专利名称：具有独立电传与热传路径的发光二极管及其制造方法
技术领域：
基本上本发明系关于光电元件，且更特别是关于一种具有独立电传和热传路径的并列式发光二极管(side by side light emitting diode)，以及关于此发光二极管(LED) 的制造方法。
背景技术：
一个光电系统，例如发光二极管(LED)显示器，可包含由从数百到数千个发光二极管(LED)所形成的阵列。发光二极管(LED)可产生大量的热，其必须被驱散。此外，与发光二极管(LED)联结的LED电路亦可产生热。热可负面地影响发光二极管(LED)和LED电路两者。例如，热可缩短发光二极管(LED)和LED电路的生命周期。热亦可造成发光二极管(LED)的意外烧毁、以及LED电路中的信号传输错误。光电系统中的散热作用可包含导热元件(例如导线架)，以及散热元件(例如散热片)。然而，若导热元件亦用于电传路径、或接近于电传路径的元件则可能产生问题。在这种状况下，热增益可为累积的，进一步负面影响装置可靠度。有鉴于上述，本技艺中尚需要具有改良电传和热传路径的改良发光二极管(LED)、 以及此发光二极管(LED)的制造方法。然而，相关技艺及与其相关的局限的上述例子系用以说明而非用以严格限制。熟悉本技艺者经由阅读本说明书以及细察图式，当可了解此相关技艺的其它局限。
发明内容
一种并列式发光二极管，包含一电传路径以及一热传路径，其实质上为彼此独立的。此发光二极管，包含导热基板，其具有至少一电性隔离层，用以提供从导热基板的前侧 (第一侧)到背侧(第二侧)而通过导热基板的热传路径。此发光二极管亦包含具有接通连接的阳极以及具有接通连接的阴极，其并列式地排列于基板上。此发光二极管亦包含LED 晶片，其固定于基板前侧(第一侧)上而与阳极和阴极电性通信。电传路径系从背侧(第二侧)到前侧(第一侧)而通过阳极、通过LED晶片、然后从前侧(第一侧)到背侧(第二侧)而通过阴极。热传路径系从LED晶片通过前侧(第一侧)上的电性隔离层，并且从前侧(第一侧)到背侧(第二侧)而通过基板。一种并列式发光二极管的制造方法，包含以下步骤提供导热基板；在基板第一侧上并列式地形成阳极通孔和阴极通孔，且其部份穿过基板；形成电性绝缘隔离层于第一侧上且于阳极通孔和阴极通孔中；形成阳极接通连接于阳极通孔中以及阴极接通连接于阴极通孔中；将基板从第二侧到阳极接通连接和阴极接通连接加以薄化；以及将LED晶片固定于第一侧上而与阴极接通连接和阳极接通连接电性通信。
例示实施例系参照图式而说明之。本案所揭露的实施例和图式应认定为例示用而非限制用。图IA为具有导热基板的并列式发光二极管(LED)的横剖面示意图；图IB为图IA的沿着截线1B-1B的并列式发光二极管(LED)的平面示意图；图2A-2I为说明图IA的并列式发光二极管(LED)的制造方法的步骤的横剖面示意图；图3为具有稽纳二极管结构和η型半导体基板的并列式发光二极管(LED)的可供选择的实施例的横剖面示意图；图3A为图3的发光二极管(LED)的电性示意图；以及图4A-图4C为说明另一可供选择的并列式发光二极管(LED)实施例的横剖面示意图，其用以固定于具有定位放置的焊锡凸块的基板上。主要元件符号说明10A/10B/10C 发光二极管IlA 电传路径12A/12C 导热基板13A热传路径14A/14B/14C LED 晶片16A/16B/ 阳极18A/18B/ 阴极20A/20B/20C 前侧22A/22B/22C 背侧24A/24C 硅基板24B η型半导体基板26Β ρ+ 层28Β η+ 层30A/30B/30C 阳极接通连接32A/32B/32C 阴极接通连接34Α 半导体晶圆36A/36C 阴极通孔38A/38B/38C 隔离层46A/46C 阳极通孔48Α金属化层50Α 光罩52Α 开口54A/54B/54C 阴极导体56A/56B/56C 阳极导体58Α/58Β 接合层60Α背侧接触点62Α背侧接触点77Α 电极
78C 基板80C 定位凸块D 直径d2 直径Tl 全厚度T2 厚度χ 深度
