专利名称：片式差分对管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元器件领域，具体涉及一种片式差分对管，广泛应用于仪器 仪表、通讯及各种电子线路中。
技术背景表面贴装半导体器件(SMD)由于其体积小，集成度高，被广泛的应用于电子通讯、 计算机、电子仪器、彩电、充电器等产品，但是目前市场上大多是直接将单个三极管或二极 管制成表面贴装式，虽然管子的体积减小了，但是元器件的数量并没有减少，所占据的电路 板的面积还是比较大，也没有简化操作，已经越来越不能满足电子信息产品越来越朝着小 型化、轻薄化、高速化的趋势发展的需要了。
发明内容为解决现有技术的不足，本实用新型提供了一种片式差分对管，旨在使器件更加 集成，占据更小面积，简化操作，提高产品的热稳定性，提高器件的可靠性，进一步降低成 本。本实用新型是这样实现的片式差分对管，它由两个三极管晶片Tl、T2和五个金 属引出脚封装而成，脚一作为三极管Tl的基极Bl ；脚二作为三极管Tl发射极El与三极管 T2发射极E2的共同极；脚三作为三极管T2的基极B2 ；脚四作为三极管T2的集电极C2，其 上贴装三极管T2 ；脚五作为三极管Tl的集电极Cl，其上贴装三极管Tl ；三极管Tl之基极 Bl和发射极El分别通过导线与脚一和脚二相连接；三极管T2之基极B2和发射极E2分别 通过导线与脚三和脚二相连接。在直流放大电路中常采用热敏电阻来补偿零点漂移问题，但效果并不理想，本实 用新型采用两只特性相同的半导体三极管组成一个放大电路，利用两只三极管的零漂具有 相同变化关系的特点，使其相互抵消.就可以使补偿好得多。本实用新型与现有技术相比所具有的优点是采用此片式差分对管后可以进一步 缩小线路板的使用面积、使原材料大幅减少、简化操作、提高生产率、降低成本。
图1是本实用新型的电路图。图2是本实用新型的外型图。图3是本实用新型的内部结构图。图中序号1、脚一，2、脚二，3、脚三，4、脚四，5、脚五。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型作进一步的详细描述，但不构成对本实用 新型的任何限制[0012]根据图1、图2、图3可知，本实施例片式差分对管，由两个三极管晶片Tl、T2和五 个金属引出脚封装而成，脚一 1作为三极管Tl的基极Bl ；脚二 2作为三极管Tl发射极El 与三极管T2发射极E2的共同极；脚三3作为三极管T2的基极B2 ；脚四4作为三极管T2 的集电极C2，其上贴装三极管T2 ；脚五5作为三极管Tl的集电极Cl，其上贴装三极管Tl ； 三极管Tl之基极Bl和发射极El分别通过导线与脚一 1和脚二 2相连接；三极管T2之基 极B2和发射极E2分别通过导线与脚三3和脚二 2相连接。所述的五个金属引出脚采用 S0T-23封装形式，用铁镍合金镀银的引线框架，塑封成型后采用先进的脉冲镀锡工艺，以确 保引出脚的可焊性、平整性，镀锡后切筋而成型；脚五5的内端用银浆或共晶焊接工艺贴装 三极管Tl，用同样方法在脚四4的内端贴装三极管T2，用金丝将三极管Tl的基极Bl和发 射极El分别与脚一 1和脚二 2连接，再用金丝将三极管T2的基极B2和发射极E2分别与 脚三3和脚二 2相连接。本实用新型与现有技术相比所具有的优点是采用此器件后可以进一步缩小线路 板的使用面积、使原材料大幅减少、简化操作、提高生产率、降低成本。
权利要求1.片式差分对管，其特征在于它由两个三极管晶片Tl、T2和五个金属引出脚封装而 成，脚一(1)作为三极管Tl的基极Bl ；脚二(2)作为三极管Tl发射极El与三极管T2发射 极E2的共同极；脚三(3)作为三极管T2的基极B2 ；脚四(4)作为三极管T2的集电极C2， 其上贴装三极管T2 ；脚五(5)作为三极管Tl的集电极Cl，其上贴装三极管Tl ；三极管Tl 之基极Bl和发射极El分别通过导线与脚一(1)和脚二( 相连接；三极管T2之基极B2 和发射极E2分别通过导线与脚三(3)和脚二⑵相连接。
专利摘要本实用新型公开了一种片式差分对管，它由两个三极管晶片T1、T2和五个金属引出脚封装而成，脚一作为三极管T1的基极B1；脚二作为三极管T1发射极E1与三极管T2发射极E2的共同极；脚三作为三极管T2的基极B2；脚四作为三极管T2的集电极C2，其上贴装三极管T2；脚五作为三极管T1的集电极C1，其上贴装三极管T1；三极管T1之基极B1和发射极E1分别通过导线与脚一和脚二相连接；三极管T2之基极B2和发射极E2分别通过导线与脚三和脚二相连接，其具有缩小线路板的使用面积、原材料大幅减少、简化操作、降低成本、提高生产率的优点。
文档编号H01L23/48GK201893337SQ20102025563
公开日2011年7月6日 申请日期2010年7月6日 优先权日2010年7月6日
发明者易申, 钱宝龙 申请人:兴化市华宇电子有限公司