)、MEMS、微流体器件 (microfluidic device)以及微反应器(micro-reactor)中的气隙的制造。气隙的形成在电互连中是重要的，因为它降低基体的有效介电常数。埋气沟 (buried air channel)的制造可用于在多层接线板、高分辨率微显示屏以及喷墨打印头中 生成通道。在MEMS技术中，微气孔的形成可缓解由材料的热胀而造成的应力，并可作为温 度激活的释放材料。以气隙技术(air-gap technology)制造的微流体器件以及微反应器可用于微量 化学合成(miniature-scale chemical syntheses)、医疗诊断以及微量化学分析以及微量 化学传感器。在这些器件中，液体和气体操作于横截面大小为数十至数百微米量级的微通 道中进行。在这种微通道器件中操作能够提供许多优点，包括试剂与被分析物消耗量低、系 统高度紧凑便携、处理时间短、以及具有可用于一次性系统的潜力。尽管微流体器件具有如此之多的潜力，但其目前仅用于有限的应用中，且就其操 作复杂度以及工作能力而言，其通常仍为相当简单的器件。例如，就制造真正的便携式微 量分析系统而言，目前的困难之一在于将电子元件(如传感方法)以及流控元件(fluidic element)简单地集成至同一器件中。最重要的问题是控制该将多种功能集成于同一器件的 能力以及因而控制微流体器件的功能性水平，其中之一是用于制造该构件的方法。微流体器件的应用需要在多种温度下的若干不同材料中形成微埋沟。聚碳酸酯已 被用作通过电子束平版印刷(electron beam lithography)制造纳米流体器件的牺牲材 料。C. K. Hamett 等，J Vac. Sci. Technol. B. ,vol. 19(6) ,p. 2842,2001。同样，已经以聚甲酸 为牺牲层应用热丝(hot-filament)化学气相沉积法制造气隙。L. S. Lee等，Electrochem. and Solid State Lett.，vol. 4，p. G81，2001。此外，高度组织化的树枝状材料、特别是超枝化聚合物已被作为干燥释放(dry-release)牺牲材料用于悬臂梁的制造中。H_J. Suh等，J Microelectromech. Syst.，Vol. 9(2)，pp. 198-205，2000。先前的研究还应用在 250-425°C 下分解的非光敏牺牲聚合物制造气隙。P. A. Kohl等，Electrochemical and Solid State Lett. ,vol. l，p. 49，1998 ；D. Bhusari 等，J Micromech. Microeng. ,vol. 10(3) ,p. 400，2001。图1A-1H为说明先前提出的应用非光敏牺牲材料形成埋气孔的方法100的横截面 视图。图IA所示为基体10，之后如图IB所示在其上通过旋涂设置非光敏牺牲材料12。图 IC所示为设置于牺牲材料12之上的硬掩膜(hard mask) 14。图ID所示为设置于硬掩膜14 之上的经光刻并蚀刻的掩膜部分16，而图IE所示为去除掩膜部分16以及牺牲聚合物材料 12暴露于等离子蚀刻的部分。之后如图IF所示移除硬掩膜14。图IG所示为于牺牲聚合物12以及基体10之上形成罩面层(overcoatlayer) 18。 图IH所示为牺牲材料12的分解以及空气区域(air-region) 20的形成。牺牲聚合物12通 常通过将牺牲聚合物12加热至足够分解该聚合物的温度(例如约300-425°C)而分解。由 于罩面层以及基体必须能够承受分解该牺牲聚合物所需的温度，因此需要高分解温度(如 约300-425°C)的现有牺牲聚合物限制了可应用的罩面层材料以及基体的类型。甚至使用 聚碳酸酯聚合物作为牺牲聚合物也仅能将分解温度降低至约250-280°C。因此，工业中存在一种在此之前未曾提出的解决前述缺点与不足的需要。

发明内容
其中加以简要描述的本发明具体实施方案包括聚合物组合物、其应用方法、以及 其分解方法。其中一种组合物实例包括经受酸催化分解的牺牲聚合物以及催化量的光产酸 源(photoacid generator)0本发明还提供制造构件的方法。其中一种方法的实例包括将组合物设置于表面 之上，该组合物包括聚碳酸酯牺牲聚合物以及光产酸源；将掩膜设置于所述组合物之上，该 掩膜编码限定将于组合物中形成的气隙的轮廓；将该组合物通过掩膜中的缝隙暴露于能量 之下；将部分组合物移除以在组合物中形成气隙，该被移除的部分对应于掩膜中的缝隙。通过研究下文附图以及详细说明，其他组合物、方法、特征以及优点对于本领域技 术人员将变得明白。所有这些额外的组合物、方法、特征以及优点都将包含于本说明书中以 及本发明范围之内，并受所附权利要求书的保护。


通过参考下文附图，可更好地理解本发明的许多方面。附图中的元件并非意欲限 制、强调，而是用于清楚地说明本发明的原理。此外，在附图中，相同的参考编号指定为所有 的若干视图中相应的部分。图1A-1H为说明先前提出的应用非光敏牺牲材料形成埋气隙的方法的横截面视 图。图2A-2F为说明应用经受酸催化分解的聚合物形成埋气隙的典型方法的横截面 视图。图3A-3F为说明应用经受酸催化分解的聚合物形成埋气隙的可供选择的典型方 法的横截面视图。