具体实施例方式参照图IA和1B，并列式发光二极管IOA包含导热基板12A、以及固定于导热基板 12A上的LED晶片14A。导热基板12A包含前侧20A、背侧22A、硅基板24A以及电性绝缘隔离层38A。如以下将进一步说明的，导热基板12A提供了垂直电性隔离以及导热的热传路径。发光二极管IOA亦包含阳极16A，形式上有与LED晶片14A电性通信的阳极接通连接30A ；以及阴极18A，形式上有与LED晶片14A电性通信的阴极接通连接32A。阳极16A 和阴极18A被并列式地设置于导热基板12A上，因此发光二极管IOA被称为并列式发光二极管。此外，阳极接通连接30A包含背侧接触点60A，而阴极接通连接32A包含背侧接触点 62A。背侧接触点60A、62A提供了往来配合基板(图中未示，例如PCB(印刷电路板)、主机板或模组基板)的电性接点。如图IB所示，发光二极管IOA亦包含与阴极接通连接32A电性通信的阴极导体 54A，以及与阳极接通连接30A电性通信的阳极导体56A。此外，LED晶片14A可包含η电极 77Α，用以对阴极接通连接32Α做电性连接。阴极导体54Α和阳极导体56Α可包含部份的藉由隔离层38Α而与硅基板24Α电性绝缘的图案化金属化层48Α。此外，可按尺寸和形状来形成阳极导体56Α以提供安装座，且在实施例中将进一步说明LED晶片14A用的电性接触座。如图IA所示，通过发光二极管IOA的电传路径IlA可从背侧接触点60A经过阳极接通连接30A与阳极16A、经过阳极导体56A、经过LED晶片14A、经过阴极接通连接32A和阴极18A，而到达背侧接触点62A。电传路径IlA亦可包含藉由打线接合到阴极导体54A和 η电极77Α而形成的金属线(图中未示)、或藉由与阴极导体54Α和η电极77Α电性接触的导电材料的图案化、截割、喷墨印刷或网版印刷而形成的导体(图中未示)。亦如图IA所示，通过发光二极管IOA的热传路径13Α可从LED晶片14A、经过隔离层38A且经过硅基板24A而到达背侧22A。因此电传路径IlA和热传路径13A系实质上独立的，而不是沿着相同路径，这样保护了电传路径的可靠度。此外，可将LED晶片14A直接放置于隔离层38A之上，这样提供了从LED晶片14A通过硅基板24A的直接热传路径。参照图2A-图21，其说明发光二极管10A(图1A)的制造方法的步骤。尽管为了说明的目的，此方法的步骤系展示为特定的顺序，此方法亦可依不同顺序来实行。一开始，如图2A所示，可提供硅基板24A。在所说明的实施例中，硅基板24A包含硅(Si)。然而，可用其它材料(例如GaAs、SiC、AlN、Al203、或蓝宝石)来取代硅基板24A。硅基板24A可包含具有从50到450mm的标准直径D与从约50到1000 μ m的全厚度Tl的半导体晶圆34A。半导体晶圆34A允许标准晶圆制造设备被用以执行晶圆等级方法。例如，直径150mm晶圆具有约675 μ m的全厚度(Tl)；直径200mm晶圆具有约725 μ m的全厚度(Tl)；以及直径300mm 晶圆具有约775 μ m的全厚度(Tl)。接着，如图2B所示，阴极和阳极通孔形成步骤可使用遮罩(图中未示，例如氧化或氮化硬遮罩)以及适当的处理(例如湿式或干式蚀刻、或激光钻孔)来执行，以形成阴极通孔36A和阳极通孔46A于硅基板24A中。阴极和阳极通孔形成步骤的终点可为形成阴极通孔36A和阳极通孔46A于前侧20A上而其部份穿过硅基板24A，例如，具有与前侧20A距离 1到500 μ m的深度X0例如，可使用以湿式蚀刻剂(例如KOH(44% )或TMAH(25% )溶液) 所执行的结晶图形蚀刻处理来形成阴极通孔36A和阳极通孔46A。此湿式蚀刻剂可用以依约1 μ m/min的速率来蚀刻<100>Si，同时依<1 A/min的速率来蚀刻Si3N4以及依<20 A/min 的速率来蚀刻SiO2，而以慢得多的速率来蚀刻<11 l>Si (即<100>Si蚀刻速率的1/100)。