专利名称：制造显示设备的方法
技术领域：
此处公开的实施例一般涉及用于制造显示设备的方法。背景近年来,整体上,在使用诸如液晶显示元件、电致发光元件( EL元件)等之类的显示元件的显示设备中，除了重量节约和规模化之外，已经有对于长期可靠性、形状的高自由度、曲面显示器的可获得性等的高阶要求。因此，作为用于显示设备的衬底，诸如透明塑料等之类的薄膜层已经取代重的、易碎的和难以增加面积的玻璃衬底，吸引了人们的注意。尽管也可能使用塑料基于角色到角色处理(role to role process)来形成显示器,考虑到成本，存在用于制造显示设备的方法，其中在诸如玻璃衬底之类的支承衬底上设置膜层，且在所述膜层上形成电路和显示层，且然后，将所述膜层从所述支承衬底剥离。附图简述
图1是根据实施例的显示设备的上表面视图；图2A和图2B是根据该实施例的显示设备的部分截面视图；图3A到3C是示出根据本实施例的显示设备的制造过程的截面图；图4A到4D是示出根据本实施例的显示设备的制造过程的截面图；图5A到5C是示出根据本实施例的显示设备的制造过程的截面图；图6是示出激光器的能量密度和负载之间的关系的示图；以及图7是示出用紫外光照射之前以及之后的TFT的电流-电压特性的示图。详细描述根据ー个实施例，公开了用于制造显示设备的方法。所述方法包括用于在支承衬底上形成膜材料层的过程。所述方法可包括用于加热所述膜材料层来形成膜层的第一加热过程。所述方法可包括用于以高于所述第一加热过程的温度的温度加热围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程。所述第一区域被设置在所述膜层的中央部分中。所述方法可包括用于在所述第一区域的部分中形成显示层且在所述第二区域的至少一部分中形成外围电路部分的过程。所述方法可包括用于以高于所述第二加热过程的温度的温度加热在其中形成所述显示层的范围之外的膜层的至少一部分的第三加热过程。另外，所述方法可包括用于将所述膜层从所述支承衬底剥离的过程。实施例提供了显示设备的制造方法，其中在形成电路和显示层时难以将膜层从支承衬底剥离，而在形成所述电路和所述显示层之后易于将所述膜层从所述支承衬底剥离。下文中将參考相应附图而描述各实施例。这些附图是示意性的或概念性的；且各部分的厚度和宽度之间、各部分之间尺寸的比例之间的关系等并不必要是与其实际值相同的。进ー步，尺寸和比例在各个附图之间可被图示为不同，即使是对于同一个部分。在本申请的说明书和附图中，与相关于上文附图而描述的那些组件相类似的组件被标记为类似的參考标号，且按需省略详细描述。图1是根据实施例的显示设备的上表面视图。图2A示出沿图1中的显示设备400的线A-A的截面图，也就是下文将要描述的第一区域的截面，以及图2B示出沿图1中的显示设备400的线B-B的截面图，也就是下文将要描述的第二区域的截面。如图1中所示，显示设备400具有ー个主表面。所述显示设备400的ー个主表面具有设置在其中央部分中的第一区域310和围绕该第一区域310的第二区域320。第一区域310的端侧被定义为设置在所述显示设备400的ー个主表面的端侧更内部。在图1中，所述第一区域310和第二区域320之间的界限通过使用虚线来表示。在第一区域310中，设置显示层311和像素电路部分312。显示层311，例如，是液晶层、有机电致发光层(0LEDE层)等。在第二区域的至少一部分中，设置外围电路部分321 和安装部分322 (在图4C到图4D中示出)。外围电路部分321是用于驱动显示层311的电路。进ー步，安装部分322是连接了可连接至显示设备的转接衬底的部分。此处，显示部分400是有源矩阵类型的显示设备。如图2A中所示，在第一区域310中，设置有膜衬底110、形成在膜衬底110上的像素的TFT (薄膜晶体管)310T、以及经由钝化膜180和滤色器190设置在TFT310T上的显示层311。像素的TFT310T是像素电路部分312的一部分，且用作用于驱动显示层311的开关元件。作为显示层311，此处使用有机电致发光层。偏转板100设置在膜衬底110的相对于面向显示层311的主表面的主表面上。在膜层110和像素的TFT311之间设置底涂层120。