专利名称：粘接带的扩展方法
技术领域：
本发明涉及使粘贴有晶片的粘接带向环状框架的半径方向扩展的粘接带的扩展 方法。
背景技术：
关于 ICdntegrated Circuit 集成电路)、LSI (Large-scale Integration 大规 模集成电路)等多个器件被形成为格子状的分割预定线所划分而形成的晶片，通过切割装 置或激光加工装置将所述晶片分割成一个个器件，分割后的器件被广泛应用于移动电话、 个人计算机等各种电子设备。切割装置是利用具有非常薄的切削刃的切削刀具沿分割预定线切削晶片从而将 其分割成一个个器件的装置，该切割装置能够将晶片可靠地分割成一个个器件。此外，激光加工装置照射相对于晶片具有透射性的波长的激光束，从而沿着分割 预定线在晶片的内部形成变质层，然后通过使支承有晶片的粘接带扩展来对晶片施加外 力，使晶片沿着变质层断裂从而分割成一个个器件(例如，参照日本特开2004-349623号公 报)。另一方面，近年来，移动电话和个人计算机等电气设备追求更加轻量化和小型化， 需要更薄的器件。作为将晶片分割成更薄的器件的技术，开发出了所谓预切割法的分割技 术，并且该技术正被实用化(例如，参照日本特开平11-40520号公报)。该预切割法是这样的技术从半导体晶片的表面沿分割预定线形成预定深度(与 器件的完成厚度相当的深度)的分割槽，然后对在表面形成有分割槽的半导体晶片的背面 进行磨削，使分割槽露出于该背面，从而将该半导体晶片分割成一个个器件，该预切割法能 够将器件的厚度加工至100 μ m以下。专利文献1 日本特开2004-349623号公报专利文献2 日本特开平11-40520号公报但是，当使用激光加工装置在晶片的内部沿分割预定线形成变质层，并扩展粘接 带从而将晶片沿变质层分割成一个个器件时，存在这样的问题扩展后的粘接带产生松弛， 从而在搬送晶片时器件相互接触而损伤。此外，在粘接带的中央部下垂的状态下，存在无法 将经粘接带支承于环状框架的晶片收纳到盒中的问题。在将被称为DAF(Die Attach Film 芯片贴膜)的芯片接合用膜粘贴于通过预切 割法而分割成了一个个器件的晶片的背面、进而将DAF粘贴于粘接带、并通过粘接带的扩 展来与一个个器件对应地分割DAF的情况下，也会产生上述问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种能够扩展粘贴有晶片的 粘接带从而使晶片沿变质层断裂的粘接带的扩展方法。本发明的另一目的在于提供一种能够通过扩展粘接带来与一个个器件对应地分割芯片贴膜的粘接带的扩展方法，其中所述芯片贴膜粘贴在通过预切割法而分割成了一个 个器件的晶片的背面。根据方案1所记载的发明，提供一种粘接带的扩展方法，该粘接带的扩展方法是 通过粘接带扩展装置来对粘贴有晶片的粘接带进行扩展、从而使晶片沿着变质层断裂的粘 接带的扩展方法，所述粘接带扩展装置包括框架保持构件，其对配设于粘接带外周的环状 框架进行保持，所述粘接带上粘贴有具有变质层的晶片，所述变质层沿着形成为格子状的 分割预定线形成于晶片内部；晶片保持工作台，其对粘贴于所述粘接带的晶片进行保持； 以及移动构件，其使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台在待机位置和扩展位置之间 相对移动，所述粘接带的扩展方法的特征在于，该粘接带的扩展方法包括以下工序晶片载 置工序，在该晶片载置工序中，将经所述粘接带而支承于所述环状框架的晶片载置于所述 