专利名称：弱电流熔丝的制作方法
技术领域：
一般而言，本主题涉及电熔丝，更具体地说，涉及使用薄膜技术的连接盘栅格阵列 (LGA)和表面安装(SMD)微电流熔丝。本技术还涉及制造这些熔丝的方法。
背景技术：
表面安装已成为电路板组装的优选技术。因此，实际上已经或正在重新设计用于表面安装(即无引线)实施例或应用的所有类型的电学部件。表面安装器件(SMD)快速地装入所有类型的电学电路产生了对SMD熔丝的相应需求。在许多电路板上熔丝起重要作用。通过熔融电路、选定的子电路和/或甚至某些单独部件可防止整个系统受损，否则系统可能因单个、局部部件失灵而受损。可以致力于改善电子部件的许多不同的性能特征以方便所需的操作。在先技术的实例是授权于Parker等人的美国专利7，570，148，该专利披露了所提出的某些熔丝方面。Parker等人的专利涉及低电阻熔丝，其包括熔丝元件层及第一和第二中间绝缘层， 第一和第二中间绝缘层在熔丝元件层的相反侧上延伸并联结于熔丝元件层。熔丝元件层形成在第一中间绝缘层上，而第二绝缘层层叠于熔丝元件层。另一实例披露于美国专利 No. 5，四6，833(授权于Breen等人)中。Breen等人的专利涉及的是表面安装熔丝器件，该器件包括氧化铝-玻璃-熔丝-玻璃-氧化铝层叠结构。披露了熔丝设计方面的示例性工艺的附加参考文件包括授权于Badihi等人的两份美国专利No. 5，228，188和5，166，656。Badihi等人的这些参考文件总体涉及表面安装熔丝及其制造方法。所有这些在先的美国专利文件所公开的内容都通过参考而全部并入本申请。应指出的是，现有技术的出版物中没有文件提出需要提供用于约50毫安的毫电流级的可表面安装的熔丝。一些优选实施例提出了需要小于80milX50mil (约2mmX1.5mm)的封装，有时小至Ij 40milX20mil (约 ImmXO. 5mm)。
发明内容
本主题认可并提出了如前面所讨论过的多种设计方面，另外还涉及熔丝的某些方面以及相关的电子技术。因此，从广义上说，本公开技术的一个主要目的是提供一种改进的熔丝器件。更具体地说，本公开描述的是弱电流熔丝器件，其可被构造为或者在连接盘栅格阵列(LGA，land grid array)配置中或者在表面安装(SMD)配置中。一般而言，本主题还涉及多层熔丝器件，更具体地说，涉及这样一种多层熔丝器件，其包括基底和一对整体接触垫，基底具有细长熔丝元件，一对接触垫形成在熔丝元件的相对纵向末端并与之联接，熔丝元件形成在基底的一个表面上。在一些具体实施例中，可设置一对覆盖熔丝和接触垫的钝化层及一对窗口，窗口开口穿过两个接触垫上的两个钝化层，以便容纳穿过钝化层被电镀的导电电极材料。被电镀的材料可在钝化层的上部表面上延伸并覆敷有可软焊的导电材料。
特别需要具有0. 025到0. 125安培额定值的弱电流表面安装熔丝。注意熔丝的额定值是打算采用的电流。通常，将熔丝设计为在额定电流的约 250%的电流时烧断。本发明的第一方面是提供一种可表面安装的熔丝，其额定为如果暴露在约0.06 到0. 5安培范围的最大电流下则烧断。使用合适的金属薄膜可获得这样的表面安装熔丝。典型地，可表面安装的熔丝包括3到20微米宽和0. 2到2微米厚的镍或铜印制线 (track) ο典型地，可表面安装的熔丝还包括介电基底，该介电基底包括陶瓷、玻璃或玻璃陶
ο最优选的是，介电基底包括玻璃。典型地，所述表面安装熔丝包括镍印制线，其还包括熔丝金属之下的钽薄层，以促进基底和金属间的粘接。典型地，钽薄层的厚度为几百埃。典型地，可表面安装的熔丝还包括保护熔丝金属的钝化层。在一个实施例中，钝化层包括氮氧化硅。任选地，钽层被设置在熔丝金属上和钝化层下，以促进钝化层与熔丝金属的粘接。