防止湿气等穿透显示层311的密封膜240被设置在显示层311上。阻挡膜260经由粘合层250设置在密封膜240上。阻挡膜260防止湿气等穿透显示层311，且同时，具有作为支承元件的功能。像素的TFT310T利用此处的底栅型薄膜晶体管，其包括设置在底涂层120的一部分上的栅电极130 ;覆盖栅电极130的栅绝缘膜140 ;经由栅绝缘膜140面对栅电极130的半导体层150 ;设置在半导体层150的一部分上的沟道保护膜160 ;以及连接至由沟道保护膜160组成的半导体层150的源电极170S和漏电极170D。作为半导体层150，可使用氧化物半导体和硅半导体。作为氧化物半导体，例如，可使用铟(In)、镓(Ga)和包括锌(Zn)的氧化物。具体地，作为氧化物半导体，可使用氧化铟镓锌。像素的TFT310T与未示出的信号线和扫描线一起形成像素电路部分310。钝化膜180由绝缘材料制成。滤色器190传输具有特定波长的光，且，例如，具有传输红光的部分、传输绿光的部分以及传输蓝光的部分。钝化膜180和滤色器190被设置为具有开ロ，其覆盖源电极170D的一部分。显示层311包括设置在滤色器190上的阳极200 ;设置在阳极200上的堤部(bank) 210 ;设置在堤部210上的发光层220 ；以及设置在发光层220上的阴极230。阳极200经由钝化膜180和滤色器190的开ロ连接至源电极170D。堤部210被至少设置在像素的TFT310T上，且具有在其ー个部分上的开ロ。发光层220和阴极130被设置在堤部210和从堤部210暴露出来的阳极200上。发光层220经由堤部210的开ロ接触阳极200。也就是，阳极200、发光层220、以及阴极230被堆叠在堤部210的开口中。当电压被施加到显不层311时,光从有机电致发光层中发射出来。第二区域320包括膜衬底110和设置在膜衬底110上的外围电路的TFT320T。钝化膜180被设置在外围电路的TFT320T上。外围电路的TFT320T与未示出的信号线和扫描线一起形成外围电路部分322。外围电路的TFT320T此处是底栅型晶体管，且包括设置在底涂层120的一部分上的栅电极130 ;覆盖栅电极130的栅绝缘膜140 ;经由栅绝缘膜140面对栅电极130的半导体层150 ;设置在半导体层150的一部分上的沟道保护层160 ;以及从沟道保护层160连接至半导体层150的源电极170S和漏电极170D。外围电路的TFT320与未示出的引线一起形成驱动电路。氧化物半导体，例如，可使用含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物，诸如非晶氧化铟镓锌(a-1GZO)。
·
尽管可使用有源矩阵类型作为显示设备400，还可使用无源型显示设备。进一歩，尽管可使用底栅型作为像素的TFT310T和外围电路的TFT320T，还可使用顶栅型。在图2A和2B中，尽管图示顶栅型的配置作为像素的TFT310T和外围电路的TFT320T，还可使用底栅型的配置。必要吋，设置滤色器190。作为膜层110，使用聚酰亚胺树脂。由于使用聚酰亚胺的膜层110具有耐热性，且线性膨胀系数很小，由加热引起的尺寸变化难以产生。作为聚酰亚胺树脂，诸如聚酰胺酰亚胺、聚苯并咪唑、聚酰亚胺酯、聚醚酰亚胺、聚硅醚酰亚胺等在其结构中具有酰亚胺团的聚合物都被包括在内。可以这样的方式来形成聚酰亚胺树脂，在溶剂存在的情况下，ニ(元)胺被导致与酸酐反应来产生聚酰胺酸聚合物，且该聚酰胺酸聚合物通过脱水(亚胺化反应)经受闭环作用。可使用绝缘材料作为底涂层120、栅绝缘膜140和沟道保护层160，例如，可使用氧
化硅、氮化硅等。可使用导电金属作为栅电极130、源电极170S和漏电极170D。例如，可使用诸如钨化钥(MoW)、钽化钥(MoTa)、以及钨(W)之类的高熔点金属作为栅电极130。例如，可使用导电材料作为源电极140S和漏电极140D。例如，可使用钛(Ti) /铝(Al) /钛(Ti)和钥(Mo)/铝(Al)/钥(Mo)、以及氧化铟钨(ITO)等的层叠膜。可使用绝缘材料作为钝化膜180。例如，可使用氧化硅、氮化硅、四こ氧基甲硅烷