图4A-4F为说明应用经受负稳定(negative-tone stabilization)以使牺牲材料 更难于分解的聚合物形成埋气孔的可供选择的典型方法的横截面视图。图5说明图2-4方法中所用牺牲聚合物实例的化学结构。图6说明图2-3方法中所用光产酸源实例的化学结构。图7说明图2-3方法中所用的其他光产酸源实例的化学结构。图8为所公开的各种牺牲组合物的热解重量图。图9为由所公开的典型牺牲组合物形成的气隙的平版印刷图的扫描电子显微镜 (SEM)显微图片。图10为由可供选择的牺牲组合物形成的气隙的SEM显微图片。图11为由可供选择的牺牲组合物形成的气隙的SEM纤维图片。图12为所公开的典型牺牲组合物在形成气道的典型方法的不同阶段中的红外 (IR)光谱图。图13为组合物暴露于紫外(UV)辐射后，所公开的典型牺牲组合物的质谱(MS)扫 描图。图14为所公开的典型牺牲组合物未暴露于UV辐射的MS扫描图。图15为典型的牺牲聚合物以及其相关的碎裂产物的选定MS扫描图。图16所示为其他由典型牺牲聚合物组合物降解而产生的典型挥发性化合物的化 学结构图。图17所示为典型牺牲聚合物酸催化分解机制的化学结构图。图18为图17所示的酸催化降解反应过程中生成的醇醛缩合反应产物机制的化学 结构图。
具体实施例方式大体而言，本发明公开聚合物、其应用方法、其所形成构件以及其分解方法。聚合 物的具体实施方式
可用以在电互连、微机电系统(MEMS)、微流体器件以及微反应器中形成 气隙。此外，本发明还公开其中牺牲组合物在比通常所用的更低的温度下分解的方法。所公开牺牲组合物的具体实施方式
包括但不限于牺牲聚合物以及一种或多种正 或负成分。该正成分例如可包括光产酸源。通常，光产酸源可用于使该牺牲聚合物易于移除(如对溶剂更不稳定)。例如，牺 牲组合物(例如牺牲聚合物以及正成分)层的一半被暴露于或为热能形式(如高温)或为 光能形式(如紫外(UV)光、近紫外光、和/或可见光)的能量，而另一半不暴露。然后，将 整个层暴露于溶剂或热，且该溶剂或热将暴露于能量的层溶解。尽管不希望受限于理论，但在暴露于光能时，正光产酸源产生酸。然后，在暴露于 碱或高温时，该牺牲材料相对于未暴露于光能或热能的牺牲材料的溶解增加。结果，可使用 例如掩膜通过去除经暴露的牺牲聚合物而由牺牲聚合物制造三维构件。通常，负组合物可用于使牺牲聚合物更难于移除(例如对通常能够溶解牺牲聚合 物的溶剂或热更稳定)。例如，将牺牲组合物(包括牺牲聚合物以及负光引发剂)层的一半 暴露于光能，而另一半不暴露。然后，将整个层暴露于溶剂或热，且该溶剂或热溶解未暴露 于光能的层。
更具体而言，该暴露的区域包括交联的感光性(photodefinable)聚合物，而未暴 露部分包括未交联的感光性聚合物。该未交联的感光性聚合物可以被溶剂去除，之后留下 交联的感光性聚合物(如感光性三维构件)。尽管不希望受理论所限，但其中的一种负光敏引发剂在暴露于光能时能够产生自 由基，从而引发牺牲聚合物之间的交联反应以形成交联的感光性聚合物。因此，例如掩膜可 用于通过去除未交联的感光性聚合物而由感光性聚合物制造感光性三维构件。大体而言，作为用于制造三维构件的牺牲材料，该牺牲组合物可用于但不限于以 下领域中微电子(如微处理器芯片、通信芯片以及光电芯片)、微流体、传感器、分析器件 (如微量色谱)。其中，随后可通过热解牺牲聚合物而于该三维构件之中形成空气区域(本 文亦可互相替换地称为“气隙”、“气孔”和/或“气道”)。此外，例如，该牺牲聚合物还可用 作绝缘材料。对于应用牺牲组合物制造具有三维结构的空气区域的具体实施方式
而言，该牺牲 组合物的分解应产生足够小而能够透过环绕牺牲组合物的一种或多种材料(如罩面层)的 气体分子。此外，该牺牲组合物优选为缓慢分解，从而不会在于周围材料中形成空气区域的 过程中导致过度的压力升高。此外，该牺牲组合物还适合具有低于周围材料分解或降解温 度的分解温度。该牺牲组合物还的分解温度应高于保护材料沉积或固化温度但低于其中应 用该牺牲组合物的构件中的成分的降解温度。牺牲聚合物可包括化合物例如但不限于聚降冰片烯、聚碳酸酯、其各自官能化的 化合物、聚降冰片烯以及聚降冰片烯碳酸酯的共聚物、以及其组合。聚降冰片烯可包括但不 限于烯基取代的降冰片烯(如环丙烯酸酯降冰片烯)。聚碳酸酯包括但不限于聚碳酸亚丙 基酯(PPC)、聚碳酸亚乙基酯(PEC)、聚环己烷碳酸酯(PCC)、聚环己烷丙烯碳酸酯(PCPC)、 和聚降冰片烯碳酸酯(PNC)以及其组合。包含于所公开牺牲组合物中的典型牺牲聚合物的 化学结构见图5。可用作所公开牺牲聚合物的具体聚碳酸酯包括例如聚[(氧羰基氧基-1， 1，4，4-四甲基丁烷)_交替_ (氧羰基氧基-5-降冰片烯-2-桥-3-桥-二甲烷)]；聚[(氧 羰基氧基-1，4- 二甲基丁烷)_交替_ (氧羰基氧基-5-降冰片烯-2-桥-3-桥-二甲烷)]； 聚[(氧羰基氧基-1，1，4，4-四甲基丁烷)-交替-(氧羰基氧基-p-二甲苯)]；以及聚[(氧 羰基氧基-1，4- 二甲基丁烷)_交替_ (氧羰基氧基-p- 二甲苯)]。通常，所公开牺牲聚合 物的分子量为约10，000-200, 000。以牺牲组合物的重量计，该牺牲聚合物可占1 % -50 %。特别地，该牺牲聚合物可 占以牺牲组合物重量计的5% -15%。如前所述，该牺牲组合物可包括负成分和/或正成分。该负成分可包含能产生可 导致牺牲聚合物交联的反应物的化合物。该负成分可包括化合物例如但不限于光敏自由基 生成剂。可使用可供选择的负成分，例如光产酸源(如环氧官能化系统)。负光敏自由基生成剂为当暴露于光线时分解为两种或多种其中至少一种为自由 基的化合物的化合物。具体而言，该负光敏引发剂可包括但不限于二(2，4，6_三甲基苯甲 酰基)-苯基氧化膦(Irgacure 819，Ciba SpecialtyChemicals Inc.) ；2-苯甲基-2-二甲 基氨基-1_(4-吗啉代苯基)_丁酮_l(Irgacure 369，Ciba) ；2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙 烷-1-酮(Irgacure 651，Ciba) ；2-甲基_1_[4_(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮 (Irgacure 907,Ciba)；苯偶姻乙醚(BEE,Aldrich) ；2-甲基_4，_(甲硫基)_2_ 吗啉代-苯丙酮；2，2，- 二甲氧基-2-苯基-苯乙酮(Irgacure 1300, Ciba) ；2，6-二(4-叠氮基亚苄 基)-4_乙基环己酮(BAC-E)，以及其混合物。