任选地，钝化层为1到6微米厚。典型地，可表面安装的熔丝还包括聚酰亚胺封装层。典型地，可表面安装的熔丝被构造为用于连接盘栅格阵列(LGA)或表面安装 (SMD)应用中。最典型的是，可表面安装的熔丝还包括终端。在一个实施例中，终端包括可通过钝化层中的窗口接近的接触垫。典型地，可表面安装的熔丝还包括具有窗口的聚酰亚胺材料的封装层，所述窗口通常与形成在钝化层中的窗口相应。另外，可表面安装的熔丝可包括苯并丁烯(BCB)或环氧树脂的保护覆敷层。任选地，可表面安装的熔丝还包括铜(Cu)电极，该电极通过接触垫上的窗口被电镀，使得电极在钝化层上延伸。典型地，Cu电极的暴露部分被镍和锡(Ni/Sn)层终止。可供选择的是，可以使用微球栅阵列(BGA，ball grid array))工艺使Cu电极的暴露部分终止。在一个示例性实施例中，本公开的主题涉及一种熔丝，其包括基底，该基底具有相应的上部、底部、侧部和端部表面；细长的熔丝元件，其被形成在此基底的所述上部表面上； 一对接触垫，它们整体地形成在所述熔丝元件的相对末端；至少一个钝化层，其覆盖该熔丝元件和至少一部分所述接触垫；第一和第二导电电极，它们分别联结到所述接触垫对的每一个的上部表面；以及用于每一所述电极的至少一个导电终端层。在一些实施例中，所述第一和第二导电电极可以在其一末端处联结到每对这种连接垫的一个。此外，每个所述第一和第二导电电极可以具有延伸穿过至少一个钝化层的第二末端。另外，至少一个导电终端层可包括每个第一和第二导电电极的所述第二末端的覆
在其他一些当前的替换例中，这样的沿其一边缘的第一和第二导电电极可延伸到基底的相应边缘部分。此外，至少一个导电终端层可以包括相应端部终端，这些端部终端分别与第一和第二导电电极中的每个电联接。另外，第一和第二导电电极可沿其一侧联结到每对接触垫的一个。另外，第一和第二导电电极可以沿其一侧联结到每对接触垫的一个。在另一些替换例中，至少一个导电终端层可以包括相应端部终端，这些端部终端分别与每个第一和第二导电电极电联接。在一些可选替换例中，这种终端层可以覆盖邻近每一末端的基底侧面的一部分。在本公开的其它变型中，这种熔丝的示例性实施例可包括至少一对覆盖熔丝元件和接触垫的钝化层。此外，所述终端层可覆盖钝化层的上部表面的至少一部分，且可覆盖邻近每个末端的基底的所有端部表面和底部表面的一部分，由此所述终端层能够实现这种熔丝的表面安装。另外，所述终端层可覆盖邻近每个末端的基底的侧面的一部分。在本公开的另一些变型中，熔丝还可包括形成在每个接触垫上、穿过所述钝化层对的窗口 ；其中第一和第二导电电极可在接触垫上的钝化层的上部表面上延伸；所述终端层可覆盖在钝化层的上部表面上延伸的至少部分导电电极，并覆盖基底的底部表面的至少一部分，借此所述终端层能够实现熔丝的表面安装。而且，在一些情况下，这种终端层可覆盖邻近每个末端的基底的侧面的一部分。在其它一些变型中，熔丝还可包括覆盖钝化层的玻璃层；其中第一和第二电极可沿基底端部方向延伸并暴露于基底端部处；终端层可覆盖玻璃层的上部表面的至少一部分，且可覆盖邻近每端的基底的端部和底部表面。在某些变型中，所述钝化层可包括聚酰亚胺材料。另外，钝化层可包括SiNO、A1203、SiO2, Si3N4、聚酰亚胺、苯并丁烯和玻璃中的一种或多种。在本公开的其它一些变型中，所述熔丝还可包括形成在每个接触垫上、穿过至少一个钝化层的窗口 ；其中第一和第二导电电极可在接触垫上的至少一个钝化层的上部表面上延伸；终端层可覆盖导电电极的至少一部分，该导电电极在至少一个钝化层的上部表面上延伸，由此终端层能够实现熔丝的连接盘栅格阵列安装。在当前的其他一些替换例中，熔丝元件和接触垫可形成为粘接和导电材料的整体的多层。而且，第一和第二导电电极可在其一末端联结到每对接触垫的一个的镍层。再者， 可将熔丝元件和接触垫形成为铜、镍、钴和铁或它们的合金的至少一种的整体层。另外，在一些替换例中，第一和第二导电电极可包括导电金属。此外，所述第一和第二导电电极可包括铜电极。在另一些配置中，所述基底可包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅和聚合物材料中的一种。进一步地，导电终端层可包括终端金属。而且，终端金属可包括镍和锡层。本主题的其它目的和优势在本申请的详细描述中被阐述，或对所属领域技术人员来说是显而易见的。