专利名称：双极化天线的制作方法
技术领域：
双极化天线技术领域[0001]本实用新型涉及一种天线结构，特别涉及一种双极化天线。
技术背景[0002]天线可分为全向性天线和指向性天线。全向性天线的特性是辐射能量到一平面上所有的方向。指向性天线则是将能量集中辐射于某一个特定的角度范围。因此，相对于全向性天线，指向性天线于此特定的范围中，有较大的天线增益。传统上基地台使用三组指向性天线，每一组指向性天线负责涵盖一个水平角度为120度的扇形范围。[0003]然而，传统上基地台所使用120度的扇形范围的指向性天线，仍然有范围过广的问题。此问题会使只有一小部分能量正确朝向使用者方向，造成能量的浪费。同时，大部分多余的能量辐射到其它地方，会对于其它的使用者产生干扰。[0004]此外，传统上基地台所采用的天线单元是为垂直极化或水平极化，而客户端使用移动装置习惯与大地成45度角，因此传统上基地台的天线设计并未将用户使用移动装置的习惯列入考虑，如此会造成天线增益的下降，影响通讯传输的质量。实用新型内容[0005]鉴于以上的问题，本实用新型的目的在于提供一种双极化天线，通过天线结构产生的波束形可依所设定的特定角度偏摆，增加天线的收讯质量。[0006]本实用新型所揭露的双极化天线包括[0007]至少一辐射部，每一该辐射部至少具有一第一连接端与一第二连接端；[0008]至少一第一阻抗匹配部，每一该第一阻抗匹配部连接每一该辐射部的该第一连接端；[0009]至少一第二阻抗匹配部，每一该第二阻抗匹配部连接每一该辐射部的该第二连接端；[0010]一第一馈入部，连接于该些辐射部其中的一该第一连接端；以及[0011]一第二馈入部，连接于该些辐射部其中的一该第二连接端。[0012]上述的双极化天线，其中，还包括一壳体，该些第一阻抗匹配部、该些第二阻抗匹配部与该些辐射部设置于该壳体上。[0013]上述的双极化天线，其中，还包括一外罩，该外罩覆盖于该壳体上，且涵盖该些第一阻抗匹配部、该些第二阻抗匹配部与该些辐射部。[0014]上述的双极化天线，其中，该辐射部中还设置多个固定件，用以将该辐射部固定于该壳体。[0015]上述的双极化天线，其中，每一该第一阻抗匹配部还包括一第一阻抗区段与一第一蜿蜒区段。[0016]上述的双极化天线，其中，该第一阻抗区段中另具有一第一延伸阻抗区，该第一延伸阻抗区的宽度大于该第一阻抗匹配部其它部分的宽度。[0017]上述的双极化天线，其中，该第一蜿蜒区段还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段与一第二延伸阻抗区，该第二区段的两端分别连接该第一区段与该第三区段，该第一区段的另一端连接于该第一阻抗区段，该第三区段的另一端连接于另一该第一阻抗匹配部，该第二延伸阻抗区设置于该第二区段之中，且该第二延伸阻抗区的宽度大于该第一蜿蜒区段其它部分的宽度。[0018]上述的双极化天线，其中，每一该第二阻抗匹配部还包括一第二阻抗区段与一第二蜿蜒区段。[0019]上述的双极化天线，其中，该第二阻抗区段中另具有一第一延伸阻抗区，该第二阻抗区段的该第一延伸阻抗区的宽度大于或等于该第二阻抗匹配部其它部分的宽度。[0020]上述的双极化天线，其中，该第二蜿蜒区段还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段与一第二延伸阻抗区，该第二区段的两端分别连接该第一区段与该第三区段，该第一区段的另一端连接于该第一阻抗区段，该第三区段的另一端连接于另一该第二阻抗匹配部，该第二延伸阻抗区设置于该第二区段之中，且该第二延伸阻抗区的宽度大于或等于该第二蜿蜒区段其它部分的宽度。[0021]上述的双极化天线，其中，还包括一基板，该基板的一第一侧面上设置至少一该双极化天线，该基板的一第二侧面设置一巴特勒矩阵阵列。[0022]上述的双极化天线，其中，该巴特勒矩阵阵列包括[0023]一第一巴特勒矩阵，具有多个第一输入端口以及多个第一输出端口 ；以及[0024]一第二巴特勒矩阵，具有多个第二输入端口以及多个第二输出端口 ；[0025]其中，该些第一输出端口与该些第二输出端口各自电性连接至每一该双极化天线的二馈入端口，每一该双极化天线可形成一第一极化方向与一第二极化方向。[0026]上述的双极化天线，其中，当一外部信号输入该第一巴特勒矩阵的该些第一输入端口时，每一该第一巴特勒矩阵产生的电磁场形的该第一极化方向为45°，当该外部信号输入该第二巴特勒矩阵的该些第二输入端口时，每一该第二巴特勒矩阵产生的电磁场形的该第二极化方向为-45°。