正成分可包括但不限于一种或多种光产酸源。更具体而言，该正光产酸源可包括 但不限于亲核性卤化物(如二苯基碘鐺盐、二苯基氟鐺盐(fluoronium salt))以及络合金 属卤化物阴离子(如三苯基锍盐)。具体而言，该光产酸源可为四(五氟苯基)硼酸-4-甲基 苯基[4-(1_甲基乙基)苯基]碘鐺(DPI-TPFPB)；四(五氟苯基)硼酸三(4-t-丁基苯基) 锍(TTBPS-TPFPB)；六氟磷酸三(4-t-丁基苯基)锍(TTBPS-HFP)；三氟甲磺酸(triflate) 三苯基锍(TPS-Tf)；三氟甲磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鐺(DTBPI-Tf)；三嗪(TAZ-101)； 六氟锑酸三苯基锍(TPS-103) ；Rhodosil 光敏引发剂2074(FABA)；三苯基锍二(全氟甲 烷磺酰基)酰亚胺(TPS-Nl) ；二-(ρ-t-丁基)苯基碘鐺二(全氟甲烷磺酰基)酰亚胺 (DTBPI-Nl)；三苯基锍；三(全氟甲基磺酰基)甲基(TPS-Cl) ；二 - (ρ-t-丁基苯基)碘鐺 三(全氟甲基磺酰基)甲基(DTBPI-Cl)；以及其组合。它们的结构见图6及图7。光产酸源可占牺牲组合物重量的约0. 5 % -5 %。特别地，光产酸源可占牺牲组合 物重量的约_3%。牺牲组合物中剩余的不含光产酸源以及牺牲聚合物的百分数(例如约 50% -99% )可由溶剂组成，溶剂为例如但不限于1，3，5-三甲基苯、N-甲基_2_吡咯烷酮、 碳酸亚丙基酯、苯甲醚、环己酮、丙二醇单甲醚醋酸酯、醋酸N-丁基酯、二甘醇二甲醚、3-乙 氧基丙酸乙酯以及其组合。牺牲聚合物实例包括如图5所示的那些化学结构。当使用牺牲聚合物制造气隙结 构时，了解牺牲聚合物的降解温度是有利的。下述表1显示牺牲聚合物实例在各种试验条 件下的半数分解温度，Tl72d(其中T1/2d为损失50%重量时的温度)，该温度是以动态热解重 量分析(TGA)测定。表1.牺牲聚合物实例在各种条件下的半数分解温度，Tv2d(其中T1/2d为损失50% 重量时的温度)。PIADTIAD TD项聚碳酸酯 溶剂PAGT1/2d T1/2d Tl72d目(°C )(°C )(°C )1 12% PPC 苯甲醚DPI-TPFPB 102士2 180士2 212士22 20% PPC 苯甲醚TTBPS-TPFPB 125士2 214士2 212士23 10% PEC 碳酸亚丙基酯 DPI-TPFPB 114士 2 189 士 2 182 士 24 10% PEC 碳酸亚丙基酯 TTBPS-HFP 117 士 2 184 士 2 182 士 25 12% PCC 苯甲醚DPI-TPFPB 177士2 199士2 270士26 35% PCC 苯甲醚TTBPS-TPFPB 191 士2 252士2 270士27 20% PCPC 苯甲醚DPI-TPFPB 160士2 194士2 252士28 20% PCPC 苯甲醚TTBPS-TPFPB 186士2 249士2 252士29 12% PNC 苯甲醚DPI-TPFPB 207士2 194士2 305士210 50% PNC 苯甲醚TTBPS-TPFPB 196士2 291 士2 304士2
现在已对牺牲组合物进行了大体的叙述，下文将描述使用该牺牲组合物生产三维 构件的具体实施方式
实例，其中该三维构件可被分解以形成空气区域(如由气体填充的基 本不含固体或液体物质的区域或真空区域)。
通常，将牺牲组合物层沉积于基材和/或基材上的材料层之上可产生三维构件。 如下所述，掩膜暴露于牺牲组合物或其编码该三维构件形状的部分之上。在将该牺牲组合 物通过掩膜暴露于光能和/或热能以及移除未暴露的牺牲组合物(负)或经暴露的牺牲组 合物(正)之后，三维构件得以形成。掩膜编码限定该三维构件的密度轮廓。在将掩膜暴露于光能和/或热能时，允许 已知量的能量透过部分掩膜。掩膜设计用于控制被允许透过掩膜的能量的量。具体而言， 该掩膜可被设计用于控制被允许透过掩膜的能量的量，该量为掩膜上位置的函数。因此，该 掩膜可被设计用于通过改变所被允许透过掩膜的能量的作为掩膜上位置的函数的量而由 牺牲组合物生产三维构件。掩膜可以本领域公知的方法形成(例如第4，622，114号美国专 利)。该三维构件(以及相应的空气区域)可具有的横截面区域可为例如但不限于非矩 形横截面、非对称横截面、曲线横截面、拱形横截面、锥形横截面、对应于椭圆或其片断的横 截面、对应于抛物线或其片断的横截面、对应于双曲线或其片断的横截面、以及其组合。例 如，该三维构件可包括但不限于非矩形构件、非正方形构件、曲线构件、锥形构件、对应于椭 圆或其片断的构件、对应于抛物线或其片断的构件、对应于双曲线或其片断的构件、以及其 组合。此外，该三维构件的横截面区域的高度可随空间变化。尽管未说明，非矩形、锥形以及 非对称空气区域可与其他空气区域和/或气道一同形成以形成例如微流体器件、传感器、 以及分析器件。具有空气区域250形成于其中的器件的具体实施方式