而且，所属领域技术人员还应进一步理解，通过参考本说明书，在不超出本发明构思和范围的前提下，可以对各实施例中具体示出的、被参考的和已讨论的特征和步骤进行改型和变换并可实现本主题的多种应用。这些变换可包括但不限于对所示出的被参考的或讨论过的等效装置、特征、材料或步骤、以及不同部分、特征、步骤等的功能、操作或位置颠倒的替换。而且，还应理解的是，本公开技术的不同实施例以及不同的当前优选的实施例可包括本公开特征或元件或它们的等同物的各种组合或配置(包括未在附图中明确示出的或详细说明中陈述的特征或配置的组合)。所属领域技术人员在考虑说明书的其余部分的基础上将能更深入地理解本公开主题的所述特征和方面。
下面参考附图详细说明本公开的主题的全部内容和能实现的方案，包括对所属领域技术人员来说为最佳方式的内容。附图中图1为根据本技术的弱电流熔丝的示例性第一实施例的部分切面图；图2为图1所示的示例性熔丝实施例的组装透视图；图3是图1所示的示例性熔丝实施例的分解图；图4A为根据本技术的弱电流熔丝的示例性第二实施例的部分切面图，该熔丝被配置为供表面安装使用；图4B示出了图4A所示实施例的接触垫区域的放大部分；图5为图4A所示的示例性熔丝实施例的组装透视图；图6为根据本技术的弱电流熔丝的示例性第三实施例的部分切面图，该熔丝被配置为供表面安装使用；图7为图6所示的示例性熔丝实施例的组装透视图，其示出了一种可替换的终端；图8为图6所示的示例性熔丝实施例的组装透视图。在整个说明书和附图中重复使用的附图标记旨在表示本技术的相同或类似的特征、步骤或其他元件。
具体实施例方式正如发明内容中提到的，本主题的一些方面涉及改进的弱电流熔丝器件。现在参考附图，图1为根据本技术的弱电流熔丝的示例性第一实施例的切面图， 该弱电流熔丝总体用100表示。弱电流熔丝100从相应于基底102的玻璃陶瓷层开始建立在多层上。优选玻璃基底，但可使用任何如氧化铝或其他陶瓷之类的陶瓷、硅(Si)、具有合适的热性能(有或没有适合的钝化层)的聚合物基底或玻璃陶瓷材料。通过向基底102上溅射或其他物理汽相沉积技术，然后通过对熔丝金属层构图制成熔丝元件104，熔丝元件的每一末端形成有粘接层105和整体接触垫106(图1中仅一个可见)。具有高导电性和延展性、包括铜在内的多种金属可以用作熔丝。业已发现，尤其对于非常弱的电流熔丝而言，镍(Ni)是好的候选者，但应注意，镍展示出电阻随温度急剧增加。不希望受任何具体理论的约束，可以认为这起因于铁磁特性。其他磁性材料，例如钴和一些以镍和钴为基的合金预期具有优势。这样在一些可选择的实施例中，可以使用其它磁性金属(Ni、CoJe或它们的合金)。这些金属呈现较低的焦耳热和电子迁移的高电阻以及其它扩散和热活性递降过程。镍和钴还具有高延展性和在空气、水和氯化物中的抗腐蚀性，这甚至在潮湿、中度腐蚀的环境下也能提供可靠运行。
然而应提醒的是，也可使用例如具有合适电阻/熔点的其它金属。例如，熔丝元件102的厚度可从0. 2-2微米变化。这样的厚度可以比较容易地沉积为可接受的容差。还可使用粘接层，其在熔丝材料的上面和/或下面，其包括但不局限于 Ta、Cr、TaN、TiW、Ti、TiN。优选可使用钽(Ta)的薄粘接层以促进对基底的粘接。这类粘接层103的厚度例如可从100-1000人变化。所属领域技术人员还应该理解，虽然熔丝元件104作为直线元件示出，但是也可以为其它构造，例如需要或期望附加长度。在某些情况下，通常可提供弯曲的或正弦曲线元件。在元件104和接触垫106上可安置氮氧化硅(SiNO)钝化层108，该钝化层具有处于接触垫106上的窗口。在一种示例性配置中，钝化层108可以约为1-6微米厚，且具有由钝化层108的光刻应用或通过在钝化材料的覆盖层上蚀刻所提供的窗口。在一可选实施例中，钝化层108可由任何无机钝化材料形成，包括但不限于A1203、SiO2和Si3N4。为了帮助钝化层粘附到熔丝金属下，可增加薄层材料，该材料一般可以为钽，但任选地可以是Ta、Cr、TaN, Tiff, Ti、TiN0可以根据熔丝金属、钝化层和沉积工艺选择适当的粘接层，而不希望受具体工艺限制，可将粘接层设计成能克服如晶格失配和残余应力之类的现象。