晶片保持工作台上，并利用所述框架保持构件来保持所述环状框架；粘接带第一柔软化工 序，在该粘接带第一柔软化工序中，对所述晶片保持工作台进行加热，从而使所述粘接带的 粘贴有晶片的部分变柔软；粘接带扩展工序，在该粘接带扩展工序中，使所述移动构件工 作，使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台相对移动而定位于所述扩展位置，使所述 粘接带扩展，从而使晶片沿着所述变质层断裂；粘接带保持工序，在该粘接带保持工序中， 使所述晶片保持工作台产生吸引力，从而对所述粘接带进行吸引保持；粘接带第二柔软化 工序，在该粘接带第二柔软化工序中，使所述移动构件工作，使所述框架保持构件和所述晶 片保持工作台相对移动而定位于所述待机位置，并且对晶片的外周和所述环状框架之间的 所述粘接带进行加热使其变柔软；松弛除去工序，在实施了所述粘接带第二柔软化工序后， 实施该松弛除去工序，在该松弛除去工序中，对晶片的外周和所述环状框架之间的所述粘 接带进行冷却，从而将松弛除去；以及搬出工序，在该搬出工序中，解除所述框架保持构件， 并且解除所述晶片保持工作台的吸引力，将粘贴于所述粘接带的晶片与所述环状框架一起 从所述粘接带扩展装置搬出。根据方案2所记载的发明，提供一种粘接带的扩展方法，该粘接带的扩展方法是 通过粘接带扩展装置来对经芯片贴膜而粘贴有晶片的粘接带进行扩展、从而使分割槽的宽 度增大并且使所述芯片贴膜沿着所述分割槽断裂的粘接带的扩展方法，所述粘接带扩展装 置包括框架保持构件，其对配设于粘接带外周的环状框架进行保持，所述粘接带上经所述 芯片贴膜粘贴有晶片，所述晶片具有形成为格子状的分割槽；晶片保持工作台，其对粘贴于 所述粘接带的晶片进行保持；以及移动构件，其使所述框架保持构件和所述晶片保持工作 台在待机位置和扩展位置之间相对移动，所述粘接带的扩展方法的特征在于，该粘接带的 扩展方法包括以下工序晶片载置工序，在该晶片载置工序中，将经所述芯片贴膜和所述粘 接带而支承于所述环状框架的晶片载置于所述晶片保持工作台上，并利用所述框架保持构 件来保持所述环状框架；粘接带第一柔软化工序，在该粘接带第一柔软化工序中，对所述晶 片保持工作台进行加热，从而使所述粘接带的粘贴有晶片的部分变柔软；粘接带扩展工序， 在该粘接带扩展工序中，使所述移动构件工作，使所述框架保持构件和所述晶片保持工作 台相对移动而定位于所述扩展位置，使所述粘接带扩展，从而使所述分割槽的宽度增大并 且使所述芯片贴膜沿着所述分割槽断裂；粘接带保持工序，在该粘接带保持工序中，使所述 晶片保持工作台产生吸引力，从而对所述粘接带进行吸引保持；粘接带第二柔软化工序，在 该粘接带第二柔软化工序中，使所述移动构件工作，使所述框架保持构件和所述晶片保持
5工作台相对移动而定位于所述待机位置，并且对晶片的外周和所述环状框架之间的所述粘 接带进行加热使其变柔软；松弛除去工序，在实施了所述粘接带第二柔软化工序后，实施该 松弛除去工序，在该松弛除去工序中，对晶片的外周和所述环状框架之间的所述粘接带进 行冷却，从而将松弛除去；以及搬出工序，在该搬出工序中，解除所述框架保持构件，并且解 除所述晶片保持工作台的吸引力，将粘贴于所述粘接带的晶片与所述环状框架一起从所述 粘接带扩展装置搬出。优选的是粘接带由聚氯乙烯或聚烯烃构成，粘接带第一柔软化工序中的加热温 度为40°C 100°C，粘接带第二柔软化工序中的加热温度为80°C 300°C。