专利名称：天线模块的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种天线模块，且特别关于一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR(Voltage Standing Wave Ratio,电压驻波比)值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块。
背景技术：
随着无线通讯的进步，移动信息媒体或个人数据管理工具均广泛地采用无线传输技术，例如笔记型电脑等电子产品时常需要与其它数据设备进行数据传输，而利用无线传输的方式则可简化许多设定及接线的麻烦。为达到上述的无线传输的目的，一般电子产品必须装备有天线，而目前的电子产品大多内建有天线装置，以利使用者进行无线传输的功能。然而，当天线使用体积被缩小时，天线所得到的VSWR值与天线效率将相对的降低，故此问题已成为该项事业人士所欲解决的重要课题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种天线模块，其可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内，即使是天线模块的天线使用体积在设定缩小范围内被缩小的情况下。本发明其中一实施例所提供的一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块，其包括:一基板单元及一天线单元。基板单元包括至少一承载基板，其中承载基板依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率以提供范围介于7至13之间的介电常数,承载基板包括一介电本体及多个分布于介电本体内的纳米级微颗粒结构，且每一个纳米级微颗粒结构包括至少一纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆纳米级碳颗粒而使得纳米级碳颗粒完全不外露的纳米级绝缘包覆层。天线单元包括至少一设置于承载基板上的天线轨迹，其中天线轨迹具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定体积范围内进行调整的天线使用体积，且天线轨迹具有至少一馈入部及至少一接地部。本发明另外一实施例所提供的一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块，其包括:一基板单元及一天线单元。基板单元包括至少一承载基板，其中承载基板依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率以提供范围介于7至13之间的介电常数,承载基板包括一介电本体、多个分布于介电本体内的第一种纳米级微颗粒结构、及多个分布于介电本体内的第二种纳米级微颗粒结构，每一个第一种纳米级微颗粒结构包括至少一第一种纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆第一种纳米级碳颗粒而使得第一种纳米级碳颗粒完全不外露的第一种纳米级绝缘包覆层，且每一个第二种纳米级微颗粒结构包括至少一第二种纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆第二种纳米级碳颗粒而使得第二种纳米级碳颗粒完全不外露的第二种纳米级绝缘包覆层。天线单元包括至少一设置于承载基板上的天线轨迹，其中天线轨迹具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定体积范围内进行调整的天线使用体积，且天线轨迹具有至少一馈入部及至少一接地部。综上所述，本发明实施例所提供的天线模块，其可通过“上述多个分布于介电本体内的纳米级微颗粒结构”或“上述多个分布于介电本体内的第一种纳米级微颗粒结构与上述多个分布于介电本体内的第二种纳米级微颗粒结构”的设计，以使得当天线轨迹的天线使用体积在设定缩小范围内被缩小的情况下，本发明仍可使得天线模块的VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内。为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
图1A为本发明第一实施例的天线模块的天线使用体积被缩小前的上视示意图。图1B为本发明第一实施例的天线模块的部分侧视剖面示意图。图1C为本发明第一实施例的天线模块的天线使用体积被缩小后的上视示意图。图1D为本发明第一实施例的天线模块的天线使用体积被缩小前与缩小后的VSWR值比较图。图1E为本发明第一实施例的天线模块的天线使用体积被缩小前与缩小后的天线效率比较图。图2为本发明第二实施例的天线模块的部分侧视剖面示意图。图3为本发明第三实施例的天线模块的部分侧视剖面示意图。图4为本发明第四实施例的天线模块的部分侧视剖面示意图。其中，附图标记说明如下:天线模块:M基板单元:I承载基板:10介电本体:100纳米级微颗粒结构:101纳米级碳颗粒:1010纳米级绝缘包覆层:1011第一种纳米级微颗粒结构:IOlA第一种纳米级碳颗粒:1010A第一种纳米级绝缘包覆层:1011A第二种纳米级微颗粒结构:101B第二种纳米级碳颗粒:1010B第二种纳米级绝缘包覆层:1011B天线单元:2天线轨迹:20
馈入部:200接地部:201天线长度:L天线高度:H天线厚度:D