可使用HF、HNO3CH3COOH和H2O的溶液来执行等向蚀刻处理。如图2B所示，藉由结晶图形蚀刻处理，可较佳地蚀刻阴极通孔36A和阳极通孔 46A，而具有与水平线(即平行于前侧20A平面的线)成约7度角倾斜的侧壁。此外，阴极通孔36A和阳极通孔46A可包含具有所需直径d2 (例如1-500 μ m)的平面底面，此直径取决于遮罩中开口的尺寸以及蚀刻时间。除了湿式蚀刻，可使用干式蚀刻处理(例如BOSCH 蚀刻)来形成阴极通孔36A和阳极通孔46A。作为其它的选择，钻孔处理(例如激光钻孔、 机械钻孔或切割钻孔)亦可用来形成阴极通孔36A和阳极通孔46A。如图IB所示，当从上方看时，阴极通孔36A和阳极通孔46A可具有一股圆周形状，或者可具有任何适当的周边形状，例如矩形、正方形、或多边形。接着，如图2C所示，可执行隔离层形成步骤以形成隔离层38A于硅基板24A的前侧20A上，以及于阴极通孔36A和阳极通孔46A的侧壁上。隔离层38A较佳是具有小的厚度(例如100 A到Iym),使得阴极通孔36A和阳极通孔46A维持敞开。隔离层38A可包含电性绝缘材料，例如氧化物(如SiO2)或氮化物(如Si3N4),其可在适当处长成，或者是使用适当的沉积处理(例如CVD、PECVD、或ALD)来沉积。其它适当的介电层包含使用适当处理所沉积的Al203、Ta205和氧化钛。亦可使用蒸气或干式氧化处理来热成长Si02。作为其它选择，隔离层38A可包含使用适当涂布或沉积处理所形成的钻石或钻石类涂布或沉积。作为另一选择，隔离层38A可包含高分子材料，例如聚酰亚胺(polyimide)，其可使用适当处理 (例如经由喷嘴沉积或电泳法)来沉积于前侧20A上以及于阴极通孔36A和阳极通孔46A 中。作为再一选择，隔离层38A可包含例如聚对二甲苯(parylene)的高分子，其可使用CVD 来气相沉积于前侧20A上以及于阴极通孔36A和阳极通孔46A中。接着，如图2D所示，可执行导电层形成步骤以形成导电金属化层48A于隔离层38A 上，位于前侧20A上以及阴极通孔36A和阳极通孔46A中。金属化层48A可包含高导电金属(例如Ti、Ta、Cu、W、Tiff, Hf、Ag、Au或Ni)的单一层，其系使用溅镀、PVD、CVD、蒸镀、电化学沉积、或无电化学沉积法来沉积。然而，除了单一材料层，金属化层48A亦可包含多金属迭层，例如由导电层和接合层所构成的双金属迭层(如Ni/Cu、Ti/Cu、TiW/Cu)、或如Ta/ TaN/Cu/Ni/Au及这些金属的合金的多层。可使用适当沉积处理(即加成处理)，例如PVD、 无电沉积、电镀、或经由遮罩(图中未示)的PVD法来形成金属化层48A。作为其它例子， 可藉由金属层的全体沉积接着经由遮罩蚀刻(即减成处理)而形成金属化层48A。在所说明的实施例中，可执行导电层形成步骤以形成其厚度未完全填满阴极通孔36A和阳极通孔46A的金属化层48A。特别是，金属化层48A系沿着通孔36A、46A的侧壁排列而非填满通孔 36A、46A。接着，如图2E所示，可将光阻层形成于硅基板24A的前侧20A，并且可使用光微影处理来形成具有所需尺寸和形状的开口 52A图案的光罩50A。开口 52A可用于利用适当的湿式或干式蚀刻剂来蚀刻金属化层48A，以形成阴极导体54A(图1B)和阳极导体56A(图 1B)于前侧20A上。如图2F所示，在形成开口 52A之后，可使用适当的剥除处理来移除光罩50A。阴极通孔36A中的金属化层48A系与阴极导体54A(图1B)电性通信，而阳极通孔 46A中的金属化层48A系与阳极导体56A(图1B)电性通信。接着，如图2G所示，可执行接通连接形成步骤以形成阳极接通连接30A于阳极通孔46A中以及阳极通孔46A周围的前侧20A上。接通连接形成步骤亦形成阴极接通连接32A 于阴极通孔36A中以及阴极通孔36A周围的前侧20A上。阳极接通连接30A和阴极接通连接32A可包含利用可流动金属沉积于通孔36A、46A中而形成于金属化层48A上的金属(例如焊锡、镍)球、凸块或针。