[0027]上述的双极化天线，其中，该第一输入端口包括一第一巴特勒输入端口、一第二巴特勒输入端口、一第三巴特勒输入端口与一第四巴特勒输入端口，当一外部信号输入该第一巴特勒矩阵的该第一巴特勒输入端口时，每一该第一巴特勒矩阵920产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为-10°，输入该第一巴特勒矩阵的该第二巴特勒输入端口时，每一该第二巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为 +30°，输入该第一巴特勒矩阵的该第三巴特勒输入端口时，每一该第三巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为-30°，输入该第一巴特勒矩阵的该第四巴特勒输入端口时，每一该第三巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为10°。[0028]上述的双极化天线，其中，该多个第二输入端口包括一第一巴特勒输入端口、一第二巴特勒输入端口、一第三巴特勒输入端口与一第四巴特勒输入端口，当一外部信号输入该第二巴特勒矩阵的该第一巴特勒输入端口时，每一该第一巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为-10°，输入该第二巴特勒矩阵的该第二巴特勒输入端口时，每一该第二巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为+30°，输入该第二巴特勒矩阵的该第三巴特勒输入端口时，每一该第三巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为-30°，输入该第二巴特勒矩阵的该第四巴特勒输入端口时，每一该第四巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为10°。本实用新型所提出的双极化天线由于其串接方式可以降低天线组装时制造成本，而且还可以提供相同的接收强度。[0029]
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
[0030]图IA为根据本实用新型一实施例的双极化天线的立体示意图；[0031]图IB为本实用新型的双极化天线外观示意图；[0032]图2A为本实用新型的双极化天线的平面示意图；[0033]图2B为本实用新型的双极化天线的部分示意图；[0034]图2C为本实用新型的另一实施例的示意图；[0035]图3A为本实用新型的阵列式天线的极化方向为+45°的电压驻波比数值分布图；[0036]图;3B为本实用新型的阵列式天线的极化方向为-45°的电压驻波比数值分布图；[0037]图4A为本实用新型的双极化天线且操作频率为MOOMHz的水平平面场形图；[0038]图4B为本实用新型的双极化天线且操作频率为M50MHZ的水平平面场形图；[0039]图4C为本实用新型的双极化天线且操作频率为2500MHz的水平平面场形图；[0040]图5A为本实用新型的双极化天线且操作频率为MOOMHz的垂直平面场形图；[0041]图5B为本实用新型的双极化天线且操作频率为M50MHZ的垂直平面场形图；[0042]图5C为本实用新型的双极化天线且操作频率为2500MHz的垂直平面场形图；[0043]图6A为本实用新型的另一操作频率为MOOMHz的水平平面场形图；[0044]图6B为本实用新型的另一操作频率为M50MHZ的水平平面场形图；[0045]图6C为本实用新型的另一操作频率为2500MHz的水平平面场形图；[0046]图7A为本实用新型的另一操作频率为MOOMHz的垂直平面场形图；[0047]图7B为本实用新型的另一操作频率为M50MHZ的垂直平面场形图；[0048]图7C为本实用新型的另一操作频率为2500MHz的垂直平面场形图；[0049]图8为本实用新型的另一实施例的双极化天线立体图；[0050]图9A为本实用新型的天线阵列示意图；[0051]图9B为根据本实用新型实施例的巴特勒矩阵阵列的电路方框图；[0052]图9C为根据图9B的细部结构示意图。