具体实施例方式〔第一实施例〕请参阅图1A至图1E所示，本发明第一实施例提供一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块M，其包括:一基板单元I及一天线单元2。首先，配合图1A与图1B所示，基板单元I包括至少一承载基板10，其中承载基板10可依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率以提供范围介于7至13之间的介电常数，而较佳的介电常数可为10左右。承载基板10包括一介电本体100及多个分布于介电本体100内的纳米级微颗粒结构101，且每一个纳米级微颗粒结构101可包括至少一纳米级碳颗粒1010及一用于完全紧密包覆纳米级碳颗粒1010而使得纳米级碳颗粒1010完全不外露的纳米级绝缘包覆层1011。举例来说，承载基板10可为一微波基板。上述多个纳米级微颗粒结构101可彼此相互分离且均匀地分布在介电本体100内，且每一个纳米级微颗粒结构101可完全埋入介电本体100的内部或可部分从介电本体100的外表面裸露。当然，上述多个纳米级微颗粒结构101也可不均匀地分布在介电本体100内。然而，本发明所使用的多个纳米级微颗粒结构101不以上述第一实施例所举的例子为限。再者，配合图1A与图1B所示，天线单元2包括至少一设置于承载基板10上的天线轨迹20，其中天线轨迹20具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定体积范围内进行调整的天线使用体积，且天线轨迹20具有至少一馈入部200及至少一接地部201。另外，天线轨迹20具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定长度范围内进行调整的天线长度L、一可依据上述被维持于第一设定范围内的VSWR值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定高度范围内进行调整的天线高度H、及一实质上均等的天线厚度D。天线长度L可从天线轨迹20的最左端延伸至天线轨迹20的最右端，天线高度H可从天线轨迹20的最顶端延伸至天线轨迹20的最底端，且天线长度L、天线高度H、及天线厚度D三者相乘即可得到天线轨迹20的天线使用体积。举例来说，当天线轨迹20的天线使用体积被缩小前(如图1A所示)，天线长度L可为70mm，天线高度H可为10mm，而天线厚度D可为3mm，则天线轨迹20的天线使用体积被缩小前为70mmX IOmmX 3mm=2100mm3,且天线轨迹20的天线使用体积被缩小前已可得到良好的VSWR值(如图1D的实线所示)与良好的天线效率(如图1E的实线所示)。当天线轨迹20的天线使用体积被缩小后(如图1C所示)，天线长度L可缩小至65mm，天线高度H可缩小至8_，而天线厚度D则保持不变为3_，因此天线轨迹20的天线使用体积将被缩小成为65mmX8mmX3mm=1560mm3。然而,虽然天线轨迹20的天线使用体积被缩小后比缩小前减少了 25%，但是天线轨迹20的天线使用体积被缩小后所得到的VSWR值(如图1D的虚线所示)与天线效率(如图1E的虚线所示)仍然可以维持在良好的范围内。因此，本发明通过上述具有介于7至13之间的介电常数的承载基板10的使用，以使得即使当天线轨迹20的天线使用体积在一设定缩小范围内被缩小时(例如天线使用体积的设定缩小范围可介于缩小1%至缩小25%之间)，仍然可以使得VSWR值(如图1D的虚线所示)与天线效率(如图1E的虚线所示)分别被维持在第一设定良好的范围与第二设定良好的范围内。〔第二实施例〕请参阅图2所示，本发明第二实施例提供一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块M，其包括:一基板单元I及一天线单元2。由图2与图1B的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于:在第二实施例中，上述多个纳米级微颗粒结构101可彼此相互紧靠且均匀地分布在介电本体100内。当然，上述多个纳米级微颗粒结构101也可不均匀地分布在介电本体100内。然而，本发明所使用的多个纳米级微颗粒结构101不以上述第二实施例所举的例子为限。举例来说，上述多个纳米级微颗粒结构101的排列方式也可为:上述多个纳米级微颗粒结构101的其中一部分可彼此相互分离且均匀地分布在介电本体100内，且上述多个纳米级微颗粒结构101的另外一部分可彼此相互紧靠且均匀地分布在介电本体100内。〔第三实施例〕请参阅图3所示，本发明第三实施例提供一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块M，其包括:一基板单元I及一天线单元2。由图3与图1B的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的差别在于:在第三实施例中，承载基板10包括一介电本体100、多个分布于介电本体100内的第一种纳米级微颗粒结构101A、及多个分布于介电本体100内的第二种纳米级微颗粒结构101B。每一个第一种纳米级微颗粒结构IOlA包括至少一第一种纳米级碳颗粒1010A及一用于完全紧密包覆第一种纳米级碳颗粒1010A而使得第一种纳米级碳颗粒1010A完全不外露的第一种纳米级绝缘包覆层1011A，且每一个第二种纳米级微颗粒结构IOlB包括至少一第二种纳米级碳颗粒1010B及一用于完全紧密包覆第二种纳米级碳颗粒1010B而使得第二种纳米级碳颗粒1010B完全不外露的第二种纳米级绝缘包覆层1011B。