坐寸o可使用传输具有预确定波长的光的材料作为滤色器190，且，例如，可使用传输红、绿、蓝光的每ー种且吸收其他顔色可见光的顔料。可使用导电材料作为阴极200，且例如，可使用诸如氧化铟锡(ITO)等之类的金属。可使用绝缘材料作为堤部210，且例如，可使用诸如光敏丙烯树脂等之类的树脂材料。可使用将发光材料发散到基质材料(host material)中的材料作为发光层220,该发光材料发出与低层的色滤器190所发出的光一样的颜色。可选地，可使用包括发出红色光的发光材料、发出绿色光的发光材料、以及发出蓝色光的发光材料的基质材料。可使用透光且导电的材料作为阳极230，且例如，可使用诸如铝(Al)之类的金属。可使用透光且导电的材料作为密封膜240，且例如，可使用诸如氧化硅和氧化铝之类的氧化物、诸如氮化硅之类的氮化物、诸如聚对ニ甲苯之类的有机膜、以及这些元件的层叠膜。可使用透光材料作为粘合层250，且例如，可使用热固性树脂和光固化树脂。可使用透光且导电的材料作为阻挡膜260，且例如，可使用用密封膜材料涂覆塑料基底的材料等。下文将要描述的支承衬底90具有在形成像素电路部分312和外围电路部分321、以及显示层311和安装部分322时能支撑膜层110的力量，且具有高于膜层110的耐热性。支承衬底90优选地是透明的。例如，可使用玻璃衬底作为支承衬底90。由于膜层110耐热性较低，使用该膜层110的显示设备需要在低温中制造。即使在低温中被制造，使用氧化物半导体的薄膜晶体管可表现出充分特性。具体地，IGZO是非晶膜，其中驱动电流较高，且元件之间的变化较小，且元件之间的特性可被平衡，且另外，迁移率相对较高。由于有机电致发光层对比度较高，且具有从倾斜方向较好地可见的性质，其可被用于能进行曲面显示的显示设备的显示层311。图3A到图3C以及图4A到图4D是示出根据本实施例的显示设备的制造过程的截面图。图5A到图5C是示出根据本实施例的显示设备的制造过程的平面图。图5A到5C中示出的制造方法的每ー个过程对应于图4A到4C中的制造方法的每ー个过程。在该实施例中，在支承衬底90上形成膜层110，且在膜层110上形成像素电路部分312、外围电路部分321、显示层311以及安装部分322，且然后，将膜层110从支承衬底90剥离，藉此制造能显示曲面的显示设备400。首先，将描述如图3A中所示的在支承衬底90上形成膜层110的过程。在该实施例中，使用聚酰亚胺作为膜层110的材料。在支承衬底90上涂覆聚酰亚胺酸溶液作为膜材料层111，且然后，干燥支承衬底90，形成了膜材料层111 (图3B)。 使膜材料层111经受热处理使得聚酰胺こ酸酰亚胺化，且在支承衬底90上形成具有聚酰亚胺的膜层110 (第一加热过程，图3C)。可使用加热方法，例如，灯加热退火、加热板、加热炉等作为热处理。在第一加热过程中热材料膜111的温度被设定为Tl。Tl可以是超过将膜材料层可设为膜层110的温度的温度。例如，Tl可被设在200° C或者更大达小于500° C。在200° C或者更大到500° C或更小的范围内施加热量到膜材料层111可形成由聚酰亚胺树脂制成的膜层110。当膜材料层111形成时，支承衬底90用作支承本体。接着，在高于第一加热过程的温度的温度处加热围绕着设置在膜层110中央部分中的第一区域310的第二区域320的至少一部分(第二加热过程，图4A和图5A)。在第一区域310中，稍后形成像素电路部分312和显示层311。在第二区域320中，稍后形成外围电路部分321和安装部分322。作为第二加热过程中的加热方法，提供了用例如可见光、红外光、紫外光、微波、毫米波、电子束和放射线照射膜层110的方法，以及用焦耳热照射膜层110的方法。例如，有用激光照射膜层110并用卤素灯加热膜层110的方法。图4A示出用激光器I照射膜层110的情況。当执行激光照射作为第二加热过程时，例如，可使用掺杂Nd、Tm、和Ho的水晶(以YAG, YVO4, YLF和YAIO3来表示)的固体激光器、受激准分子激光器、CO2激光器、氩激光器或半导体激光器。例如，可使用氯化氙(XeCl)受激准分子激光器。使得在第二加热过程中的膜层110的温度高于第一加热过程中膜层110的温度。