[0053]其中，附图标记[0054]双极化天线100、100a、IOObUOOc 与 IOOd[0055]壳体 110[0056]外罩120[0057]固定件131[0058]支撑件132[0059]第一阻抗匹配部140[0060]第二阻抗匹配部150[0061]辐射部160[0062]第一连接端161[0063]第二连接端162[0064]第一馈入点171[0065]第二馈入点172[0066]基板 180[0067]第一阻抗部件210[0068]第二阻抗部件22O[0069]第一阻抗区段310[0070]第一延伸阻抗区311[0071]第一蜿蜒区段320[0072]第一区段321[0073]第二区段322[0074]第三区段323[0075]第二延伸阻抗区324[0076]第二阻抗区段410[0077]第一延伸阻抗区411[0078]第二蜿蜒区段420[0079]第一区段421[0080]第二区段422[0081]第三区段423[0082]第二延伸阻抗区424[0083]承载板610[0084]锁合柱6Il[0085]第一巴特勒矩阵910[0086]第二巴特勒矩阵920[0087]第一角度混合耦合器921a、922a、923a、924a[0088]第二角度混合耦合器921b、922b、923b、924b[0089]第一角度相位变换器941a、942a[0090]第二角度相位变换器941b、942b[0091]第一输入端口 951a、952a、953a、954a[0092]第二输入端口95lb、952b、953b、954b[0093]第一输出端口 961a、962a、963a、964a[0094]第二输出端口961b、962b、963b、964b[0095]跳线器97a、97b[0096]电路板 98a、98b具体实施方式
[0097]
以下结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作具体的描述[0098]请参照图1A，为根据本实用新型一实施例的双极化天线的立体示意图。本实用新型的双极化天线100包括壳体110、外罩120、第一阻抗匹配部140、第二阻抗匹配部150与辐射部160。[0099]第一阻抗匹配部140、第二阻抗匹配部150与辐射部160设置于壳体110上。第一阻抗匹配部140与第二阻抗匹配部150是为一体成形的。辐射部160中还设置多个固定件131。外罩120覆盖于壳体110上，且涵盖第一阻抗匹配部140、第二阻抗匹配部150与辐射部160。[0100]为清楚说明第一阻抗匹配部140串接后所形成的整体架构，在此定义为第一阻抗部件210，而串接后的第二阻抗匹配部150定义为第二阻抗部件220。第一阻抗部件210包括第一馈入点171，而第二阻抗部件220包括第二馈入点172。[0101]第一馈入点171的位置是设置于第一阻抗部件210的第一个的第一阻抗匹配部 140的一端。由于第一阻抗部件210是由多个第一阻抗匹配部140所串接而成，因此对第一个被串接的第一阻抗匹配部140的端点上设置第一馈入点171。同理，对于第二阻抗部件 220的相对应位置上也设置第二馈入点172。第一馈入点171与第二馈入点172用以接收输入信号。请参考图1B，其为本实用新型的双极化天线外壳示意图。[0102]请参考图2A，其为本实用新型一实施例的双极化天线的平面示意图。辐射部160 的两侧边具有第一连接端161与第二连接端162。第一阻抗匹配部140的一端与辐射部160 的第一连接端161相连接，而第二阻抗匹配部150的一端与辐射部160的第二连接端162 相连接。[0103]对第一阻抗匹配部140与第二阻抗匹配部150做进一步的说明。每一个第一阻抗匹配部140是由第一阻抗匹配区段310与第一蜿蜒区段320所构成。[0104]第一阻抗区段310中具有第一延伸阻抗区311，第一延伸阻抗区311的宽度大于第一阻抗匹配部140其它部分的宽度。在本实用新型中将第一延伸阻抗区311设置于与第一区段321 (或第三区段32 所连接处的附近。[0105]而第一蜿蜒区段320是由第一区段321、第二区段322与第三区段323所组成。第一区段321的一端连接于第二区段322，第一区段321的另一端则连接于另一第一阻抗匹配部140。第三区段323的一端连接于第二区段322 (相异于连接第一区段321的一端)，第三区段323的另一端则连接于另一第一阻抗匹配部140的一端。由于三个区段321、322、323 位于在同一平面上，且第一区段321、第二区段322与第三区段323互为垂直的连接。所以第一蜿蜒区段320的外观会形成如图2B所示的「凹」字形状。此外，第一区段321、第二区段322与第三区段323的宽度可以根据双极化天线100的运作需求进行调整。在本实用新型中第一区段321与第三区段323的宽度是为相同，第一区段321的宽度不等于第二区段 322的宽度。