根据方案1所记载的发明，在对粘接带的粘贴有晶片的部分进行加热而使其变柔 软之后，对粘接带进行扩展，从而将晶片分割成一个个器件，然后对粘接带的粘贴有晶片的 部分进行吸引保持，以维持分割后的状态，在返回至待机位置时，对被晶片和环状框架所夹 的区域内的松弛的粘接带进行加热，使粘接带的弹力恢复，通过与欲使粘接带返回至原来 状态的力相辅相成地进行冷却，来使粘接带进一步收缩，从而粘接带形成为像鼓那样绷紧 的状态。其结果为，维持了相邻的器件与器件之间的间隔，能够消除器件相互接触而损伤的 问题。根据方案2所记载的发明，在对粘接带的粘贴有晶片的部分进行加热而使其变柔 软之后，对粘接带进行扩展，从而与一个个器件对应地分割芯片贴膜，然后对粘接带的粘贴 有芯片贴膜的部分进行吸引保持，以维持分割后的状态，在返回至待机位置时，对被晶片和 环状框架所夹的区域内的松弛的粘接带进行加热，使粘接带的弹力恢复，通过与欲使粘接 带返回至原来状态的力相辅相成地进行冷却，来使粘接带进一步收缩，从而粘接带形成为 像鼓那样绷紧的状态。其结果为，维持了相邻的器件与器件之间的间隔，能够消除器件相互 接触而损伤的问题。另外，根据本发明，由于粘接带的中央部不下垂，所以能够将经粘接带支承于环状 框架的晶片容易地收纳到盒内。
图1是激光加工装置的概略立体图。图2是激光束照射单元的方框图。图3是经切割带支承于环状框架的晶片的立体图。图4是变质层形成方法的说明图。图5是粘接带扩展装置的纵剖视图。图6是粘接带扩展工序的说明图。图7是粘接带第二柔软化工序的说明图。图8是松弛除去工序的说明图。图9与图5类似，其是在粘接带上经DAF粘贴有被分割成一个个器件后的晶片的 状态下的粘接带扩展装置的纵剖视图。图10是粘接带扩展工序的说明图。标号说明W 晶片；T 粘接带(切割带)；F 环状框架；2 激光加工装置；20 卡盘工作台；46 激光束照射单元；50 聚光器(激光头)；60 粘接带扩展装置；62 晶片保持工作台； 74 外筒；76 夹紧器；84 :DAF (芯片贴膜)。
具体实施例方式下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。图1表示激光加工装置2的 概略立体图。激光加工装置2包含有一对导轨6，这一对导轨6安装在静止基座4上并且沿 X轴方向伸长。X轴移动块8通过X轴进给机构(X轴进给构件)14而在加工进给方向、即X轴方 向移动，该X轴进给机构14由滚珠丝杠10和脉冲电动机12构成。在X轴移动块8上经圆 筒状支承部件22安装有卡盘工作台20。卡盘工作台20具有由多孔质陶瓷等形成的吸附部(吸附卡盘)24。在卡盘工作台 20配设有用于夹紧图3所示的环状框架F的多个(在本实施方式中为4个)夹紧器26。X轴进给机构包括刻度尺16，其沿导轨6配设在静止基座4上；以及读取头18， 其配设于X轴移动块8的下表面，用于读取刻度尺16的X坐标值。读取头18与激光加工 装置2的控制器连接。在静止基座4上还固定有沿Y轴方向伸长的一对导轨28。Y轴移动块30通过Y 轴进给机构(分度进给机构)36而在Y轴方向移动，该Y轴进给机构36由滚珠丝杠32和 脉冲电动机34构成。在Y轴移动块30形成有沿Z轴方向伸长的一对(图中仅示出一条)导轨38。Z 轴移动块40通过Z轴进给机构44而在Z轴方向移动，该Z轴进给机构44由未图示的滚珠 丝杠和脉冲电动机42构成。