在第二加热过程中膜层110的温度被设定为T2。在Tl和T2之间存在T1〈T2的关系。具体地，当使用激光器用于第二加热过程时，可通过诸如激光器的波长、脉冲宽度、频率等条件在重复的激光器照射时间调节T2。例如，可用加热板或加热炉来执行第一加热过程，以设定Tl为350° C。当使用XeCl受激准分子激光器用于第二加热过程时，激光器能量被设定为160mJ/cm2、中心波长被设定为308nm、重复频率被设定为300Hz、且脉冲宽度被设定为29纳秒，则T2可被设定为不小于 1000。C。通过第二加热过程，増加了在经加热部分320L中的支承衬底90和膜层110之间的粘合度。在没有被第二加热过程加热的部分中，支承衬底90和膜层110之间的粘合力保持原状。
接着，在膜层110上的第一区域310中形成像素电路部分312，且在第二区域中形成外围电路部分321。接着，在第一区域310中形成显示层311，且在第二区域中设置安装部分322 (图4B和图5B)。在第二区域320中，加热由第二加热过程所加热的范围的至少一部分(第三加热过程，图4C和图5C)。使得在第三加热过程中的膜层110的温度高于第二加热过程中膜层110的温度。在第三加热过程中膜层110的温度被设定为T3。在T2和T3之间存在T2〈T3的关系。作为第三加热过程中的加热方法，提供了用例如可见光、红外光、紫外光、微波、毫米波、电子束和放射线照射膜层110的方法，以及用焦耳热照射膜层110的方法。例如，有用激光照射膜层110并用卤素灯加热膜层110的方法。图4C示出用激光器2照射膜层110的情況。当执行激光照射作为第三加热过程吋，例如，可使用掺杂Nd、Tm、和Ho的水晶(以YAG，YVO4, YLF和YAIO3来表示)的固体激光器、受激准分子激光器、CO2激光器、氩激光器或半导体激光器。当使用激光器用于第三加热过程时，可通过诸如激光器的波长、脉冲宽度、频率等条件在重复的激光器照射时间调节T3。例如，可使用氯化氙(XeCl)受激准分子激光器。当使用XeCl受激准分子激光器时，激光器能量可被设定为180mJ/cm2、中心波长可被设定为308nm、重复频率可被设定为300Hz、且脉冲宽度可被设定为29纳秒。此处，由第三加热过程加热的部分320M被定义为设置有外围电路部分321和安装部分322的部分。由第三加热过程加热的部分320M可比由第二加热过程加热的部分320L
宽或窄。由于通过第三加热过程将较高能量施加给支承衬底90和膜层110，可将膜层110从支承衬底90剥离。例如，当用过激光照射执行第三加热过程吋，已经被照射的部分的膜层110，通过从支承衬底90 —侧被用激光器2照射，而从已经被照射的部分的支承衬底90剥离。第三加热过程包括在支承衬底90和膜层110之间的至少一部分中形成空隙(airspace)。关于并非被用激光照射的部分的其他部分，膜层110被机械地从支承衬底90剥离(图4D)。为了机械地从支承衬底90剥离膜层110，例如，可采用剥离设备等。利用由第二加热过程选择性地增加的膜层110的第二区域320的温度，可增加膜层110和支承衬底90之间的粘合力。尽管可考虑用于增加粘合力的数个模型，预计膜层110的温度的增加进ー步提升膜层110内的亚胺化反应，而传递因此产生的湿气到支承衬底90ー侧的效果进一步增加了粘合力。当第二区域320的粘合力的至少一部分增加时，且稍后形成像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322，膜层100难以从支承衬底90剥离。因此，易于在膜层110上形成像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322，且因此，可改进显示设备400的制造产量。由于当在膜层110上形成像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322时施加了热量，当膜层110从支承衬底90剥离时可能在膜层110的尺寸上有改变。为了在膜层110上形成像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322，可采用在现有玻璃衬底上处理的相同的方法。