实例的横截面如图2F所示。 该器件可包含基体210以及罩面层240。其上设置有牺牲组合物的基体210可用于系统例如但不限于微处理器芯片、微流 体器件、传感器、分析器件、以及其组合中。因此，该基体210可由适用于具体需要的系统或 器件的材料制造。而材料实例包括但不限于玻璃、硅、硅化合物、锗、锗化合物、镓、镓化合 物、铟、铟化合物、或其他半导体材料和/或化合物。此外，基体210可包括非半导体基体材 料，例如包括所有绝缘材料、金属(如铜及铝)、陶瓷或存在于印刷线路板的有机材料。罩面层240可为包含对在形成空气区域250时由牺牲聚合物分解产生的分解气体 而言为透过性或半透过性特征的定型聚合物(modularpolymer)。此外，该罩面层240的弹 性为在制造及使用条件下不破裂或瓦解。并且，罩面层240在牺牲组合物在其中分解的温 度范围内稳定。罩面层240的实例包括化合物例如但不限于聚酰亚胺、聚降冰片烯、环氧化物、 聚亚芳基醚、聚亚芳基、无机玻璃、以及其组合。更具体而言，罩面层240包括化合物例 如 Amoco Ultradel 7501、PromerusAvatrel 绝缘聚合物、DuPont 2611、DuPont 2734、 DuPont 2771、DuPont2555、二氧化硅、氮化硅、以及氧化铝。可使用诸如例如旋涂、刮涂、喷 涂、层压、筛涂或丝网印刷术、化学气相沉积法(CVD)、有机金属化学气相沉积法(M0CVD)、 以及等离子基沉积系统的方法将罩面层240设置于基体210上。应注意，额外的元件可置于基体之上和/或之中、罩面层240之上和/或之中、和/或空气区域250之上和/或之中。此外，该额外的成分可包括在任何具有如本文所述空 气区域的构件之中。该额外的元件可包括但不限于电子元件(如开关及传感器)、机械元 件(如齿轮或发动机)、电动机械元件(如活动梁(movable beam)及活动反射镜)、光学元 件(如透镜、光栅以及反射镜)、光电元件、流控元件(如色谱及可提供冷却剂的通道)、以 及其组合。图2A-2F为说明使用牺牲组合物形成空气区域的典型方法200的横截面视图，该 牺牲组合物包含牺牲聚合物以及正成分。图2A显示了基体210，之后例如通过旋涂如图2B 所示将牺牲材料220设置于其上。图2C显示设置于牺牲材料220之上的掩膜230以及被 暴露于能量/辐射的牺牲材料220。尽管图2C中描述以UV辐射的形式施加能量，但其他的 光能或热能形式也可施用。图2D显示牺牲组合物220的选定的通过掩膜230暴露于图2C的UV辐射的部分 的移除。掩膜230编码限定空气区域250横截面的光密度曲线。被移除的牺牲组合物220 部分为通过加热该牺牲组合物移除。由于在牺牲组合物220中存在如上所述的光产酸源， 因此所用于移除牺牲材料220经曝光部分的温度低于现有技术方法中的温度。在图2C所 示步骤中基本分解经辐射牺牲聚合物220所需的温度为约50°C -400°C。例如，该温度可为 约 IlO0Co图2E显示罩面层240于牺牲聚合物220以及暴露的基体210之上的形成。图2F 显示牺牲聚合物220的分解从而形成空气区域250。在图2F所示的步骤中基本分解牺牲聚 合物所需的温度约为100°C -250°C。例如，该温度可 为约170°C。图3A-3F为说明使用牺牲组合物形成空气区域250的可供选择的方法300的横截 面视图，其中该牺牲组合物包括牺牲聚合物以及正成分。图3A显示了基体210，之后通过例 如旋涂如图3B所示将牺牲材料220设置于其上。图3C显示沉积于牺牲材料220及暴露于 能量/辐射的牺牲材料220之上的掩膜230。尽管图3C描述以UV辐射的形式施加能量，但 其他的光能或热能形式也可施用。图3D显示通过掩膜230暴露于光能之后的交联的牺牲组合物区域225。图3E显 示罩面层240于牺牲聚合物220以及交联组合物区域225之上的形成。图3F显示未交联 的牺牲聚合物220的分解，从而形成空气区域250。被移除的牺牲组合物220部分为通过加 热该牺牲组合物移除。由于在牺牲组合物220中存在如上所述的光产酸源，因此在图3F中 用于移除经辐射部分的牺牲材料220的温度低于现有技术中的温度。图4A-4F为说明制造如图4F所示的空气区域250的典型方法400的横截面视图。 应注意，为了清楚，制造方法的某些部分未包括在图中4A-4F中。因此，下述制造方法并非 意欲成为包含制造空气区域250所需的所有步骤的穷举式列举。此外，由于这些方法步骤 可以与图4A-4F中所述的不同的次序实施，或者某些步骤可同时实施，因此该制造方法是 灵活的。图4A显示为基体210。图4B显示为具有牺牲组合物260 (负)设置于其上的基体 210。牺牲组合物260可采用例如旋涂、刮涂、喷涂、层压、筛涂或丝网印刷术、熔融分散法、 化学气相沉积法(CVD)、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)以及等离子基沉积系统的技术 设置于基体210之上。图4C显示设置于牺牲组合物260之上的掩膜230。掩膜230编码限定感光性空气区域250的横截面的光密度曲线。图4D显示在通过掩膜暴露于光能以及移除选定的未交联的牺牲组合物材料270 之后的交联的牺牲组合物区域270。未交联牺牲组合物材料260可通过溶于液体如溶剂中 和/或通过加热移除，或通过任何能够移除或溶解牺牲组合物材料260的聚合物成分的其 他方法移除。图4E显示为罩面层240于交联的牺牲组合物区域270上的形成。罩面层240可 采用例如旋涂、刮涂、喷涂、层压、筛涂或丝网印刷术、熔融分散法、化学气相沉积法(CVD)、 有机金属化学气相沉积法(M0CVD)、以及等离子基沉积系统的技术设置于基体210之上。图4F显示交联的牺牲组合物区域270的分解以形成空气区域250。交联的牺牲组 合物区域270可通过加热交联的牺牲组合物270至足以分解该聚合物的温度(如约250°C ) 而被分解。典型的牺牲组合物膜的热解重量分析图8显示牺牲聚合物聚碳酸亚丙基酯(PPC)以及光产酸源(PAG)的一种牺牲组合 物实例的动态热解重量分析(TGA)结果。该组合物由约12重量％ PPC以及以PPC计5重