例如，可沉积、或经由遮罩来网版印刷可流动金属(如焊锡或金属糊(metal paste))，以填充通孔36A、46A并且形成接通连接30A、32A如金属凸块。亦可利用球形焊接(ball bonding)处理或锡球凸块(stud bumping)处理来形成阳极接通连接 30A和阴极接通连接32A。亦可利用两步处理(其中通孔36A、46A系由沉积或网版印刷法来填充，接着进行凸块(或球)形成步骤)来形成阳极接通连接30A和阴极接通连接32A。亦可使用许多其它技术来形成阳极接通连接30A和阴极接通连接32A。例如，锡球凸块焊接(solder bump bonding，SBB)在改良打线机中使用焊锡线以将焊锡球直接放置于焊接垫上。打线机的刷磨动作使得焊锡球被接合到焊接垫上。焊锡线在凸块之上被折断， 留下凸块于垫上，在此其可被回焊。锡球凸块焊接系一连串的处理，依最高约每秒8个的速率来一个接一个地产生凸块。其优点为允许比印刷凸块更接近的间距。另一种技术为焊锡喷射(solder jetting)，其藉由控制熔融焊锡的液滴流将焊锡凸块放置于Ni-Au凸块底层金属(under bump metallization,UBM)上。如另一实施例，需求模式喷射系统利用压电或阻抗加热来形成液滴，非常相似于喷墨印刷器的方式。机械定位导引了液滴放置。连续模式喷射系统利用焊锡液滴的连续流藉由带电液滴的静电偏折来控制放置。在所说明的实施例中，接通连接30A、32A包含由可焊接金属(例如焊锡，如SnPd、 SnAg、SnCu、SnAgCu、NiSnAgCu、AuSn)所形成的金属凸块。金属化层48A可包含金属(例如铜)，其吸引且提供黏着性以填充通孔36A、46A。接通连接30A、32A的直径的代表性范围可为从1到1000 μ m。接着，如图2H所示，可从背侧22A执行薄化(thinning)步骤以薄化硅基板24A。 薄化步骤的终点可在接通连接30A、32A。可使用以机械平坦化设备(例如研磨机)所执行的机械平坦化处理来执行薄化步骤。这种机械平坦化处理有时被称为干式抛光。一种适用的机械平坦化设备系由Okamoto所制造，且被命名为型号VG502。亦可利用化学机械平坦化(CMP)设备来执行薄化步骤。适用的化学机械平坦化(CMP)设备可购自如ffestecKSEZ、 Plasma Polishing Systems、和TRUSI等制造商。亦可利用深蚀刻(etch back)处理来执行薄化步骤，例如湿式蚀刻处理、干式蚀刻处理或电浆蚀刻处理，其可单独执行或者是与机械平坦化共同执行。亦可利用多步骤处理来执行薄化步骤，例如背面研磨、接着软抛光步骤、 然后CMP以及清理步骤。硅基板24A的厚度T2可选择为所需的，以从35 μ m到300 μ m作为代表。薄化背侧22A有平滑、抛光表面，且没有特征部。此外，薄化步骤形成了具有平面背侧接触点60A的阳极接通连接30A，以及具有平面背侧接触点62A的阴极接通连接32A。接着，如图21所示，可执行发光二极管固定步骤以固定LED晶片14A于前侧20A上而与阴极导体54A(图1B)和阳极导体56A(图1B)电性接触。LED晶片14A可包含使用习知处理所制造的习知LED晶片。适用的LED晶片可购自SEMILEDS，INC，位于台湾苗栗。利用焊锡回焊(reflow)或凸块处理所形成的接合层58A将LED晶片14A与导体54A、56A(图 1B)相接合。参照图3，一可供选择的实施例，并列式发光二极管10B，系大致相同于发光二极管IOA (图1A)，但亦包含η型半导体基板MB、内ρ+层^B、外η+层^Β。如图3Α所示，η 型半导体基板ΜΒ、ρ+层26Β和η+层28Β形成了发光二极管IOB的积体稽纳二极管(zener diode)，其作用来防止反向偏电压或涌入电流。发光二极管10B(图3)可大致如同前述发光二极管10A(图1A)来加以制造，但用本技艺中众所周知的适用处理(例如掺杂或离子植入)来形成P+层26B和η+层^Β。