可在钝化层108上施加第二钝化层或保护密封层110。为了加快沉积，例如，第二钝化层110可以是例如聚酰亚胺材料之类的约5-25微米的聚合物，例如也可以形成大致与钝化层108中形成的窗口范围相应的窗口。在一些附加的任选实施例中，第二钝化层110 还可设有苯并丁烯(BCB)、环氧树脂的防护性涂层或其它防护性涂层。然后通过接触垫106上的窗口电镀电极112，使得电极112延伸通过钝化层110。 例如，此处熔丝金属为铜，此处熔丝金属甚至可以为如镍之类的其他材料，为了制造方便， 电极112通常为铜(Cu)。然后一般通过覆敷镍和锡(Ni/Sn)层114来终止Cu电极112的暴露部分。可使用其它金属，尤其是可适用于更具体的终端需求的金属。在可选择的配置中，可使用微球栅阵列(BGA)工艺或无铜锡焊球凸块工艺(stud bumping technigues)。参考图2，其示出了根据本技术构造的示例性熔丝200的组装透视图。如从图2可以看到的，熔丝200包括基底202、钝化层208和210、以及暴露于铜电极(未示出)上方的 Ni/Sn覆敷层214。参考图3，其为与图1和2所示的示例性实施例相应的示例性熔丝300的分解图。 在分解图中，熔丝300显露出基底302并且更清晰地示出与熔丝元件304联接的一对接触垫306、306’，该垫被定位于各相对的纵向末端。此外，更完全地分别示出了钝化层308和 310中的开口 318、318’和320、320’。应该理解，开口 318和320在区域中基本同延，并在接触垫306上一致对准。开口 318’和320’(在钝化层308、310的相对端)与接触垫306’ 的设置关系类似。现在参考图4A，其为根据本技术的、总体以400表示的弱电流熔丝的第二示例性实施例的切面图。弱电流熔丝400基本与之前有关图1所示的相同的方式建立在多层上， 从玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷基底层402开始。通过向基底402上溅射、然后对如铜或镍层之类的熔丝金属印制线构图形成在每一末端具有整体接触垫406的熔丝元件404，并在其下面或其上面设有钽(Ta)粘接层。所属领域技术人员应该理解，对于与当前的图4A的实施例结合的每个本说明书公开的主题也可实施粘接层(本例中未标示，但可结合如图1和3中由层103和105代表的那些层)。 如图4B所示的放大的接触垫区域更清楚地示出的那样，在一示例性配置中，第一 Ta层416、 随后是Ni层426、及第二 Ta层436可以结合在一起而形成约0. 1到约10 μ厚而被溅射到玻璃基底402上。如同图1的熔丝102，在一些可选择的实施例中，可使用如Ni、&)、狗或其他合金之类的磁性金属，或如具有适合电阻/熔点的铜之类的其他金属。还与图1类似的是，在熔丝材料上面和/或下面也可使用其他粘接层。根据第二实施例，通过改变前面结合图1-3图示说明的电极结构可以提供表面安装器件(SMD)。根据第二实施例，可在熔丝金属(通常为镍或铜)层似6上设置电极材料 446，并使该电极材料与熔丝金属层接触，该电极材料被定位为基本覆盖M层406并延伸到基底402的边缘部分450。在一示例性配置中，电极材料446可以是铜(Cu)并可被电镀于 Ni层416上。如所属领域技术人员公知的，也可采用提供Cu层446的其他方法。还应该理解，电极可由除铜以外的导电材料制造。另外，应该注意的是，由于形成垫区域和熔丝的材料本身导电所以这些额外的电极材料不是必须的。设置电极材料446之后，可设置由氮氧化硅(SiNO)构成的第一钝化层408，随后将第二钝化层或保护密封层410施加到钝化层408上。最后可以施加玻璃盖412或可供选择的其他绝缘材料。在本实施例中，不需要窗口(如相关第一实施例所示)，当然也可以形成窗口以容纳电极，如后面关于图6所示实施例描述的那样。然后可使用所属领域技术人员公知的工艺施加端部终端442、444，以允许已完成的器件的表面安装。参考图5，其示出了根据本技术构造的示例性熔丝400的组装透视图。