专利名称：高亮发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子领域，尤其是一种高亮发光二极管。
背景技术：
目前的发光二极管主要包括导电基板、环氧树脂、发光晶片，其中，发光晶片与普 通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性，当给发光二极管加上正向电压后， 从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的 电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光，不同的半导体材料中电子和空穴所处的能 量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光 的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。然而，由于目前普遍采用的磷砷化镓、磷化镓、碳化硅等材料均为非透明材料，实 际上，在电子与空穴复合的过程中，只有PN结外围的一圈粒子所发射的光可射向二极管外 部，而PN结内部所发射的光则被PN结本身所遮挡，因此，目前的发光二极管亮度尚不够高。
发明内容针对上述问题，本实用新型的目的在于提供一种高亮发光二极管，该高亮发光二 极管不仅可在正向电压下发光，而且可以克服PN结内部光线被遮挡的问题，提供极高亮度 的光芒。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种高亮发光二极管，包括金属导电基板、正极引脚、负极引脚、外壳、晶片，所述 晶片又包括N型半导体、P型半导体以及夹在它们中间的透明导体，晶片两端各有一个金属 导电基板，其中P型半导体侧的金属导电基板与正极引脚连接，N型半导体侧的金属导电基 板与负极引脚连接，所述的外壳为环氧树脂材料，将金属导电基板、晶片包裹在内，并将正 极引脚、负极引脚固定。作为优选，所述N型半导体为掺硅的磷砷化镓半导体。作为优选，所述的金属导电基板与N型半导体及P型半导体的端面完全重合，以改 善电流的均勻分布。作为优选，所述透明导体包括绝缘透明体与金属丝，金属丝具有多根，穿在绝缘透 明体内部，两端连接N型半导体和P型半导体。作为优选，所述透明导体的绝缘透明体为二氧化硅。作为优选，所述N型半导体和P型半导体相对的表面均为凸面，既扩大了 PN结面， 亦即发光面，又可使光线向外部发散。本实用新型的有益效果是该高亮发光二极管将传统发光二极管的N型半导体和 P型半导体的接触面分开，亦即，将原封闭型PN结改变为开放式PN结，并通过透明导体使 之导通，这样，N型半导体和P型半导体的相对面附近区域仍然组成一个空间电荷区(即PN 结)，当给该二极管加正向电压后，在N型半导体和P型半导体的相对面上，电子和空穴连续复合并发光，且整个PN结所发光线均可从透明导体内射出，使二极管对外表现出极高亮度。
附图1是本高亮发光二极管的结构示意图；图中标号1，金属导电基板；2，正极引脚；3，负极引脚；4，外壳；5，N型半导体；6， 透明导体；7，P型半导体。
具体实施方式
下面通过实施例，结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明实施例1 如图1所示，一种高亮发光二极管，包括金属导电基板1、正极引脚2、负极引脚3、 外壳4、晶片，所述晶片又包括N型半导体5、P型半导体7以及夹在它们中间的透明导体6， 晶片两端各有一个金属导电基板，其中P型半导体侧的金属导电基板与正极引脚连接，N型 半导体侧的金属导电基板与负极引脚连接，所述的外壳为环氧树脂，将金属导电基板、晶片 包裹在内，并将正极引脚、负极引脚固定。N型半导体为掺硅的磷砷化镓半导体，金属导电基 板与N型半导体及P型半导体的端面完全重合，以改善电流的均勻分布。上述的高亮发光二极管，所述透明导体6包括绝缘透明体与金属丝，金属丝具有 多根，穿在所述绝缘透明体内部，两端连接所述的N型半导体和P型半导体。上述的高亮发光二极管，所述透明导体的绝缘透明体为二氧化硅。上述的高亮发光二极管，所述N型半导体和P型半导体相对的表面均为凸面，既扩 大了 PN结面，亦即发光面，又可使光线向外部发散。 上述的高亮发光二极管将传统发光二极管的N型半导体和P型半导体的接触面分 开，亦即，将原封闭型PN结改变为开放式PN结，并通过透明导体使之导通，这样，N型半导 体和P型半导体的相对面附近区域仍然组成一个空间电荷区(即PN结)，当给该二极管加 正向电压后，在N型半导体和P型半导体的相对面上，电子和空穴连续复合并发光，且整个 PN结所发光线均可从透明导体内射出，使二极管对外表现出极高亮度。 本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所 属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似 的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
权利要求1.一种高亮发光二极管，包括金属导电基板(1)、正极引脚(2)、负极引脚(3)、外壳 (4)、晶片，所述的外壳为环氧树脂材料制成，将金属导电基板、晶片包裹其中，并将正极引 脚、负极引脚固定，所述晶片包括N型半导体(5)和P型半导体(7)，晶片两端各有一个金属 导电基板，其中P型半导体侧的金属导电基板与正极引脚连接，N型半导体侧的金属导电基 板与负极引脚连接，其特征在于所述晶片除N型半导体、P型半导体外还包括一层透明导 体，它夹在N型半导体和P型半导体中间。
2.根据权利要求1所述的高亮发光二极管，其特征在于所述N型半导体为掺硅的磷 砷化镓半导体。
3.根据权利要求1所述的高亮发光二极管，其特征在于所述的金属导电基板与N型 半导体及P型半导体的端面完全重合。
4.根据权利要求1所述的高亮发光二极管，其特征在于所述透明导体包括绝缘透明 体和金属丝，金属丝具有多根，穿在绝缘透明体内部，两端连接N型半导体和P型半导体。
5.根据权利要求4所述的高亮发光二极管，其特征在于所述透明导体的绝缘透明体 为二氧化硅。
6.根据权利要求1或3所述的高亮发光二极管，其特征在于所述N型半导体和P型 半导体相对的表面均为凸面。
专利摘要本实用新型提供一种高亮发光二极管，包括金属导电基板、正极引脚、负极引脚、外壳、晶片，所述晶片又包括N型半导体、P型半导体以及夹在它们中间的透明导体，晶片两端各有一个金属导电基板，其中P型半导体侧的金属导电基板与正极引脚连接，N型半导体侧的金属导电基板与负极引脚连接，所述的外壳为环氧树脂材料，将金属导电基板、晶片包裹在内，并将正极引脚、负极引脚固定。该高亮发光二极管不仅可在正向电压下发光，而且可以克服PN结内部光线被遮挡的问题，提供极高亮度的光芒。
文档编号H01L33/02GK201780985SQ20102028359
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月4日 优先权日2010年8月4日
发明者姜跃忠 申请人:姜跃忠