“PPC:PAG”)组成。该典型样品的制备方法为通过将苯甲醚中的聚合 物旋涂至硅晶片之上、于烤胶机上在约110°C下软烤10分钟以蒸发溶剂，然后使适当处暴 露于lj/cm2的240nm的UV辐射。然后将样品由硅移除并在氮气氛下采用速率为1°C的由 30°C梯度升温至450°C的动态TGA进行分析。图8所示为以下物质的TGA热分析图(a)UV辐射后的PPC:PAG、(b)未经UV辐射 的PPC:PAG、(c)不含PAG的PPC、以及(d)不含PAG但经UV辐射的PPC。如图8 (a)所示， 据发现光酸诱导的分解的起始温度为80°C，T1/2为100°C。分解于230°C完成，此时TGA盘 中的残余物少于3重量％。当牺牲聚合物材料未经UV辐射时(图8 (b))，一旦温度达到PAG的分解温度，分解 通过热解诱导的PAG酸生成发生。该降解自168°C的起始点发生的温度范围窄。在230°C， 该热酸诱导的分解完成，此时残余物少于1. 5重量％。不含PAG的PPC的分解特性如图8 (C)所示，发现其T1/2为210°C。在230°C，19重 量％的物质残留于盘中。该分解反应在287°C时完成，此时残余物为3重量％。在350°C， 相同试验条件下(a)、(b)、(c)的残余物的重量百分比分别为1.79%、0. 12%以及0.37%。据发现，不含PAG但暴露于UV辐射的牺牲聚合物(此处为PPC)膜的分解特性(图 8(d))与未经UV辐射的牺牲聚合物膜的相似。这说明在UV辐射时，不含PAG的牺牲聚合物 未发生变化。因此，聚碳酸酯的光酸诱导的分解能够显著降低分解温度；然而，其比单独的 聚丙烯碳酸酯的热解诱导的聚酸催化分解或热解所残留的残余物多。该残余物水平可通过 降低在酸催化降解组合物中PAG水平的百分比从而降至少于1重量％。光图案化(photopatterning)以及采用光敏牺牲组合物的气隙的制造采用于苯甲醚中的PPC(12重量％) :DPI_TPFPB(PPC的5重量％)组合物获得正图 案。将该溶液旋涂于硅上并在烤胶机上于110°c下软烤10分钟使得厚度为1. 58 i! m。将该膜 通过透明场(clear-field)石英掩膜暴露于lj/cm2 (240nm)的UV辐射。将该膜通过在110°C 下于烤胶机上进行曝光后焙烤(post-exposure baking) 3分钟从而干燥显影。在110°C， UV产生酸诱导的PPC分解。图9显示采用暗场(dark-field)掩膜的平版图像的扫描电子
13显微镜显微照片。如上重复该过程，但使用于苯甲醚中的PPC(20重量％) :DPI-TPFPB(PPC 的5重量％)组合物以得到5.45μπι厚的膜。圆形及方形为PPC于其中被分解并移除的区 域。所公开方法的应用实施例通过使用如图2所述方法的工艺流程制造气隙。该方法使用光敏聚碳酸酯作为牺牲聚合物材料。使用两种不同的密封材料Avatrel EPM 以及Avatrel 2000P (Promerus, LLC.)。首先，将光敏PPC(12重量％ ) :DPI-TPFPB(PPC的5重量％ )组合物旋涂于硅晶片 之上，并在烤胶机上于IOCTC下软烤10分钟以使厚度为5. 45 μ m。将该光敏膜通过具有线 /间隔图案为线宽70 μ m及间隔宽35 μ m的透明场掩膜进行光图案化。于110°C下曝光后 焙烤1-10分钟以分解经UV辐射的区域。旋涂该AVATRELEPM密封材料并以烤胶机于80°C 下软烤5分钟。未暴露区域在氮气氛下于150°C的Lindberg平管炉中分解4小时。图10 显示所得到的被3. 9 μ m的AVATREL EPM 绝缘材料密封的70 μ m宽的气道构件的横截面 SEM显微照片。接着，采用相似的制造工艺程序，使用AVATREL 2000P 作为密封材料。但 在旋涂AVATREL 2000P后，对膜进行lj/cm2的365nm的UV辐射，并在烘箱内于110°C下进 行曝光后焙烤30分钟。在焙烤时，AVATREL 2000P 聚合物得以交联。所得罩面层的厚度 为9. 3μπι。然后将未暴露的牺牲聚合物在氮气氛下的Lindberg平管炉内于170°C下分解 1小时。图11显示所得的70 μ m宽的于AVATREL 2000P 密封剂中的埋气道。该气道不含 明显的碎片，这显示挥发物质通过密封聚合物材料或“保护”材料的良好的透过性。还通过使用如图3所述的方法300的流程制造气道。该方法使用PPC: TTBPS-TPFPB组合物作为牺牲组合物。之所以选择PAG、TTBPS-TPFPB是因为其在比 DPI-TPFPB更高的温度热解。更高分解温度的PAG使牺牲材料的未暴露区域完好无损，而暴 露区域被选择性分解。通过差示扫描量热法(DSC)发现，TTBPS-TPFPB的分解温度为190°C。 在AVATREL EPM密封剂中的埋气道是使用如图3A的方法300所述的工艺程序制造。PPC (20 重量％ ) TTBPS-TPFPB (PPC的5重量％ )组合物被旋涂于硅晶片之上并用烤胶机于110°C 下软烤，得到5. 45 μ m的厚度。将该光敏PPC膜通过具有线/间隔图案的线宽为100 μ m、间 隔为240 μ m的透明场掩膜进行辐射(lj/cm2 ；240nm)。然后将AVATRELEPM密封剂进行旋涂 并于80°C下软烤5分钟以从密封层移除所有溶剂。然后将暴露区域通过在氮气氛下的管式 炉中于110°C加热30分钟，从而选择性分解以形成气隙。典型牺牲组合物膜分解的FT-IR分析采用FT-IR对PPC (12重量％ ) DP I-TPFPB PAG (PPC的5重量％ )的酸催化的分 解进行研究。该牺牲组合物被旋涂至NaCl板上，并用烤胶机在110°C下软烤10分钟。经 测量，膜的厚度为1.45μπι。所记录的未暴露膜的傅立叶变换红外(FT-IR)光谱如图12(a) 所示。