[0106]而本实用新型中在第二区段322中设置第二延伸阻抗区324，且第二延伸阻抗区 324是以单一方向延伸，使得第二延伸阻抗区324的宽度大于第一蜿蜒区段320的宽度，如图2B所示。[0107]第二阻抗匹配部150也是由第二阻抗区段410与第二蜿蜒区段420所构成。第二阻抗匹配部150与第一阻抗匹配部140是为对称的设计。就细部而言，第二阻抗区段410及第二蜿蜒区段420的外观是与第一阻抗匹配部140及第二蜿蜒区段420 —致。整体而言， 第一阻抗部件210与第二阻抗部件220也是呈现对称的结构。[0108]而第二蜿蜒区段420也具有其所属的第一区段421、第二区段422与第三区段 423。第一区段421的一端连接于第二区段422，第一区段421的另一端则连接于另一第二阻抗匹配部150。第三区段423的一端连接于第二区段422 (相异于连接第一区段421的一端)，第三区段423的另一端则连接于另一第二阻抗匹配部150的一端。所以在同一平面上，第一区段421、第二区段422与第三区段423是为三个互为垂直的连接。[0109]为能对双极化天线进行阻抗匹配的调整，因此可以在第一阻抗区段310设置第一延伸阻抗区311，在第二阻抗区段410设置第二延伸阻抗区411。本新型的第一延伸阻抗区 311是往两侧延伸，使得第一延伸阻抗区311的宽度大于或等于第一阻抗区段310的宽度， 如图2B所示。第二阻抗区段410具有第二延伸阻抗区411，第二延伸阻抗区411位于第二阻抗区段410与第二蜿蜒区段420的交接处附近。第二延伸阻抗区411的宽度大于或等于第二阻抗区段410的宽度。而其它第一延伸阻抗区311的宽度可以等于第一阻抗区段310 的宽度。在此一实施例中是将靠近馈入端的第一延伸阻抗区311的宽度大于第一阻抗区段 310的宽度，而其它的第一延伸阻抗区311的宽度则是等于第一阻抗区段310的宽度。[0110]在本实用新型中第一阻抗匹配部140的第一区段321与第二阻抗匹配部150的第一区段421均朝向辐射部160所设置的方向延伸，请参考图2B所示。并于辐射部160且相对于固定件131的位置上还设置支撑件132。支撑件132用以将辐射部160固定于壳体110 之上。在本实施例中是以螺丝作为固定件131，而螺柱作为支撑件132。除此之外，也可以在辐射部160上开设多个开孔(意即为固定件131)，并在壳体110上的对应位置设置多个螺柱(意即为支撑件13 。将辐射部160置放于壳体110上时，使得辐射部160可以放置在支撑件132上，且固定件131对其支撑件132，使得辐射部160被固定于壳体110上，请参考图IA0[0111]此外，本实用新型也可以将插梢作为支撑件132，在辐射部160上开设多个开孔 (意即为固定件131)，并在壳体110上的对应位置设置多个插梢(意即为支撑件13 。将辐射部160置放于壳体110上时，使得辐射部160可以放置在支撑件132上，且固定件131 对其支撑件132，使得辐射部160被固定于壳体110上，请参考图2C。于本实用新型的一较佳实施例中，此天线阵列的操作频率范围为MOOMHz至2500MHz。图3A及图所示分别为本实用新型的阵列式天线的极化方向为+45°及极化方向为-45°经由测试后的电压驻波比(voltage standing wave ratio, VSffR)数值分布图。[0112]图4A所示为本实用新型的双极化天线且操作频率为MOOMHz的水平平面 (H-plane)场形图；图4B所示为本实用新型的双极化天线且操作频率为M50MHz的水平平面(H-plane)场形图；图4C所示为本实用新型的双极化天线且操作频率为2500MHz的水平平面(H-plane)场形图。[0113]图5A所示为本实用新型的双极化天线且操作频率为MOOMHz的垂直平面 (V-plane)场形图；图5B所示为本实用新型的双极化天线且操作频率为M50MHz的垂直平面(V-plane)场形图；图5C所示为本实用新型的双极化天线且操作频率为2500MHz的垂直平面(V-plane)场形图。[0114]图6A所示为本实用新型的另一操作频率为MOOMHz的水平平面(H-plane)场形图；图6B所示为本实用新型的另一操作频率为M50MHz的水平平面(V-plane)场形图；图 6C所示为本实用新型的另一操作频率为2500MHz的水平平面(H-plane)场形图。[0115]图7A所示为本实用新型的另一操作频率为MOOMHz的垂直平面(V-plane)场形图；图7B所示为本实用新型的另一操作频率为M50MHz的的垂直平面(V-plane)场形图； 图7C所示为本实用新型的另一操作频率为2500MHz的垂直平面(V-plane)场形图。