如图3所示，发光二极管IOB亦包含固定于η型半导体基板MB的LED晶片14B， 位于形成在η+层28Β上的导电接合层58Β上。发光二极管IOB亦包含与LED晶片14B电性通信的阳极16B，以及与ρ+层^B电性通信的阴极18B。阳极16B和阴极18B并列式地位于η型半导体基板24Β上，因此发光二极管IOB被称为并列式发光二极管。η型半导体基板24Β包含前侧20Β、背侧22Β、以及在前侧20Β上的电性绝缘隔离层38Β。正如发光二极管 IOA(图1Α)，隔离层38Β提供了垂直电性隔离，以及通过η型半导体基板MB的热传路径。 发光二极管IOB亦包含阳极接通连接30Β和阴极接通连接32Β，其提供了通过η型半导体基板MB的电传路径。隔离层38Β亦电性绝缘阳极接通连接30Β和阴极接通连接32Β。发光二极管10Β(图3)亦包含阴极导体54Β和阳极导体56Β于隔离层38Β上，其提供从阳极16Β和阴极18Β到达LED晶片14B的电传路径。阴极导体54B与阴极接通连接 32B电性接触，且亦与一部份的p+层^B电性接触。阳极导体56B与阳极接通连接30B电性接触，且亦与一部份的η+层^B电性接触。LED晶片14B包含ρ电极，其与η+层28Β直接电性接触。从阴极18Β和阳极16Β通过η+层^B和ρ+层^B的电传路径作用为单向保护性稽纳二极管，其只允许单方向的电流。或者，稽纳二极管可利用于半导体基板上适当排列且电性连接的多η+/ρ+层来提供双向保护。作为另一选择，半导体基板可包含P型半导体，ρ+层26Β可变为η+，而η+层28Β可变为ρ+。参照图4Α-图4C，另一可供选择的实施例，发光二极管(LED) 10C，被用来固定于基板78C(例如印刷电路板(PCB)、主机板或模组基板)上，具有形成于基板上的定位凸块 80Co如图4A所示，发光二极管(LED) IOC包含固定于导热基板12C的LED晶片14C。导热基板12C包含前侧20C、背侧22C以及具有阴极接通通孔36C与阳极接通通孔46C的硅基板MC。发光二极管(LED) IOC亦包含隔离层38C、于前侧20C上沿着阴极通孔36C排列的阴极导体MC、以及于前侧20C上沿着阳极通孔46C排列的阳极导体56C。对应于前述元件的所有元件具有相同元件符号但有A和B的字尾。亦如图4A所示，阴极通孔36C和阳极通孔46C对齐基板78C上的定位凸块80C。如图4B所示，可将发光二极管(LED) IOC藉由位于阴极通孔36C和阳极通孔46C 的定位凸块80C而放置于基板78C上。接着，如图4C所示，将定位凸块80C回焊以填充阴极通孔36C和阳极通孔46C，且电性接触沿通孔36C、46C排列的阴极导体54C和阳极导体 56C。此外，回焊的定位凸块80C形成了发光二极管(LED) IOC的阴极接通连接32C和阳极接通连接30C。如另一例子，可藉由以下方法来形成接通连接30C、32C 激光钻孔穿过部份的硅基板MC以形成通孔36C、46C ；接着氧化沉积以形成隔离层38C ；金属化层的沉积和图案化以形成导体MC、56C ；研磨以打开通孔36C、46C(其中通孔36C、46C系大于凸块80C)； 选择性地背侧金属沉积和图案化；装上LED晶粒14C以及回焊凸块80C。
因此本发明揭露一种改良的发光二极管(LED)以及此发光二极管(LED)的改良的制程。尽管数个例示态样和实施例已经说明如上，熟悉本技艺者应当了解，可有某些修正、 变更、添加和其次组合。因此，本发明的权利要求范围在其真实精神和范畴的内应解释为包含所有此等修正、变更、添加和次组合。
权利要求