标号46是激光束照射单元，在激光束照射单元46的壳体48中收纳有将在后面详 细说明的激光束振荡构件等，在壳体48的末端安装有聚光器(激光头)50，该聚光器50使 激光束会聚在应加工的晶片上。在激光束照射单元46的壳体48内，如图2的方框图所示地配设有激光束振荡构 件51和激光束调制构件53。作为激光束振荡构件51，可以使用YAG激光振荡器或YV04激光振荡器。激光束调 制构件53包括重复频率设定构件55、激光束脉冲宽度设定构件57以及激光束波长设定构 件59。构成激光束调制构件53的重复频率设定构件55、激光束脉冲宽度设定构件57以 及激光束波长设定构件59是公知形态的构件，在本说明书中省略其详细的说明。校准单元(校准构件)52安装于壳体48。校准单元52具有对保持于卡盘工作台 20的晶片W进行摄像的摄像单元(摄像构件)54。聚光器50和摄像单元54配置成在X轴 方向排成一列。如图3所示，在作为激光加工装置2的加工对象的半导体晶片W的表面，正交地形 成有第一间隔道Sl和第二间隔道S2，在被第一间隔道Sl和第二间隔道S2划分出的区域形 成有大量的器件D。晶片W粘贴于作为粘接带的切割带T，切割带T的外周部粘贴于环状框架F。由此， 晶片W成为经切割带T支承于环状框架F的状态，通过利用图1所示的夹紧器26夹紧环状框架F，该晶片W被支承固定在卡盘工作台20上。当晶片W吸引保持在卡盘工作台20上、并且环状框架F被夹紧器26夹紧时，实施 用于检测应利用激光头50进行加工的区域的校准。关于该校准，利用摄像单元54对应进行激光加工的区域进行摄像，根据由摄像得 到的图像，通过图案匹配等图像处理来检测应进行激光加工的间隔道，由此完成该校准。在校准结束后，如图4的(A)所示，使卡盘工作台20向照射激光束的激光束照射 单元46的聚光器50所在的激光束照射区域移动，将校准后的间隔道Sl的一端定位于激光 束照射单元46的聚光器50的正下方。然后，使卡盘工作台20向X轴方向移动，如图4的(B)所示，当激光束照射单元46 的聚光器50的照射位置到达间隔道Sl的另一端后，使脉冲激光束的照射停止，并且使卡盘 工作台20的移动停止。在进行该激光加工时，将脉冲激光束的聚光点P如图4的(A)所示地定位于晶片 W的厚度方向中间部。其结果为，如图4的⑶所示，在晶片W的内部形成有沿着间隔道Sl 的变质层58。在晶片W的内部形成变质层58的激光加工条件例如设定如下。光源LD激发Q开关Nd:YV04激光波长1064nm平均输出1W脉冲宽度40ns重复频率100kHz聚光点直径Φ 1 μ m加工进给速度IOOmm/秒如上所述，在沿着晶片W的所有间隔道Sl实施了变质层形成工序后，将卡盘工作 台20旋转90度，沿着与第一间隔道Sl正交的第二间隔道S2实施变质层形成工序。由此， 在晶片W的内部沿着所有的间隔道Si、S2形成了变质层。关于通过粘接带扩展装置来使这样沿着间隔道Si、S2形成有变质层58的晶片W 断裂而分割成一个个器件的本发明第一实施方式的粘接带的扩展方法，参照图5至图8进 行说明。参照图5，示出了在晶片保持工作台62上搭载有晶片W的状态下的粘接带扩展装 置60的纵剖视图，所述晶片W形成有沿着间隔道Si、S2的变质层。晶片保持工作台62具有由多孔质陶瓷等形成的吸附部(吸附卡盘)64。在吸附 部64的下方配设有对吸附部64进行加热的加热器66，在加热器66的下侧配设有隔热部件 68。晶片保持工作台62的中心孔70与真空吸引源72连接。围绕着晶片保持工作台62配设有外筒74。通过未图示的移动构件，外筒74在图 5所示的待机位置和图6所示的扩展位置之间沿上下方向移动。在外筒74安装有作为保持环状框架F的框架保持构件的多个夹紧器76。晶片保 持工作台62和外筒74之间的空间78构成为有选择地与加热源80和冷却源82连接。下面，对本发明第一实施方式的粘接带的扩展方法进行详细说明。首先，如图5所 示，将经粘接带T支承于环状框架F的晶片W载置在晶片保持工作台62上，通过作为框架