[0116]本实用新型的双极化天线100除了可以是单一天线的构造外，也可以设置于印刷电路板上，使得双极化天线100与基板180呈现一体成形的结构，请参考图8所示。在将此一实施例的双极化天线100以上述方式固定于壳体110中。[0117]本实用新型除了单一的实施例外，本实用新型另可通过并列的方式形成一天线阵列，请参考图9A所示。在此一实施例中包括多个双极化天线100(分别为100a、100b、IOOc 与IOOd)与承载板610。在本实施例中系将双极化天线100并列的设置于承载板610上。 于双极化天线100的壳体110的另一侧还设置多个连接部件(未绘示)。而承载板610的第一侧面设置相应于连接部件110的锁合柱611。于承载板610的第二侧面与双极化天线 100的各馈入点的位置还设置连接端子(未绘示)。而连接端子的数量是根据馈入点的数量。在图9A中具有四组双极化天线100，因此连接端子的数量是为八个。本实用新型可依据实际需求而调整双极化天线100的数量，而非仅局限于此一数量。[0118]承载板610的第二侧面另可设置巴特勒矩阵阵列。在本实用新型中的巴特勒矩阵阵列包括第一巴特勒矩阵910与第二巴特勒矩阵920，但并非仅局限于此，本领域者可以根据双极化天线100的数量调整巴特勒矩阵阵列。在一实施例中，每一双极化天线100与第一巴特勒矩阵910与第二巴特勒矩阵920相互电性耦接。[0119]第一巴特勒矩阵910与第二巴特勒矩阵920可以通过连接柱或焊接等方式结合于承载板610。图9B为根据本实用新型实施例的巴特勒矩阵阵列的电路方框图，图9C为根据图9B的细部结构示意图。其中，第一巴特勒矩阵910包括第一角度混合耦合器921a、922a、 923a、9Ma、第一角度相位变换器941a、942a、第一输入端口 951a、952a、953a、卯4a、第一输出端口 961a、962a、963a、964a以及跳线器97a。第二巴特勒矩阵920包括第二角度混合耦合器921b、922b、923b、9Mb、第二角度相位变换器941b、942b、第二输入端口 951b,952b, 953b、卯4b、第二输出端口 961b、962b、963b、964b以及跳线器97b。其中，第一角度混合耦合器921a、922a、923a、92^可以是混合角度为90°的耦合器，第一角度相位变换器941a、 94 的相位变换角度为45°。第二角度混合耦合器921b、922b、923b、924b可以是混合角度为90°的耦合器，且第二角度相位变换器941b、942b的相位变换角度为-45°。第一巴特勒矩阵910与第二巴特勒矩阵920并且各自采用电路板98a、98b做为其基板。上述各组件是设置于电路板98a、98b之上，且各组件之间可使用金属线或是其它可传送信号的组件相连结。[0120]其中，第一角度混合耦合器921a、922a、923a、92^与第二角度混合耦合器921b、 922b,923b,924b是将信号传递线路做一方形结构设计，而跳线器97a、97b则是一 8字型结构。第一巴特勒矩阵910的第一角度相位变换器941a、94h是通过将信号传递线路做一弯折设计，以将第一输入端口 951a、95h、953a、95^输入的信号相位做45°的相位延迟。而第二巴特勒矩阵920的第二角度相位变换器941b、942b则是通过将信号传递线路做另一种弯折设计，以将第二输入端口 95lb、952b、953b、954b输入的信号相位做-45°的相位延迟。[0121]详细而言，如图9B所示，第一巴特勒矩阵910的第一输出端口 961a、96h、963a、 96 与第二巴特勒矩阵920的第二输出端口 961b、962b、963b、964b系分别电性连接至多极化天线阵列90a、90b、90c、90d各自的信号馈入端口。换言之，每一多极化天线阵列90a、 90b.90c.90d皆具有二馈入端口，该二馈入端口是各自电性连接至第一巴特勒矩阵910与第二巴特勒矩阵920的输出，以接收分别自第一巴特勒矩阵910与第二巴特勒矩阵920所输出的具有+45°与-45°相位延迟的信号。[0122]之后，每一多极化天线阵列90a、90b、90c、90d的二馈入端口，其中之一电性连接于前述第一巴特勒矩阵910的馈入点，其中的另一电性连接于前述第二巴特勒矩阵9200的馈入点。藉此，当外部信号输入第一巴特勒矩阵910时，双极化天线100即可产生第一极化方向为45°的电磁场形，而当外部信号输入第二巴特勒矩阵920时，双极化天线100即可产生第二极化方向为-45°的电磁场形。