专利名称：一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构。
背景技术：
目前大电流高压晶闸管由于安全节能，在电力电子领域的应用越来越广，但由于对电压电流要求较高，国内较多的晶闸管性能尚无法满足市场需求。其中影响性能的主要因素晶闸管的电压水平及电流耐量，低的电压水平及电流耐量使得晶闸管的稳定性大大降低。常规晶闸管采用纯硼或硼铝做短基区，纯硼短基区由于硼浓度较浓，短基区前沿浓度也较浓，使得短基区与基片无法形成良好的缓变结，电压变低。而硼铝较纯硼略有改善，但铝层与硼层距离仍较近，且整体浓度不够浓，耐压水平与电流耐量仍需提高。因此，急需一种改进的技术来解决这一问题。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构。本实用新型采用的技术方案是一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述基片位于隔离穿通区之间，所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区，所述镓短基区和浓硼短基区均设于隔离穿通区之间。本实用新型的优点是采用先镓扩，再在镓表面上补一层浓硼形成的短基区，前沿与基片有良好的缓变结，镓层与浓硼层距离几乎就是整个短基区宽度，电压高。镓表面补了浓硼后，整体浓度大大提高，电流耐量大幅改善，同时抗干扰性能和通态压降(Vtm)也得到改
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以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图。其中1、隔离穿通区，2、浓硼短基区，3、镓短基区，4、基片。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构， 包括隔离穿通区1和基片4，所述基片4位于隔离穿通区之间1，所述隔离穿通区1之间设有镓短基区3，所述镓短基区3表面还设有浓硼短基区2，所述镓短基区3和浓硼短基区2 均设于隔离穿通区1之间。本实用新型的优点是采用先镓扩，再在镓表面上补一层浓硼形成的短基区，前沿与基片有良好的缓变结，镓层与浓硼层距离几乎就是整个短基区宽度，电压高。镓表面补了浓硼后，整体浓度大大提高，电流耐量大幅改善，同时抗干扰性能和通态压降(Vtm)也得到改善。
权利要求1. 一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述基片位于隔离穿通区之间，其特征在于所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区，所述镓短基区和浓硼短基区均设于隔离穿通区之间。
专利摘要本实用新型涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述基片位于隔离穿通区之间，其特征在于所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区，所述镓短基区和浓硼短基区均设于隔离穿通区之间。本实用新型的优点是采用先镓扩，再在镓表面上补一层浓硼形成的短基区，前沿与基片有良好的缓变结，镓层与浓硼层距离几乎就是整个短基区宽度，电压高。镓表面补了浓硼后，整体浓度大大提高，电流耐量大幅改善，同时抗干扰性能和通态压降(VTM)也得到改善。
文档编号H01L29/06GK202025758SQ20112009327
公开日2011年11月2日 申请日期2011年4月1日 优先权日2011年4月1日
发明者周建, 朱法扬, 李建新, 耿开远 申请人:启东吉莱电子有限公司