即，在膜层110上可形成这些部分和显示层类似于在玻璃衬底上形成有源矩阵系统显示设备。在第二加热过程中，关于其中改进了支承衬底90和膜层110之间的粘合力的部 分，如果企图机械地将膜层110从支承衬底90剥离，诸如折缝、拉长、破缝等剥离缺陷在膜层110中产生。通过用激光器在这个部分照射，导致膜层110悬浮于支承衬底90，藉此允许膜层110从支承衬底90剥离。激光器的能量可被设置为导致膜层110悬浮于支承衬底90的限度之上。由于在施加了温度的状态下以压カ结合来提供安装部分，存在膜层110和支承衬底90之间的粘合力进ー步増加的ー些情況，藉此使得难以将膜层110从支承衬底90剥离。因此，尽管可将第二区域320的一部分或全部由激光器照射来从支承衬底90剥离膜层110，具体地优选的是用激光器照射其中设置了安装部分322的部分。由于激光器照射，第一区域310的像素电路部分312和显示层311可能导致特性变化。具体地，当为像素电路部分312中设置的像素的TFT310T使用氧化物半导体且使用有机电致发光层220作为显示层311吋，由于激光器施加的热和能量的结果，显示设备400的显示质量可能变得较差。然而，根据本实施例，在第一区域310中，由于没有执行第二过程，因此支承衬底90和膜层110之间的粘合力没有被増加，可不用激光照射而是用机械剥离来将膜层110从支承衬底90剥离。支承衬底90的透湿性影响了支承衬底90和膜层110之间的可分离性。在干燥和亚胺化膜材料层111时，膜材料层111中含有的有机溶剂集中在支承衬底90和膜层110之间的界面上。进一歩，由亚胺化反应所产生的水分子集中在支承衬底90和聚酰亚胺膜层110之间的界面上。藉此，支承衬底90和膜层110之间的粘合被抑制。因此，稍后当在膜层110上形成像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322时，可轻易地将膜层110从支承衬底90上剥离。此处，如果支承衬底90的透湿性很大，支承衬底90和膜层100之间界面中出现的水分子和有机溶剂被传向外，且因此可増加支承衬底90和膜层110之间的粘合性。然而，如果粘合性太高，在像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322形成在膜层110之后，将膜层110从支承衬底90剥离时，剥离变得困难。反之，如果支承衬底90的透湿性很小，水分子和有机溶剂留在支承衬底90和膜层100之间界面中，且因此在像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322形成在膜层110时膜层110可能悬浮于支承衬底90。因此,可取决于支承衬底90的透湿性而调节支承衬底90和膜层110之间的粘合性。
进一歩，由于膜层110所使用的聚酰亚胺具有一定程度的透湿性，在支承衬底90和膜层Iio之间的界面的湿气内容的消逝时间可能有改变。另外，由于诸如支承衬底90和膜层110之间表面自由能、环境温度、以及环境湿度之类的外部因素改变界面的湿气内容，难以控制界面的湿气内容，且使用固定力量将膜层110从支承衬底90剥离是难的。因此，难以控制膜层110和支承衬底90之间的可分离性(或粘合力)。然而，根据本实施例，由于第一区域310和第二区域320之间的粘合性是可被改变的，可不管显示设备为何而使用固定力量将膜层110从支承衬底90剥离，且这个导致良好
的大批量产率。具体地，如果由第二加热过程加热的部分具有围绕着第一区域310的形状，增加了第一区域310的外围部分的粘合性。因此，在形成像素电路部分312、外围电路部分321、显示层311、以及安装部分322的湿处理过程中，可减少环境气氛中含有的液体和气体进入支承衬底90和膜层110之间的可能性，且支承衬底90和膜层110之间的湿气内容难以被改变。作为围绕着第一区域310的形状，如果第一区域310是大致长方形的，则围绕着第一 区域310的形状可以是类似框架的，且如果第一区域310是大致圆形的，则围绕着第一区域310的形状可以是环状的。