8保持构件的夹紧器76夹紧环状框架F。此时，吸引源72不动作，从而不使吸附部64产生吸 引力。接着，实施粘接带第一柔软化工序，在该粘接带第一柔软化工序中，通过加热器66 对晶片保持工作台62的吸附部64进行加热，从而使粘接带T的粘贴有晶片W的部分变柔 软。此时的加热温度优选在40°C 100°C的范围内。接着，实施粘接带扩展工序，在该粘接带扩展工序中，使外筒74的移动构件工作， 如图6所示，将外筒74相对于晶片保持工作台62向箭头A方向拉低而定位于扩展位置，从 而使粘接带T向半径方向扩展。由此，由于对晶片W施加了外力，所以晶片W沿着变质层58 断裂而分割成一个个器件D。在实施粘接带扩展工序、从而将晶片W分割成一个个器件D后，使吸引源72工作， 使晶片保持工作台62的吸附部64产生吸引力，从而利用吸附部64来吸引保持向半径方向 扩展了的状态下的粘接带T。接着，使外筒74的移动构件工作，如图7所示，使外筒74向箭头B方向上升从而定 位于待机位置。当如图6所示地在扩展位置被暂时扩展后的粘接带T返回至待机位置时， 如图7所示，在粘接带T产生松弛。因此，实施粘接带第二柔软化工序，在该粘接带第二柔软化工序中，通过加热源80 对晶片W的外周和环状框架F之间的粘接带T如箭头C所示地进行加热，使其变柔软。由 此，粘接带T的弹力恢复，从而产生欲使粘接带T返回原来状态的力。粘接带第二柔软化工 序中的加热温度优选在80°C 300°C的范围内。在实施了粘接带第二柔软化工序后，如图8所示，将加热源80切换为冷却源82，对 晶片W的外周和环状框架F之间的粘接带T如箭头D所示地进行冷却。由此，粘接带T进 一步收缩而形成为像鼓那样绷紧的状态，从而松弛被除去。此外，该冷却是在常温下进行的 冷却或者在_5V 20°C之间积极地进行冷却。在本实施方式中，利用吸附部64吸引保持粘接带T，从而维持了粘接带T的粘贴 有晶片W的部分的扩展状态，同时除去了粘接带T的松弛，因此维持了相邻的器件D之间的 间隔增大后的状态，消除了器件相互接触而损伤的问题。而且，由于粘接带T的中央部不下 垂，所以能够将经粘接带T支承于环状框架F的晶片W容易地收纳到盒中。在实施了粘接带T的松弛除去工序后，解除夹紧器76的夹紧，并且解除晶片保持 工作台62的吸引力，将粘贴于粘接带T的晶片W与环状框架F —起从粘接带扩展装置60 搬出。接下来，参照图9和图10，对本发明第二实施方式的粘接带的扩展方法进行说明。 该第二实施方式是在利用预切割法分割成了一个个器件的晶片W的背面粘贴DAF(芯片贴 膜)、并通过粘接带的扩展来与一个个器件对应地分割DAF的实施方式。众所周知，该预切割法是这样的技术从晶片W的表面沿着分割预定线(间隔道) S1、S2形成预定深度(与器件D的完成厚度相当的深度)的分割槽，然后，在晶片W的表面 粘贴保护带，将保护带侧吸引保持于磨削装置的卡盘工作台，对晶片W的背面进行磨削，使 分割槽露出于背面，从而将晶片W分割成一个个器件D。在本实施方式的粘接带的扩展方法中，首先，作为其前一工序，在利用预切割法分 割成了一个个器件的晶片W的背面粘贴DAF，将DAF粘贴到支承于环状框架F的粘接带T。