然后将该膜暴露于UV光线(lj/cm2 ；240nm)下并再次扫描(图12(b))。用烤胶机在 110°C下对该膜进行曝光后焙烤2小时(图12(c))。在图12(a)中，在2990cm—1、1470cm—1以 及1250CHT1处的吸收被分别归因于PPC的C-H伸缩、C-H弯曲以及C-C伸缩。在1750CHT1 处的强吸收峰对应于PPC的C = 0伸缩。在对暴露于UV的PPC膜进行研究时(图12 (b))， 除光敏性产酸源在辐射过程中被激活外，未发现化学结构发生任何特殊转变。在于110°C下 进行最终焙烤之后，所有峰的强度都近乎为零(图12(c))。据信，这是因为牺牲聚合物PPC分解为挥发性产物的缘故。由质谱监测的典型牺牲组合物的分解采用应用电子轰击离子化的质谱(MS)检测在牺牲组合物实例的解聚反应及挥发 过程中所涉及的物种。分析三种典型的样品以确定在降解过程中所产生的化学物种的性 质。在第一种情况下，PPC(12重量％ ) :DPI-TPFPB PAG(PPC的5重量％ )组合物被旋涂于 硅晶片之上，用烤胶机于110°c下软烤10分钟，然后暴露于240nm下lj/cm2的UV辐射。在 第二种情况下，样品制备如上，但并不进行UV辐射。在第三种情况下，从仅含有PPC的溶液 中制备样品，从而测定由不含光产酸源的牺牲聚合物(此处指PPC)所产生的挥发性物质。 该PPC膜并未经UV辐射。将该膜自硅上移除并以气相色谱-质谱(GC-MS)进行分析，从而 研究在不同条件下挥发物的演变。样品以5°C /min自30°C梯度升温至110°C并维持30分 钟，然后以15°C /min升温至300°C并维持20分钟。暴露于UV的PPC :DPI-TPFPB组合物分解的质谱数据显示出质荷比(m/z)为58和 102的分别对应于丙酮和碳酸丙烯酯的离子流。对经UV辐射的光敏碳酸酯样品的扫描见图 13(a)、(b)和(C)。这些在降解过程中于不同时间间隔实施的扫描揭示这两种重要的物种 的演化。图13(a)还显示m/z为43. 1,40. 1以及36. 1的物种，其对应于丙酮的碎裂产物。 m/z 58峰也可能对应于 CH3CH2CHO的生成。图13(b)显示出其他高强度的与分子量为43、 57以及87所对应的挥发性物质，其为碳酸丙烯酯的碎裂产物且可分别被归属于环氧乙烷、 环氧丙烷、碳酸亚乙酯。在63°C下的质谱如图13(c)所示。m/z 168的高强度峰可被归属 于PAG的分解碎片。这与五氟代苯(HC6F5)的质量相符，其中五氟代苯为光酸阴离子四(五 氟苯基)硼酸盐[B(C6F5)4]的衍生碎片。这可通过热解在67°C显示强质量峰m/z 168的 光酸(溶于苯甲醚中)证明。四(五氟苯基)硼酸盐阴离子加热可分解为五氟代苯以及三 (五氟苯基)硼酸盐。该反应包括由聚碳酸酯组合物的降解生成的特别重要的挥发性物质。该可疑的反应产物如图16所示。PAG、DPI_TPFPB的分解导致生成联苯衍生物(m/ ζ 210)以及所述的五氟代苯(m/z 168)。其他m/z值为137、116以及98的碎片为PPC的 分解产物。在更高温度下，观察到少量高分子量碎片。这可能是由更为复杂的裂解方式造 成的。未暴露于UV的PPC组合物的质谱如图14所示，其显示出与经UV辐射的PPC相似 的裂解方式。具体而言，观察到m/z为58和102的峰，其分别对应于丙酮及碳酸丙烯酯。 m/z = 58处的峰同样可对应于CH3CH2CH0。这证明，酸催化的PPC分解对于PAG的光解或热 激活而言是相同的。不含酸(且未经UV辐射)的PPC的质谱见图15。在145°C下m/z = 102处的质量峰可被归属于碳酸丙烯酯(与酸催化的PPC的情况相同)。其他在87、57和 43处的质量峰可被分别归属为碳酸丙烯酯碎片碳酸乙烯酯、环氧丙烷以及环氧乙烷。典型牺牲聚合物的酸催化分解的机制在一项试验中，据MS数据显示，一种牺牲聚合物实例如聚碳酸亚丙基酯的降解是 由自PAG或通过光解或通过加热而原位生成的酸所引发。不受任何理论所限，据相信，PPC 的降解可能分两步进行聚合物链的裂解反应，接着是解聚反应。在180°C的高温分解下， 据观察，聚碳酸亚丙基酯生成碳酸亚丙基酯。并且，碳酸亚丙基酯碎裂为CO2以及环氧丙烷。 这两种主要的物种丙酮以及碳酸亚丙基酯自(经和未经UV辐射的)聚碳酸亚丙基酯组合 物降解的演化导致下文所提出的双路线降解机制。
图17(a)描述DPI-TPFPB PAG的分解。在暴露于240nm的UV辐射时，PAG的阳离 子部分分解生成质子，该质子与配阴离子配对生成质子酸。在该机制路线图中，-RH为源自 溶剂或聚合物本身的质子供体。碘鐺盐的分解可通过暴露于UV达成，或通过加热分解碘鐺 盐的阳离子/阴离子对。因此，碘鐺盐可用作光产酸源以及潜在的热产酸源。还据报道，通 过同样的反应，在鐺盐被光解或热解时可得到产品。J. V. Crivello，等，J. Polym. Sci. Part A Polym. Chem.，vol. 21，p. 97，1983。图17(b)描述所提出的聚碳酸亚丙基酯的酸催化分解机制。在后焙烤 (post-bake)过程中，源自所产生的酸(H+X_)的H+将羰基氧质子化，并进一步对该导致生 成不稳定的互变异构中间体[A]及[B]的极性过渡状态进行重排。通过质谱我们观察到， 于58m/z以及102m/z的强质量峰分别归属于丙酮以及碳酸亚丙基酯。丙酮可在中间体[A] (路线1)进行重排并裂解为丙酮与0)2时生成。碳酸亚丙基酯的生成可归功于导致生成碳 酸环丙烯酯的中间体[B](路线2a)阴离子的分子内进攻。其进一步热分解为环氧丙烷以 及C02。43m/z及57m/z处的质量峰分别证明了环氧乙烷以及环氧丙烷的生成。还有理由提出一种在这种高酸性环境中生成碳酸亚丙基酯的可供选择的路线。