1.一种发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含一导热基板，具有至少一电性隔离层，用以提供从所述的基板的一第一侧到一第二侧而通过所述的基板的一热传路径；一阳极接通连接，从所述的第一侧到所述的第二侧；一阴极接通连接，从所述的第一侧到所述的第二侧，所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接系并列式地位于所述的基板上；以及一 LED晶片，固定于所述的第一侧，与所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接电性通信。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含一阴极导体，与所述的阴极接通连接电性通信；以及一阳极导体，与所述的LED晶粒电性接触并且与所述的阳极接通连接电性通信。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接各自包含一通孔，所述的通孔位于所述的基板中而至少部份填充有一金属。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的导热基板包含一材料，所述的材料系选自于由GaAs、SiC、AlN、Al2O3以及蓝宝石所构成的群组。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的导热基板包含η型硅，所述的 η型硅具有与所述的阴极接通连接电性通信的一 P+层、以及与所述的LED晶片电性接触并且与所述的阳极接通连接电性通信的一 η+层，用以形成一稽纳二极管。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的导热基板包含P型硅，所述的 P型硅具有与所述的阴极接通连接电性通信的一 η+层、以及与所述的LED晶片电性接触并且与所述的阳极接通连接电性通信的一 P+层，用以形成一稽纳二极管。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含一基板，装在所述的导热基板上，且其中所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接各自包含一回焊金属凸块于所述的基板上。
8.一种发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含一半导体基板，具有一第一侧；一第二侧；一隔离层，位于所述的第一侧上，用以提供垂直电性隔离；以及一热传路径，从所述的第一侧到所述的第二侧；一阳极接通连接，包含从所述的第一侧到所述的第二侧的一第一通孔，所述的第一通孔至少部份填充有一第一金属凸块；一阴极接通连接，包含从所述的第一侧到所述的第二侧的一第二通孔，所述的第二通孔至少部份填充有一第二金属凸块；一 LED晶片，固定于所述的第一侧，在所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接之间并且与两者电性通信；以及一稽纳二极管，包含在所述的第一侧上与所述的阴极接通连接电性接触的一内第一型硅层，以及在所述的第一侧上与所述的阳极接通连接与所述的LED晶片电性接触的一外第二型硅层。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述的半导体基板包含η型硅，所述的内第一型硅层包含一 P+层，且所述的外第二型硅层包含一 η+层。
10.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述的半导体基板包含P型硅，所述的内第一型硅层包含一 η+层，且所述的外第二型硅层包含一 ρ+层。
11.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述的稽纳二极管包含复数个硅层，用以提供双向保护。
12.一种发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含一导热基板，具有至少一电性隔离层，所述的电性隔离层用以提供从所述的基板的一第一侧到一第二侧而通过所述的基板的一热传路径；一阳极接通孔，从所述的第一侧到所述的第二侧，至少部份沿一阳极导体而排列； 一阴极接通孔，从所述的第一侧到所述的第二侧，至少部份沿一阴极导体而排列，所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接系并列式地位于所述的基板上； 一 LED晶片，固定于所述的第一侧，与所述的阳极导体电性通信； 一基板，装在所述的导热基板上，具有与所述的阴极通孔电性接触的一第一凸块，以及与所述的阳极通孔电性接触的一第二凸块。