9接着，将粘贴于晶片W的表面的保护带剥离。在图9中示出了该状态。在本发明的第二实施方式中，如图9所示，将经DAF84和粘接带T支承于环状框架 F的晶片W载置在晶片保持工作台62上，通过作为框架保持构件的夹紧器76夹紧环状框架 F。另外，此时与第一实施方式相同，不使晶片保持工作台62的吸附部64产生吸引力。接着，实施粘接带第一柔软化工序，在该粘接带第一柔软化工序中，通过加热器66 对晶片保持工作台62的吸附部64进行加热，从而使粘接带T的粘贴有晶片W的部分变柔 软。与第一实施方式相同，该情况下的加热温度优选在40 100°C的范围内。接着，实施粘接带扩展工序，在该粘接带扩展工序中，如图10所不，使外筒74的移 动构件工作，将外筒74相对于晶片保持工作台62向下方拉低而定位于扩展位置，从而使粘 接带T向半径方向扩展。由此，由于对DAF84施加了外力，所以晶片W的分割槽的宽度增大， 并且DAF84与一个个器件D对应地断裂。接着，实施粘接带保持工序，在该粘接带保持工序中，通过使晶片保持工作台62 产生吸引力，来对粘接带T的粘贴有DAF84的部分作用吸引力，从而对扩展状态下的粘接带 T进行吸引保持。本实施方式的以下工序与参照图7和图8进行了说明的第一实施方式的粘接带第 二柔软化工序、松弛除去工序以及搬出工序相同，因此，为了避免重复而省略其说明。此外，第一实施方式的粘接带的扩展方法也可以应用于这样的变形例在晶片W 的背面粘贴DAFJf DAF粘贴在粘接带T上，在粘接带扩展工序中，在晶片W沿着变质层58 断裂的同时，DAF也沿着变质层58断裂。
权利要求
一种粘接带的扩展方法，该粘接带的扩展方法是通过粘接带扩展装置来对粘贴有晶片的粘接带进行扩展、从而使晶片沿着变质层断裂的粘接带的扩展方法，所述粘接带扩展装置包括框架保持构件，其对配设于粘接带外周的环状框架进行保持，所述粘接带上粘贴有具有变质层的晶片，所述变质层沿着形成为格子状的分割预定线形成于晶片内部；晶片保持工作台，其对粘贴于所述粘接带的晶片进行保持；以及移动构件，其使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台在待机位置和扩展位置之间相对移动，所述粘接带的扩展方法的特征在于，该粘接带的扩展方法包括以下工序晶片载置工序，在该晶片载置工序中，将经所述粘接带而支承于所述环状框架的晶片载置于所述晶片保持工作台上，并利用所述框架保持构件来保持所述环状框架；粘接带第一柔软化工序，在该粘接带第一柔软化工序中，对所述晶片保持工作台进行加热，从而使所述粘接带的粘贴有晶片的部分变柔软；粘接带扩展工序，在该粘接带扩展工序中，使所述移动构件工作，使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台相对移动而定位于所述扩展位置，使所述粘接带扩展，从而使晶片沿着所述变质层断裂；粘接带保持工序，在该粘接带保持工序中，使所述晶片保持工作台产生吸引力，从而对所述粘接带进行吸引保持；粘接带第二柔软化工序，在该粘接带第二柔软化工序中，使所述移动构件工作，使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台相对移动而定位于所述待机位置，并且对晶片的外周和所述环状框架之间的所述粘接带进行加热使其变柔软；松弛除去工序，在实施了所述粘接带第二柔软化工序后，实施该松弛除去工序，在该松弛除去工序中，对晶片的外周和所述环状框架之间的所述粘接带进行冷却，从而将松弛除去；以及搬出工序，在该搬出工序中，解除所述框架保持构件，并且解除所述晶片保持工作台的吸引力，将粘贴于所述粘接带的晶片与所述环状框架一起从所述粘接带扩展装置搬出。