其中，该第一种纳米级碳颗粒1010A与该第二种纳米级碳颗粒1010B可采用不同的纳米级；该第一种纳米级绝缘包覆层1011A与该第二种纳米级绝缘包覆层1011B可采用不同的纳米级，或者采用不同的材料，如采用不同的有机绝缘材料、无机绝缘材料或混合绝缘材料等，或者也可同时采用不同的纳米级和不同的材料。因此，本发明也能使用至少两种以上不同种类的纳米级微颗粒结构来制作上述具有介电常数介于7至13之间的承载基板10。举例来说，上述多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA可彼此相互分离且均匀地分布在介电本体100内，且上述多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB可彼此相互分离且均匀地分布在介电本体100内。当然，上述多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA与上述多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB也可不均匀地分布在介电本体100内。然而，本发明所使用的多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA与多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB不以上述第三实施例所举的例子为限。〔第四实施例〕请参阅图4所示，本发明第四实施例提供一种当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内的天线模块M，其包括:一基板单元I及一天线单元2。由图4与图3的比较可知，本发明第四实施例与第三实施例最大的差别在于:在第四实施例中，上述多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA可彼此相互紧靠且均匀地分布在介电本体100内，且上述多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB可彼此相互紧靠且均匀地分布在介电本体100内。当然，上述多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA与上述多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB也可不均匀地分布在介电本体100内然而，本发明所使用的多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA与多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB不以上述第四实施例所举的例子为限。举例来说，多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA与多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB的排列方式也可为:上述多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA的其中一部分可彼此相互分离且均匀地分布在介电本体100内，且上述多个第一种纳米级微颗粒结构IOlA的另外一部分可彼此相互紧靠且均匀地分布在介电本体100内。上述多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB的其中一部分可彼此相互分离且均匀地分布在介电本体100内，且上述多个第二种纳米级微颗粒结构IOlB的另外一部分可彼此相互紧靠且均匀地分布在介电本体100内。〔实施例的可能功效〕综上所述，本发明实施例所提供的天线模块，其可通过“上述多个分布于介电本体内的纳米级微颗粒结构”或“上述多个分布于介电本体内的第一种纳米级微颗粒结构与上述多个分布于介电本体内的第二种纳米级微颗粒结构”的设计，以使得当天线轨迹的天线使用体积在设定缩小范围内被缩小的情况下，本发明仍可使得天线模块的VSWR值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内。以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，故举凡运用本发明说明书及图式内容所为的等效技术变化，均包含于本发明的范围内。
权利要求
1.一种天线模块，其用于当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得电压驻波比值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内，其特征在于，上述天线模块包括: 一基板单元，其包括至少一承载基板，其中上述至少一承载基板依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率以提供范围介于7至13之间的介电常数,上述至少一承载基板包括一介电本体及多个分布于该介电本体内的纳米级微颗粒结构，且每一个纳米级微颗粒结构包括至少一纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆上述至少一纳米级碳颗粒而使得上述至少一纳米级碳颗粒完全不外露的纳米级绝缘包覆层；以及 一天线单元，其包括至少一设置于上述至少一承载基板上的天线轨迹，其中上述至少一天线轨迹具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定体积范围内进行调整的天线使用体积，且上述至少一天线轨迹具有至少一馈入部及至少一接地部。