从图5可以看出，熔丝400包括基底402、钝化层408和410，以及玻璃盖412。端部终端442、444被施加在器件400的相应末端452、454，以及图5中示出的上部表面妨4和底部表面458两者的覆盖部分处。端部终端材料可任选地施加到如图8所示的侧表面。端部终端442、444可以与Cu终端相应并可包括如Ni/Sn之类的材料或其他焊接材料组合的覆敷部(未分开示出)，以有助于将已完成的器件固定到电路板，例如使用公知的焊接或其他固定技术。现在参考图6，其为根据本技术的、总体用600表示的弱电流熔丝的第三示例性实施例的切面图。弱电流熔丝600以与之前关于图1和3示出的方式基本相同的方式建立在多层上，以相应于基底602的如玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷之类的介电层开始。根据本主题的第三实施例，通过改变之前结合图4-5图解说明的电极结构而提供表面安装器件(SMD)。根据第三实施例，可将电极材料646设置在金属层606之上并使其与所述金属层接触且被定位，以覆盖金属层606的一部分。如在切面部分646’示出的，电极材料646朝上延伸，通过钝化层608、610中的窗口，以便至少延伸到上部钝化层610的表面。然后如之前关于图4A和5描述的那样，可使用所属领域技术人员公知的技术施加端部终端644、644，以允许已完成的器件的表面安装。在图6和8所示的实施例中，终端材料644、842、644、844、852不仅可沿已完成的器件的端部、上部和下部表面延伸，还可沿侧面延伸，如图8中862、864所示。参考图7，其为根据本技术构造的示例性熔丝700的组装透视图，该熔丝具有替换的终端，此处终端材料744、752、744被限制到已完成的器件的端部、上部和底部表面。可以很好地理解用于计算合适尺寸(用作熔丝的金属条的厚度、长度和宽度)的理论和所得出的方程式。实例参考图1，以下一些优选实施例旨在提供弱电流熔丝100，额定为如果暴露在电流超过0. 1至0. 5安培之间的最大电流下则烧断。所需的尺寸可精确地重复生产，并且熔丝需要具有高的电迁移电阻。这类精确的弱电流熔丝可通过沉积熔丝元件104获得，该熔丝元件104包括3到20 μ m (微米)宽的镍或铜印制线，具有0. 2到2微米范围的预定厚度，且优选具有一体的垫106。优选首先沉积钽薄层103，以获得良好的粘接并防止基底102和镍熔丝元件104之间的相互作用。选玻璃作为基底102。应注意的是，可使用各种玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷。可通过物理汽相沉积(PVD)来沉积钽薄层103，该薄层一般为几百埃厚。业已发现，对于这种易被破坏的熔丝适合用聚酰亚胺封装。首先可通过化学汽相沉积在镍熔丝元件104上沉积氮氧化硅保护层以钝化，然后可将聚酰亚胺的第二层Iio施加到钝化层108上。优选将钽的第二层沉积在熔丝金属之上和钝化层之下，以获得钝化层的良好粘接并防止熔丝元件104和钝化层之间的相互作用。一旦封装完毕，这些器件的总尺寸可以小于2mmX3mm并可小至ImmXO. 5mm，能将
它们表面安装于小型器件中。虽然针对一些具体实施例对本主题进行了详细描述，显然，在理解了前面的描述的情况下，所属领域技术人员可以容易地对这些实施例进行改型、变化、及等同替换。据此， 本发明的范围以示例的形式而不是以限制的形式被公开，对所属领域技术人员来说显而易见的是，所公开的主题并不排除包括对本主题作出的这些改型、变化和/或添加。有优先权的权利要求本申请要求享有2010年10月14日提交的名称为“弱电流熔丝”的美国临时专利申请、被转让为USSN 61/393，149的优先权，目的是通过参考并入本申请。
权利要求
1.一种可表面安装的熔丝，其额定为0. 025到0. 125安培。
2.如权利要求1所述的可表面安装的熔丝，其被设计为如果暴露在约0.06到0. 5安培范围的最大电流下则烧断。
3.如权利要求1所述的可表面安装的熔丝，包括熔丝元件，该熔丝元件由范围为从3到 20 μ m宽和从0. 2到2 μ m厚的镍或铜的印制线构成。
