专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装结构，特别是指一种发光二极管封装结构。
背景技术：
发光二极管做为第三代光源，具有体积小、节能环保、发光效率高等优点，得到越来越广泛的应用。发光二极管封装结构往往采用蓝光LED芯片加黄光荧光粉产生白光，但是这种结构的发光二极管在照明时，由于外侧光线出光时经过的路径相对较长，使得发光二极管发出的光线呈现外黄内蓝的问题，即通常所称的黄晕现象。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能够减轻黄晕现象的发光二极管封装结构。—种发光二极管封装结构,包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子。所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径。在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处 相比在远离发光二极管芯片的位置处大。该发光二极管封装结构，由于所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径，使得所述扩散粒子相对所述荧光颗粒具有较慢的沉淀速度，从而使得在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片一侧较大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片一侧较大，因此光线首先经过荧光颗粒进行转换，然后再经过所述扩散粒子进行光线分散，从而提高黄光与蓝光光线的混合均匀性，减轻发光二极管封装结构出射光线的黄晕现象，使得出射的光线色温更加均匀。
图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。图2是荧光颗粒的转换效率与粒径大小的关系图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子，其特征在于，所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径，在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处相比在远离发光二极管芯片的位置处大。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述扩散粒子为一种未经活化的荧光材料。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述荧光粉颗粒的平均粒径在10-20微米之间。
4.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括一设置在封装层周围的反射杯。
5.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括设在封装层远离发光二极管芯片的出光表面附近的遮光粒子。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述遮光粒子分布于所述封装层出光表面的中心或四周，或者同时分布于所述封装层出光表面的中心和四周。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述遮光粒子贴附于所述封装层的出光表面。
8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述遮光粒子位于封装层内部。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于:遮光粒子的平均粒径小于荧光颗粒的平均粒径，遮光粒子在靠近发光二极管芯片位置处的浓度小于远离发光二极管芯片位置处的浓度。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于:遮光粒子的平均粒径大于荧光颗粒的平均粒径，遮光粒子在靠近发光二极管芯片位置处的浓度大于远离发光二极管芯片位置处的浓度。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子。所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径。在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处相比在远离发光二极管芯片的位置处大。
文档编号H01L33/58GK103178186SQ20111042928
公开日2013年6月26日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日
发明者曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司