2.如权利要求1所述的天线模块，其特征在于，上述多个纳米级微颗粒结构彼此相互分离且均匀地分布在该介电本体内。
3.如权利要求1所述的天线模块，其特征在于，上述多个纳米级微颗粒结构彼此相互紧靠且均匀地分布在该介电本体内。
4.如权利要求1所述的天线模块，其特征在于，上述多个纳米级微颗粒结构的其中一部分彼此相互分离且均匀地分布在该介电本体内，且上述多个纳米级微颗粒结构的另外一部分彼此相互紧靠且均匀地分 布在该介电本体内。
5.如权利要求1所述的天线模块，其特征在于，上述至少一天线轨迹具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定长度范围内进行调整的天线长度、一可依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定高度范围内进行调整的天线高度、及一均等的天线厚度，该天线长度从上述至少一天线轨迹的最左端延伸至上述至少一天线轨迹的最右端，该天线高度从上述至少一天线轨迹的最顶端延伸至上述至少一天线轨迹的最底端，且该天线长度、该天线高度、及该天线厚度三者相乘以得到上述至少一天线轨迹的天线使用体积。
6.一种天线模块，其用于当天线使用体积在设定缩小范围内被缩小时仍可使得电压驻波比值与天线效率分别被维持在第一设定范围与第二设定范围内，其特征在于，上述天线模块包括: 一基板单元，其包括至少一承载基板，其中上述至少一承载基板依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率以提供范围介于7至13之间的介电常数,上述至少一承载基板包括一介电本体、多个分布于该介电本体内的第一种纳米级微颗粒结构、及多个分布于该介电本体内的第二种纳米级微颗粒结构，每一个第一种纳米级微颗粒结构包括至少一第一种纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆上述至少一第一种纳米级碳颗粒而使得上述至少一第一种纳米级碳颗粒完全不外露的第一种纳米级绝缘包覆层，且每一个第二种纳米级微颗粒结构包括至少一第二种纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆上述至少一第二种纳米级碳颗粒而使得上述至少一第二种纳米级碳颗粒完全不外露的第二种纳米级绝缘包覆层；以及 一天线单元，其包括至少一设置于上述至少一承载基板上的天线轨迹，其中上述至少一天线轨迹具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定体积范围内进行调整的天线使用体积，且上述至少一天线轨迹具有至少一馈入部及至少一接地部。
7.如权利要求6所述的天线模块，其特征在于，上述多个第一种纳米级微颗粒结构彼此相互分离且均匀地分布在该介电本体内，且上述多个第二种纳米级微颗粒结构彼此相互分离且均匀地分布在该介电本体内。
8.如权利要求6所述的天线模块，其特征在于，上述多个第一种纳米级微颗粒结构彼此相互紧靠且均匀地分布在该介电本体内，且上述多个第二种纳米级微颗粒结构彼此相互紧靠且均匀地分布在该介电本体内。
9.如权利要求6所述的天线模块，其特征在于，上述多个第一种纳米级微颗粒结构的其中一部分彼此相互分离且均匀地分布在该介电本体内，且上述多个第一种纳米级微颗粒结构的另外一部分彼此相互紧靠且均匀地分布在该介电本体内，其中上述多个第二种纳米级微颗粒结构的其中一部分彼此相互分离且均匀地分布在该介电本体内，且上述多个第二种纳米级微颗粒结构的另外一部分彼此相互紧靠且均匀地分布在该介电本体内。
10.如权利要求6所述的天线模块，其特征在于，上述至少一天线轨迹具有一可依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定长度范围内进行调整的天线长度、一可依据上述被维持于第一设定范围内的电压驻波比值与上述被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定高度范围内进行调整的天线高度、及一均等的天线厚度，该天线长度从上述至少一天线轨迹的最左端延伸至上述至少一天线轨迹的最右端，该天线高度从上述至少一天线轨迹的最顶端延伸至上述至少一天线轨迹的最底端，且该天线长度、该天线高度、及该天线厚度三者相乘以得到上述至少一天线轨迹的天线使用体积 。
全文摘要
本发明公开了一种天线模块，其包括一基板单元及一天线单元。基板单元包括至少一可提供范围介于7至13之间的介电常数的承载基板。承载基板包括一介电本体及多个分布于介电本体内的纳米级微颗粒结构，且每一个纳米级微颗粒结构包括至少一纳米级碳颗粒及一用于完全紧密包覆纳米级碳颗粒的纳米级绝缘包覆层。天线单元包括至少一设置于承载基板上的天线轨迹。天线轨迹具有一可依据被维持于第一设定范围内的VSWR值与被维持于第二设定范围内的天线效率而在一设定体积范围内进行调整的天线使用体积，且天线轨迹具有至少一馈入部及至少一接地部。
文档编号H01Q1/38GK103165979SQ20121023731
公开日2013年6月19日 申请日期2012年7月10日 优先权日2011年12月9日
发明者张靖玮, 黄佑综, 林哲民 申请人:耀登科技股份有限公司