13.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述的第一凸块和所述的第二凸块包含一回焊金属。
14.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述的基板包含具有一抛光第二侧的一薄化基板。
15.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述的基板包含一印刷电路板 (PCB)、一主机板或一模组基板。
16.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述的发光二极管的制造方法包含 提供一导热基板，所述的导热基板具有一第一侧、一第二侧、以及于所述的第一侧上的至少一电性隔离层；形成一阳极通孔与一阴极通孔于所述的第一侧上，其穿过部份的所述的基板； 形成一电性绝缘隔离层于所述的第一侧上以及于所述的阳极通孔和所述的阴极通孔中；在所述的第一侧上并列式地形成一阳极接通连接于所述的阳极通孔中以及一阴极接通连接于所述的阴极通孔中；将所述的基板从所述的第二侧到所述的阳极接通连接与所述的阴极接通连接加以薄化；以及将一 LED晶片固定于所述的第一侧，与所述的阴极接通连接和所述的阳极接通连接电性通信。
17.如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述的形成所述的阳极接通连接步骤包含一方法，所述的方法系选自于由经一遮罩沉积、锡球凸块、球形焊接以及焊锡喷射所构成的群组。
18.如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述的薄化步骤包含一方法，所述的方法系选自于由研磨、化学机械平坦化以及蚀刻所构成的群组。
19.如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述的形成所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接步骤包含提供金属凸块于一基板上，以及回焊所述的金属凸块于所述的阳极通孔和所述的阴极通孔中。
20.如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述的导热基板包含η型硅，且更包含形成一 ρ+层于所述的导热基板上与所述的阴极接通连接电性通信、以及一 η+层于所述的导热基板上与所述的阳极接通连接电性通信并且与所述的LED晶片电性接触。
全文摘要
本发明公开了一种发光二极管，包含导热基板，具有至少一电性隔离层，用以提供垂直电性隔离；以及热传路径，从导热基板的前侧(第一侧)到背侧(第二侧)而通过导热基板。此发光二极管包含具有接通连接的阳极以及具有接通连接的阴极，其并列式地排列于基板上。此发光二极管亦包含LED晶片，其固定于基板上而介于阳极和阴极之间。一种发光二极管的制造方法，包含以下步骤提供具有电性隔离层的导热基板；在基板第一侧上并列式地形成阳极通孔和阴极通孔，其部份穿过基板；形成阳极接通连接于阳极通孔中以及阴极接通连接于阴极通孔中；将基板从其第二侧到阳极接通连接和阴极接通连接加以薄化；以及将LED晶片固定于第一侧上而与阴极接通连接和阳极接通连接电性通信。
文档编号H01L33/64GK102299249SQ20111016921
公开日2011年12月28日 申请日期2011年6月22日 优先权日2010年6月26日
发明者刘文煌, 朱振甫, 樊峰旭, 段忠, 王服贤, 郑好钧 申请人:旭明光电股份有限公司