H+ 可激活末端双键(路线2b)，导致生成环状过渡状态，并在进一步重排并通过相反离子X—脱 除质子时可生成碳酸亚丙基酯。通过路线1降解的进一步证据为羟醛缩合产物的生成。于 116m/z及98m/z处的质量峰的可被归因于由于羟醛缩合产生的产物(图18)。Mrk本发明证实可通过牺牲聚合物的酸催化的降解以及催化量的光产酸源制造气隙。 基于FT-IR以及质谱试验，本发明提出聚碳酸亚丙基酯以及DPI-TPFPB系统的详尽的机制。 还应用TGA对几种不同的牺牲组合物的分解特性进行了研究。低分解温度提供了通过PAG 浓度以及牺牲聚合物结构调整分解温度的机制。本发明提供通过曝光选择性分解牺牲组合 物区域的加工方法，从而使这些材料成为可用于各种微电子、微流体以及MEMS制造应用的 有潜力的候选物质。特别地，所公开牺牲聚合物在用于绝缘物质的溶剂中的不溶性使该组 合物尤其有价值。应强调，本发明的上述具体实施方式
仅为可能的应用实例，且是为用于更清楚地 理解本发明的原理而给出。在基本不背离本发明精神以及原理的情况下可对本发明的上述具体实施方式
进行各种变更或修饰。所有这些修饰及变更将包括于本发明的范围之内且受 所附权利要求的保护。因此，在如此描述本发明之后，要求保护至少如下范围。
权利要求
一种组合物，其包括经受酸催化分解的牺牲聚合物；以及催化量的光产酸源(PAG)。
2.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物在约100-120°C的温度范围内分解。
3.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物在约175-200°C的温度范围内分解。
4.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物在约100-120°C的温度范围内分解且基 本不残留源自聚合物或PAG中的固体残留物。
5.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物在暴露于紫外(UV)辐射后在约 100-120°C范围内的温度下分解。
6.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物起粘合剂作用。
7.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物为正牺牲材料。
8.如权利要求1所述的组合物，其中该聚合物选自(1)聚碳酸酯以及(2)聚降冰片烯 以及聚降冰片烯碳酸酯的共聚物，以及它们的组合。
9.如权利要求1所述的组合物，其中该聚合物为选自以下组中的聚碳酸酯聚碳酸亚 丙基酯、聚碳酸亚乙基酯、聚环己烷碳酸酯、聚环己烷丙烯碳酸酯、聚降冰片烯碳酸酯、以及 其组合。
10.如权利要求1所述的组合物，其中该光产酸源选自亲核性卤化物、络合金属卤化物 阴离子、以及其组合。
11.如权利要求1所述的组合物，其中该光产酸源选自二苯基碘鐺盐、三苯基锍盐、二 苯基氟鐺盐、以及其组合。
12.如权利要求1所述的组合物，其中该光产酸源选自四(五氟苯基)硼酸-4-甲基 苯基[4-(1_甲基乙基)苯基]碘鐺(DPI-TPFPB)；四(五氟苯基)硼酸三(4-叔丁基苯 基)锍(TTBPS-TPFPB)；六氟磷酸三(4-叔丁基苯基)锍(TTBPS-HFP)；三氟甲磺酸三苯基 锍(TPS-Tf) ；二(4-叔丁基苯基)三氟甲磺酸碘鐺(DTBPI-Tf)；三嗪(TAZ-101)；六氟锑酸 三苯基锍(TPS-103) ；Rhodosil 光敏引发剂2074(FABA)；三苯基锍二(全氟甲烷磺酰基) 酰亚胺(TPS-N1) ；二 _(p-叔丁基)苯基碘鐺二(全氟甲烷磺酰基)酰亚胺(DTBPI-N1) ’三 苯基锍三(全氟甲基磺酰基)甲基(TPS-C1) ；二 _(p-叔丁基苯基)碘鐺 ’三(全氟甲基磺 酰基)甲基(DTBPI-C1)；以及其组合。
13.如权利要求1所述的组合物，其中该牺牲聚合物约占组合物重量百分比的1_50%， 并且其中该光产酸源约占组合物重量的0. 5-5%。
14.一种组合物，其含有聚合物；及催化量的负光敏引发剂。
15.如权利要求14所述的组合物，其中该聚合物选自聚碳酸酯、聚降冰片烯以及聚降 冰片烯碳酸酯的共聚物、以及其组合。
16.如权利要求14所述的组合物，其中该负光敏引发剂选自二(2，4，6_三甲基苯甲酰 基)-苯基氧化膦；2-苯甲基-2- 二甲基氨基-1- (4-吗啉代苯基)-丁酮-1 ;2，2- 二甲氧 基-1，2- 二苯基乙烷-1-酮；2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮；苯 偶姻乙醚；2-甲基-4’ -(甲硫基)-2-吗啉代-苯丙酮；2，2’ - 二甲氧基-2-苯基-苯乙 酮；2，6-二(4-叠氮基亚苄基)-4-乙基环己酮(BAC-E)；以及其混合物。
17.一种制备构件的方法，其包括将组合物设置于表面上，其中所述组合物包含牺牲聚合物以及光产酸源；将至少部分所述组合物暴露于能量；以及移除部分所述组合物以在所述组合物中形成第一气隙，该被移除的部分对应于暴露于 能量的部分。
18.如权利要求17所述的方法，其进一步包括将掩膜设置于所述组合物之上，该掩膜 编码限定将于所述组合物中形成的气隙的轮廓。
19.如权利要求17所述的方法，其中该牺牲聚合物选自聚碳酸酯、聚降冰片烯以及聚 降冰片烯碳酸酯的共聚物、以及其组合。
20.如权利要求17所述的方法，其中将所述组合物暴露于能量包括将所述组合物暴露 于选自光及热形式的能量。
21.如权利要求17所述的方法，其中将所述组合物暴露于能量包括将所述组合物暴露 于紫外辐射。