如上所述，根据该实施例，当像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322形成在膜层110上时，膜层110难以与支承衬底90彼此剥离，且在像素电路部分312、外围电路部分320、显示层311以及安装部分322形成在膜层110上之后，可提供能易于将膜层110从支承衬底90上剥离的显示设备以及制造该显示设备的方法。(示例)由于通过第二加热过程的支承衬底和膜层之间的粘合性已经被评估，这将如下描述。作为上支承衬底，在涂覆的聚酰亚胺膜(IOiim)上粘贴PEN衬底且形成在玻璃衬底上(膜厚度700 ym)，关于通过激光照射的粘合性和聚酰亚胺的状态进行评估。使用XeCl受激准分子激光器(中心波长308nm)作为激光器，并使用激光器经由玻璃衬底照射聚酰亚胺界面。XeCl激光器受脉冲作用，且将光束形成为形状200mmX0. 4mm的线。图6示出在使用激光照射作为第二加热过程时激光器的能量密度De和将膜层剥离支承衬底所需要的应カFa之间的关系。激光器的能量密度De呈现在垂直轴上，且将膜层剥离支承衬底所需要的应カFa呈现在水平轴上。使用在lOOmJ/cm2到300mJ/cm2的范围内的能量密度De的激光器来执行激光照射，结果确定在不小于180mJ/cm2的范围内在聚酰亚胺膜和玻璃衬底之间产生空间。因此，当激光器的能量密度De被増加至不小于180mJ/cm2吋，发现聚酰亚胺被悬浮。进一歩，在160mJ/cm2密度，尽管在聚酰亚胺层自身外观上没有变化，作为执行剥离测试的结果，其粘合性基本被増加，且在具有小于该能量密度De的区域中，发现在外观上没有变化且在剥离力量上也没有变化。尽管图示出粘合性，可发现在聚酰亚胺被悬浮之前粘合性立即上升。这代表T2>T1，且预计是膜层的酰亚胺化的发展的結果。即，通过执行供给高于第一加热过程的能量的能量的第二加热过程来増加膜层和支承衬底之间的粘合性。进ー步，相关于这个显示设备，图7中示出用紫外(UV)光照射第一区域之前(曲线401)和之后(曲线402)的像素的TFT的电流-电压特性。图7的水平轴代表栅电压，且水平轴代表漏电流。当用紫外光照射第一区域时，像素的TFT的电流-电压特性被变化至负侦U。即，当在第一区域中进行第二加热过程和第三加热过程时，对于像素的TFT没有获得理想的特性，且显示设备的显示质量有时会变得较差。上文中，參考了具体示例而描述了本发明的示例性实施例。然而，本发明不限于这些具体示例。例如，本领域技术人员可通过合适地从现有技术中选择特定配置而类似地实现本发明。达到可获得本发明类似效果的程度的这样的实现被包括在本发明的范围内。进ー步，在包括了本发明主g的程度下，在技术可行性的范围内可将具体示例的任何两个或更多组件组合在一起，且被包括在本发明的范围内。在本发明精神范围内本领域技术人员可了解各种其他改变和修改，且可理解的是这些改变和修改也落在本发明范围内。尽管已经描述了特定实施例，但这些实施例仅仅作为示例呈现，并且并非g在限 制本发明的范围。实际上，本文中所述的新颖实施例可用各种其它形式来实现；此外，可作出本文中所述的各个实施例的形式的替代和改变，而不背离本发明的精神。所附权利要求及其等效方案g在覆盖落入本发明的范围和精神内的这些形式或修改。
权利要求
1.一种用于制造显示设备的方法，包括用于在支承衬底上形成膜材料层的过程；用于在第一温度加热所述膜材料层以形成膜层的第一加热过程；用于在高于所述温度的第二温度下加热围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程， 所述第一区域设置在所述膜层的中央部分中；用于在所述第一区域的部分中形成显示层且在所述第二区域的至少一部分中形成外围电路部分的过程；用于在高于所述第二温度的第三温度下加热在其中形成所述显示层的范围之外的所述膜层的至少一部分的第三加热过程；以及用于将所述膜层从所述支承衬底剥离的过程。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二加热过程中所述膜层的温度高于所述第一加热过程中所述膜层的温度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第三加热过程中所述膜层的温度高于所述第一加热过程中所述膜层的温度。