[0123]更详细地说，当外部信号输入第一巴特勒矩阵910的第一巴特勒输入端口时，双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为45°，且其偏摆角度大致上为-10° ；输入第一巴特勒矩阵910的第二巴特勒输入端口时，双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为 45°，且其偏摆角度大致上为+30° ；输入第一巴特勒矩阵910的第三巴特勒输入端口时， 双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为45°，且其偏摆角度大致上为-30° ；输入第一巴特勒矩阵910的第四巴特勒输入端口时，双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为45°，且其偏摆角度大致上为10°。于此，根据本实用新型实施例的高增益多极化天线阵列模块，即可通过第一巴特勒矩阵910，令双极化天线100产生的波束依据不同角度偏摆，并藉此增加双极化天线100的收讯质量。[0124]至于当外部信号输入第二巴特勒矩阵920的第一巴特勒输入端口时，双极化天线 100产生的电磁场形的极化方向为-45°，且其偏摆角度大致上为-10° ；输入第二巴特勒矩阵920的第二巴特勒输入端口时，双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为-45°， 且其偏摆角度大致上为+30° ；输入第二巴特勒矩阵920的第三巴特勒输入端口时，双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为-45°，且其偏摆角度大致上为-30° ；输入第二巴特勒矩阵920的第四巴特勒输入端口时，双极化天线100产生的电磁场形的极化方向为-45°，且其偏摆角度大致上为10°。于此，根据本实用新型实施例的高增益多极化天线阵列模块，亦可通过第二巴特勒矩阵920，令双极化天线100产生的波束依据不同角度偏摆，并藉此增加双极化天线100的收讯质量。于此需说明的是，关于本实施例所述的偏摆角度与极化方向仅为叙述之用，并不做为本实用新型的限制，于本领域普通技术人员可以根据本实用新型的精神设计不同偏摆角度与极化方向，令天线阵列的波束形成(Beam Forming)可依所设定的特定角度偏摆，并藉此产生多种不同的极化方向集中于特定角度的波束形成。[0125]本新型所提出的双极化天线100由于其串接方式可以降低天线组装时制造成本， 而且还可以提供相同的接收强度。[0126]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。1权利要求1.一种双极化天线，其特征在于，包括至少一辐射部，每一该辐射部至少具有一第一连接端与一第二连接端；至少一第一阻抗匹配部，每一该第一阻抗匹配部连接每一该辐射部的该第一连接端；至少一第二阻抗匹配部，每一该第二阻抗匹配部连接每一该辐射部的该第二连接端；一第一馈入部，连接于该些辐射部其中的一该第一连接端；以及一第二馈入部，连接于该些辐射部其中的一该第二连接端。
2.根据权利要求1所述的双极化天线，其特征在于，还包括一壳体，该些第一阻抗匹配部、该些第二阻抗匹配部与该些辐射部设置于该壳体上。
3.根据权利要求2所述的双极化天线，其特征在于，还包括一外罩，该外罩覆盖于该壳体上，且涵盖该些第一阻抗匹配部、该些第二阻抗匹配部与该些辐射部。
4.根据权利要求3所述的双极化天线，其特征在于，该辐射部中还设置多个固定件，用以将该辐射部固定于该壳体。
5.根据权利要求1所述的双极化天线，其特征在于，每一该第一阻抗匹配部还包括一第一阻抗区段与一第一蜿蜒区段。
6.根据权利要求5所述的双极化天线，其特征在于，该第一阻抗区段中另具有一第一延伸阻抗区，该第一延伸阻抗区的宽度大于该第一阻抗匹配部其它部分的宽度。
7.根据权利要求5所述的双极化天线，其特征在于，该第一蜿蜒区段还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段与一第二延伸阻抗区，该第二区段的两端分别连接该第一区段与该第三区段，该第一区段的另一端连接于该第一阻抗区段，该第三区段的另一端连接于另一该第一阻抗匹配部，该第二延伸阻抗区设置于该第二区段之中，且该第二延伸阻抗区的宽度大于该第一蜿蜒区段其它部分的宽度。
