专利名称：一拖二荧光灯电子镇流器用开关晶体管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子器件，特别是一种适用于一拖二甚至一拖三的荧光灯的电子镇流器的开关晶体管。
背景技术：
荧光灯的工作原理决定了它必须使用镇流器。目前，有一拖二甚至一拖三的荧光灯电子镇流器，可以同时驱动多个荧光灯的工作。在这类镇流器中，晶体管的负载加倍，所以在一般的电路设计中，驱动两支40瓦普通T5型荧光灯的电子镇流器时，一般都要选用芯片面积为5 mm2以上的开关晶体管，并且采用T0-220封装形式，这种封装形式体积较大，以便于散热。即使如此，晶体管温升仍然很大。尤其到了夏天，经常出现由于晶体管温升过高而毁坏灯具的情况。一般的一拖二的电子镇流器，当室温在25 30°C时，晶体管外壳温度就能达到60 70°C，夏天，环境温度超过35°C以后，晶体管温升往往超过100°C。这样的高温，不仅大大缩短电子产品的使用寿命，而且也容易引起安全事故。
发明内容本实用新型的目的就是为了克服背景技术中所述的现有一拖二电子镇流器温升大的缺点，发明一种能满足大负载要求的、温升小的开关晶体管，以改善现有的这种一拖二的荧光灯电子镇流器的性能。为达上述发明目的，设计的本实用新型的开关晶体管，采用T0-U6的封装形式， 外层是塑封料，基极外引线、发射极外引线通入晶体管内部，内部有芯片，装片于集电极散热板上，散热板的下端是集电极外引线，芯片的底部是一层焊料，芯片与基极外引线，通过基极内引线连接，芯片与发射极外引线，通过发射极内引线连接；其特征是，所述的芯片尺寸为1. 82X1. 82mm2,并且芯片内增加有抗饱和网络。本实用新型的开关晶体管，不需要体积较大的T0-220封装，而可以使用较小的 T0-U6封装，体积小，因为使用了小面积的芯片，使得整个晶体管的集电极输出电容也适当减少，有利于减少开关时间；抗饱和网络可以减少晶体管工作状态进出饱和区的时间。这些技术手段都将使应用本晶体管的电子镇流器工作温度得到明显的降低。据测算，室温20°C 时，本发明的壳温为4(T45°C，比现有技术的晶体管低15°C左右，效果明显。这样就提高了产品的使用寿命，减少了安全隐患。
图1，本实用新型的装配图。图2，本实用新型的芯片上增加的抗饱和网络的等效电路图。
具体实施方式
结合附图说明本实用新型的具体结构。[0010]如图1，这种适合于驱动两支荧光灯的节能功率开关晶体管装配图，外层是塑封料 1，基极外引线61、发射极外引线62通入晶体管内部，内部有芯片4，装片于集电极散热板21 上，散热板21的下端是集电极外引线22，芯片4的底部是一层焊料3，芯片4与基极外引线 61，通过基极内引线51连接，连接方法是键合工艺，芯片4与发射极外引线62，通过发射极内引线52连接，连接方法也是键合工艺。本实施实例中芯片4的面积1.82 X 1.82 mm2，厚度0.2 0. 25 mm，表面金属化为 Al，背面金属化为Ti. Ni. Ag，芯片下面的焊料为Pb. Sn. Ag。芯片面积的适当减小，使得晶体管集电极输出电容也适当减小，有利于减小开关时间；再通过适当调整工艺条件，使晶体管储存时间控制在广2 μ S。在芯片内部增加了抗饱和网络，如图2所示。防止晶体管工作时深饱和，减小晶体管工作状态进出饱和区的时间。图中，VTl NPN管为主晶体管，VT2是辅助PNP管，具有抗饱和之功能。一旦VTl进入饱和状态，集电极电位低于基极电位，VT2即导通，它将流入VTl 基极电流分流，使IBl明显小于ΙΒ，避免了 VTl的过饱和。而且，VTl的过饱和越深，其集电极电位越低，则VT2的分流越大。一旦VTl脱离饱和，集电极电位上升，VT2自动关闭。本实用新型，制造工艺流程与一般塑封晶体管相同，先装片，使用焊料将芯片焊接到T0-U6的引线框架上，然后键合，将内引线使芯片与外引线连接好，然后塑封，用塑封料固化后将芯片和内引线定位，然后对外引线电镀纯锡，改善外引线的易焊性，然后切筋，使每个半成品分离，然后进行测试分类。
权利要求1. 一拖二荧光灯电子镇流器用开关晶体管，采用T0-U6的封装形式，外层是塑封料 (1)，基极外引线(61)、发射极外引线(62)通入晶体管内部，内部有芯片(4)，装片于集电极散热板(21)上，散热板(21)的下端是集电极外引线(22)，芯片(4)的底部是一层焊料(3)， 芯片(4)与基极外引线(61)，通过基极内引线(51)连接，芯片(4)与发射极外引线(62)，通过发射极内引线(52)连接，其特征是所述的芯片尺寸为1.82X1. 82mm2，并且芯片内增加有抗饱和网络。
专利摘要一种一拖二荧光灯电子镇流器用开关晶体管，采用TO-126的封装形式，外层是塑封料，基极外引线、发射极外引线通入晶体管内部，内部有芯片，装片于集电极散热板上，散热板的下端是集电极外引线，芯片的底部是一层焊料，芯片与基极外引线，通过基极内引线连接，芯片与发射极外引线，通过发射极内引线连接；其特征是，所述的芯片尺寸为1.82×1.82mm2，并且芯片内增加有抗饱和网络。本晶体管的工作温升很低，这样就提高了产品的使用寿命，减少了安全隐患。
文档编号H01L23/31GK201975393SQ20112005284
公开日2011年9月14日 申请日期2011年3月2日 优先权日2011年3月2日
发明者赵振华 申请人:无锡罗姆半导体科技有限公司, 赵振华