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过用激光器照射所述膜层或通过用卤素灯加热所述膜层来执行所述第二加热过程。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过用激光器照射所述膜层或通过用卤素灯加热所述膜层来执行所述第三加热过程。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过使用灯加热退火、加热板、以及加热炉中的一个来执行所述第一加热过程。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述膜层是由含有聚酰亚胺的材料制成的。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成显示层和形成所述外围电路部分的所述过程包括形成薄膜晶体管。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成显示层和形成所述外围电路部分的所述过程包括形成半导体层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括氧化物半导体。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括铟、镓和锌。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成所述显示层的所述过程包括形成液晶层。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成所述显示层的所述过程包括形成有机电致发光层。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加热过程中的所述膜材料层的温度不小于200° C且不大于500° C。
15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二加热过程中的所述膜材料层的温度不小于1000° C。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支承衬底是玻璃衬底。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三加热过程包括使用具有不小于 180mJ/cm2的能量的激光器照射所述膜层。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二加热过程包括使用具有不小于160mJ/cm2且小于180mJ/cm2的能量的激光器照射所述膜层。
19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加热过程导致聚酰胺酸通过脱水经受闭环反应。
20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三加热过程包括在所述支承衬底和所述膜层之间的至少一部分中形成空隙。
全文摘要
根据一个实施例，公开了用于制造显示设备的方法。在支承衬底上形成膜材料层。在第一温度执行膜材料层的第一加热过程从而形成膜层，并在高于所述第一温度的第二温度执行围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程。所述第一区域被设置在所述膜层的中央部分中。在第一区域中形成显示层且在第二区域的至少一部分中形成外围电路部分。在高于所述第二温度的第三温度为所述膜层的至少一部分执行第三处理过程。另外，膜层被从支承衬底剥离。
文档编号H01L21/77GK103021938SQ20121017790
公开日2013年4月3日 申请日期2012年5月31日 优先权日2011年9月27日
发明者坂野龙则, 三浦健太郎, 齐藤信美, 中野慎太郎, 上田知正, 山口 一 申请人:株式会社东芝