22.如权利要求17所述的方法，其中移除部分所述组合物包括通过加热所述组合物将 所述组合物移除，且以所述组合物的重量计，留下的所述组合物的残余物少于1%。
23.如权利要求17所述的方法，其进一步包括将罩面层设置于所述组合物上及设置入所述第一气隙；以及使用热能将所述组合物移除以形成第二气隙。
24.如权利要求23所述的方法，其中该热能是在100-120°C温度范围内。
25.如权利要求17所述的方法，其进一步包括在将选定部分的所述组合物暴露于光能之后并且在移除选定部分的所述组合物之前， 将罩面层设置于所述组合物上。
26.—种制造构件的方法，其包括将组合物设置于表面之上，其中所述组合物包括牺牲聚合物以及催化量的光产酸源；将部分所述组合物暴露于能量；以及通过加热所述组合物至约100-180°C而移除暴露于能量的部分所述组合物，从而在所 述组合物中形成气隙。
27.如权利要求26所述的方法，其进一步包括将掩膜设置于所述组合物之上，该掩膜 编码限定将于所述组合物中形成的气隙的轮廓。
28.如权利要求26所述的方法，其进一步包括通过将温度加热至约175-20(TC而将未 暴露于能量的组合物部分移除。
29.如权利要求26所述的方法，其中该牺牲聚合物选自聚碳酸酯、聚降冰片烯与聚降 冰片烯碳酸酯的共聚物、以及其组合。
30.如权利要求26所述的方法，其中将所述组合物暴露于能量包括分解光产酸源的有 机阳离子，从而产生强布朗斯台德酸。
31.如权利要求30所述的方法，其中将所述组合物暴露于能量包括将牺牲聚合物与布 朗斯台德酸热解。
32.—种分解以形成空气区域的牺牲组合物，所述牺牲组合物包括经受酸催化分解的牺牲聚合物，其中所述牺牲聚合物选自聚碳酸亚丙基酯(PPC)、聚碳酸亚乙基酯(PEC)、聚环己烷碳酸酯(PCC)、聚环己烷丙烯碳酸酯(PCPC)、聚降冰片烯碳酸 酯(PNC)、聚降冰片烯以及聚降冰片烯碳酸酯的共聚物、以及其组合；以及催化量的光产酸源，其中所述光产酸源选自亲核性卤化物、络合金属卤化物阴离子、以 及其组合。
33.如权利要求32所述的组合物，其中所述组合物在约100-120°C的温度范围内分解。
34.如权利要求32所述的组合物，其中所述组合物在约175-200°C的温度范围内分解。
35.如权利要求32所述的组合物，其中所述组合物在约100-120°C的温度范围内分解 且基本不残留源自所述聚合物或光产酸源(PAG)的固体残留物。
36.如权利要求32所述的组合物，其中所述组合物在暴露于紫外(UV)辐射后在 100-120°C范围内的温度下分解。
37.如权利要求32所述的组合物，其中所述组合物起粘合剂作用。
38.如权利要求32所述的组合物，其中所述组合物为正牺牲材料。
39.如权利要求32所述的组合物，其中所述光产酸源选自二苯基碘鐺盐、三苯基锍盐、 二苯基氟鐺盐、以及其组合。
40.如权利要求32所述的组合物，其中所述光产酸源选自四(五氟苯基)硼酸-4-甲 基苯基[4-(1_甲基乙基)苯基]碘鐺(DPI-TPFPB)；四(五氟苯基)硼酸三(4-叔丁基苯 基)锍(TTBPS-TPFPB)；六氟磷酸三(4-叔丁基苯基)锍(TTBPS-HFP)；三氟甲磺酸三苯基 锍(TPS-Tf) ；二(4-叔丁基苯基)三氟甲磺酸碘鐺(DTBPI-Tf)；三嗪(TAZ-101)；六氟锑酸 三苯基锍(TPS-103)；三苯基锍二(全氟甲烷磺酰基)酰亚胺(TPS-N1) ；二 _(p-叔丁基) 苯基碘鐺二(全氟甲烷磺酰基)酰亚胺(DTBPI-N1)；三苯基锍三(全氟甲基磺酰基)甲基 (TPS-C1) ；二 _(p-叔丁基苯基)碘鐺；三(全氟甲基磺酰基)甲基(DTBPI-C1)；以及其组1=1 o
41.如权利要求32所述的组合物，其中所述牺牲聚合物约占组合物重量百分比的约 1-50%，并且其中所述光产酸源约占组合物重量的约0. 5-5%。
42.一种制造构件的方法，其包括将组合物设置于表面上，其中所述组合物包含牺牲聚合物以及光产酸源，其中所述牺 牲聚合物选自聚碳酸酯、聚降冰片烯以及聚降冰片烯碳酸酯的共聚物、以及其组合；将至少部分所述组合物暴露于第一能量；以及通过使所述组合物的若干部分暴露于第二能量以移除所述组合物的所述若干部分，从 而在所述组合物中形成第一气隙，被移除的所述若干部分对应于暴露于所述第一能量的部 分。
43.如权利要求42所述的方法，其进一步包括将掩膜设置于所述组合物之上，所述掩 膜编码限定将于所述组合物中形成的气隙的轮廓。
44.如权利要求42所述的方法，其中将所述组合物暴露于能量包括将所述组合物暴露 于选自光及热形式的能量。
45.如权利要求42所述的方法，其中将所述组合物暴露于能量包括将所述组合物暴露 于紫外辐射。
46.如权利要求42所述的方法，其中移除所述组合物的所述若干部分包括通过加热所 述组合物来移除所述组合物的所述若干部分，且以所述组合物的重量计，留下的所述组合物的残余物少于1%。
47.如权利要求42所述的方法，其进一步包括将罩面层设置于所述组合物上及设置入所述第一气隙；以及 使用热能将所述组合物移除以形成第二气隙。
48.如权利要求47所述的方法，其中所述热能是在100-120°C温度范围内。
49.如权利要求42所述的方法，其进一步包括在将选定部分的组合物暴露于光能之后并且在移除选定部分的所述组合物之前，将罩 面层设置于所述组合物上。
全文摘要
本发明提供聚合物、其应用方法、以及其分解方法。其中一种聚合物实例包括含有牺牲聚合物以及光产酸源的组合物。
文档编号H01L21/768GK101831163SQ201010103798
公开日2010年9月15日 申请日期2003年10月31日 优先权日2002年11月1日
发明者休安·比斯特鲁普·艾伦, 保罗·A.·科尔, 克利福德·李·亨德森, 切莱斯塔·E.·怀特, 约瑟夫·保罗·贾亚钱德兰, 霍利·里德 申请人:佐治亚技术研究公司