2.一种粘接带的扩展方法，该粘接带的扩展方法是通过粘接带扩展装置来对经芯片贴 膜粘贴有晶片的粘接带进行扩展、从而使分割槽的宽度增大并且使所述芯片贴膜沿着所述 分割槽断裂的粘接带的扩展方法，所述粘接带扩展装置包括框架保持构件，其对配设于粘 接带外周的环状框架进行保持，所述粘接带上经所述芯片贴膜粘贴有晶片，所述晶片具有 形成为格子状的分割槽；晶片保持工作台，其对粘贴于所述粘接带的晶片进行保持；以及 移动构件，其使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台在待机位置和扩展位置之间相对 移动，所述粘接带的扩展方法的特征在于，该粘接带的扩展方法包括以下工序晶片载置工序，在该晶片载置工序中，将经所述芯片贴膜和所述粘接带而支承于所述 环状框架的晶片载置于所述晶片保持工作台上，并利用所述框架保持构件来保持所述环状 框架；粘接带第一柔软化工序，在该粘接带第一柔软化工序中，对所述晶片保持工作台进行 加热，从而使所述粘接带的粘贴有晶片的部分变柔软；粘接带扩展工序，在该粘接带扩展工序中，使所述移动构件工作，使所述框架保持构件和所述晶片保持工作台相对移动而定位于所述扩展位置，使所述粘接带扩展，从而使所述分割槽的宽度增大并且使所述芯片贴膜沿着所述分割槽断裂；粘接带保持工序，在该粘接带保持工序中，使所述晶片保持工作台产生吸引力，从而对 所述粘接带进行吸引保持；粘接带第二柔软化工序，在该粘接带第二柔软化工序中，使所述移动构件工作，使所述 框架保持构件和所述晶片保持工作台相对移动而定位于所述待机位置，并且对晶片的外周 和所述环状框架之间的所述粘接带进行加热使其变柔软；松弛除去工序，在实施了所述粘接带第二柔软化工序后，实施该松弛除去工序，在该松 弛除去工序中，对晶片的外周和所述环状框架之间的所述粘接带进行冷却，从而将松弛除 去；以及搬出工序，在该搬出工序中，解除所述框架保持构件，并且解除所述晶片保持工作台的 吸引力，将粘贴于所述粘接带的晶片与所述环状框架一起从所述粘接带扩展装置搬出。
3.根据权利要求1或2所述的粘接带的扩展方法，其特征在于， 所述粘接带由聚氯乙烯或聚烯烃构成，所述粘接带第一柔软化工序中的加热温度为40°C 100°C，所述粘接带第二柔软化工 序中的加热温度为80°C 300°C。
全文摘要
本发明提供一种粘接带的扩展方法，其能够使晶片可靠地沿变质层断裂成一个个器件。所述粘接带的扩展方法包括粘接带第一柔软化工序，对晶片保持工作台进行加热，从而使粘接带的粘贴有晶片的部分变柔软；粘接带扩展工序，将外筒拉低而定位于扩展位置，使粘接带扩展，从而使晶片沿着变质层断裂；粘接带保持工序，使晶片保持工作台产生吸引力，从而对粘接带进行吸引保持；粘接带第二柔软化工序，使外筒上升而定位于待机位置，然后对晶片的外周和环状框架之间的粘接带进行加热使其变柔软；以及松弛除去工序，对晶片的外周和环状框架之间的粘接带进行冷却，从而将松弛除去。
文档编号H01L21/68GK101887841SQ201010170598
公开日2010年11月17日 申请日期2010年4月29日 优先权日2009年5月11日
发明者中村胜 申请人:株式会社迪思科