4.如权利要求3所述的可表面安装的熔丝，还包括支撑所述熔丝元件的介电基底，该介电基底包括从陶瓷、玻璃和玻璃陶瓷的组中选取的材料。
5.如权利要求3所述的可表面安装的熔丝，其中，所述介电基底包括玻璃。
6.如权利要求3所述的可表面安装的熔丝，还包括熔丝金属之下的钽薄层。
7.如权利要求5所述的可表面安装的熔丝，其中，所述钽薄层的厚度为几百埃。
8.如权利要求3所述的可表面安装的熔丝，还包括保护镍或铜的钝化层。
9.如权利要求8所述的可表面安装的熔丝，其中，所述钝化层包括氮氧化硅。
10.如权利要求9所述的可表面安装的熔丝，其中，所述钝化层是1到6微米厚。
11.如权利要求9所述的可表面安装的熔丝，其中，在所述熔丝金属和钝化层之间沉积有粘接层。
12.如权利要求9所述的可表面安装的熔丝，其中，所述粘接层包括钽。
13.如权利要求9所述的可表面安装的熔丝，还包括聚酰亚胺封装层。
14.如权利要求1所述的可表面安装的熔丝，其被构造为用于连接盘连接盘栅格阵列 (LGA)或表面安装(SMD)应用。
15.如权利要求3所述的可表面安装的熔丝，还包括终端。
16.如权利要求15所述的可表面安装的熔丝，其中，所述终端包括处于熔丝元件每一末端处并通过钝化层中的窗口可以接近的接触垫。
17.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，还包括聚酰亚胺材料的封装层，该封装层具有附加窗口，附加窗口大致与形成在钝化层中的窗口对应。
18.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，还包括苯并丁烯(BCB)或环氧树脂保护覆敷层。
19.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，还包括通过接触垫上的窗口被电镀形成的铜(Cu)电极，使得电极在钝化层上延伸。
20.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，其中，所述Cu电极的暴露部分用镍和锡 (Ni/Sn)层终止。
21.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，其中，利用微球栅阵列(BGA)工艺终止 Cu电极的暴露部分。
22.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，其被制造为具有总体尺寸不大于 3mm X 2mm的部件。
23.如权利要求16所述的可表面安装的熔丝，其被制造为具有总体尺寸不大于 ImmXO. 5mm 的部件。
24.—种熔丝，包括具有相应的上部、底部、侧部和端部表面的基底；形成在所述基底的所述上部表面上的细长熔丝元件；一对接触垫，其被整体地形成在所述熔丝元件的相对末端处； 至少一个钝化层，其覆盖所述熔丝元件和至少一部分所述接触垫； 第一和第二导电电极，其分别被联结到所述接触垫对的每个的上部表面；及用于所述每个电极的至少一个导电终端层。
全文摘要
一种多层熔丝器件，其包括基底和细长熔丝元件，熔丝元件具有形成于基底的一个表面上的相对纵向末端处的一对接触垫。设置一对钝化层覆盖熔丝和接触垫。在一些实施例中，开有一对穿过两个接触垫上的两个钝化层的窗口，通过窗口电镀导电电极材料，以与接触垫接触和部分地延伸于钝化层的上部表面上。然后，可以用可软焊的导电材料覆敷电镀材料的暴露区域或者可以设置表面安装终端。在其它一些实施例中，在施加钝化层之前电镀材料覆盖熔丝表面的一部分并延伸到基底端部，因此不需要窗口。在这些实施例中，电镀材料提供已完成的器件的表面安装终端的导电路径。
文档编号H01H85/041GK102568969SQ201110462528
公开日2012年7月11日 申请日期2011年10月14日 优先权日2010年10月14日
发明者A·戈尔斯坦, E·奥尼尔, H·奥瓦迪亚, I·戴诺夫, M·达克西亚 申请人:阿维科斯公司