8.根据权利要求1所述的双极化天线，其特征在于，每一该第二阻抗匹配部还包括一第二阻抗区段与一第二蜿蜒区段。
9.根据权利要求8所述的双极化天线，其特征在于，该第二阻抗区段中另具有一第一延伸阻抗区，该第二阻抗区段的该第一延伸阻抗区的宽度大于或等于该第二阻抗匹配部其它部分的宽度。
10.根据权利要求8所述的双极化天线，其特征在于，该第二蜿蜒区段还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段与一第二延伸阻抗区，该第二区段的两端分别连接该第一区段与该第三区段，该第一区段的另一端连接于该第一阻抗区段，该第三区段的另一端连接于另一该第二阻抗匹配部，该第二延伸阻抗区设置于该第二区段之中，且该第二延伸阻抗区的宽度大于或等于该第二蜿蜒区段其它部分的宽度。
11.根据权利要求1所述的双极化天线，其特征在于，还包括一基板，该基板的一第一侧面上设置至少一该双极化天线，该基板的一第二侧面设置一巴特勒矩阵阵列。
12.根据权利要求11所述的双极化天线，其特征在于，该巴特勒矩阵阵列包括一第一巴特勒矩阵，具有多个第一输入端口以及多个第一输出端口 ；以及一第二巴特勒矩阵，具有多个第二输入端口以及多个第二输出端口 ；其中，该些第一输出端口与该些第二输出端口各自电性连接至每一该双极化天线的二馈入端口，每一该双极化天线可形成一第一极化方向与一第二极化方向。
13.根据权利要求12所述的双极化天线，其特征在于，当一外部信号输入该第一巴特勒矩阵的该些第一输入端口时，每一该第一巴特勒矩阵产生的电磁场形的该第一极化方向为45°，当该外部信号输入该第二巴特勒矩阵的该些第二输入端口时，每一该第二巴特勒矩阵产生的电磁场形的该第二极化方向为-45°。
14.根据权利要求12所述的双极化天线，其特征在于，该第一输入端口包括一第一巴特勒输入端口、一第二巴特勒输入端口、一第三巴特勒输入端口与一第四巴特勒输入端口， 当一外部信号输入该第一巴特勒矩阵的该第一巴特勒输入端口时，每一该第一巴特勒矩阵 920产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为-10°，输入该第一巴特勒矩阵的该第二巴特勒输入端口时，每一该第二巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为45°， 偏摆角度大致上为+30°，输入该第一巴特勒矩阵的该第三巴特勒输入端口时，每一该第三巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为-30°，输入该第一巴特勒矩阵的该第四巴特勒输入端口时，每一该第三巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为45°，偏摆角度大致上为10°。
15.根据权利要求12所述的双极化天线，其特征在于，该多个第二输入端口包括一第一巴特勒输入端口、一第二巴特勒输入端口、一第三巴特勒输入端口与一第四巴特勒输入端口，当一外部信号输入该第二巴特勒矩阵的该第一巴特勒输入端口时，每一该第一巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为-10°，输入该第二巴特勒矩阵的该第二巴特勒输入端口时，每一该第二巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为+30°，输入该第二巴特勒矩阵的该第三巴特勒输入端口时， 每一该第三巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为-30°，输入该第二巴特勒矩阵的该第四巴特勒输入端口时，每一该第四巴特勒矩阵产生的电磁场形的极化方向为-45°，偏摆角度大致上为10°。
专利摘要一种双极化天线，其由多组第一阻抗匹配部、第二阻抗匹配部与辐射部所构成。辐射部的两侧分别设置第一连接端与第二连接端。第一阻抗匹配部串接于另一第一阻抗匹配部，且第二阻抗组件串接于另一第二阻抗匹配部。每一个辐射部的第一连接端连接对应位置的第一阻抗匹配部，而第二连接端连接对应位置的第二阻抗匹配部，本实用新型的双极化天线为形成串接式的天线结构。
文档编号H01Q1/36GK202308300SQ201120465730
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月10日 优先权日2011年11月10日
发明者黄柏强 申请人:寰波科技股份有限公司