专利名称：固态摄像组件及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及一种固态摄像组件。
背景技术：
以往已提出有一种于各像素具有放大功能，并通过扫描电路予以读出的放大型固态摄像器件，也就是CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor ;互补式金属氧化物半导体)图像传感器(imaging sensor)。于CMOS图像传感器中，在一个像素内形成有光电转换部、放大部、像素选择部、以及重置(reset)部，除了使用由光电二极管所构成的光电转换部之外，也使用三个MOS (Metal Oxide Semiconductor ;金属氧化物半导体)晶体管(例如专利文献I)。CMOS传感器蓄积由光电二极管所构成的光电转换部所产生的电荷,并通过放大部放大所蓄积的电荷，再使用像素选择部来读出放大后的电荷。图I为显示公知的CMOS图像传感器的单位像素。于图I中，符号5为光电转换用光电二极管、符号101为放大用晶体管、符号102为重置晶体管、符号103为选择晶体管、符号13为信号线、符号11为像素选择时钟线(clock line)、符号12为重置时钟线、符号14为电源线、符号114为重置用电源线。公知的CMOS图像传感器的单位像素除了光电二极管之外，也于平面具有三个MOS晶体管。也就是说，像素难以高度集成化。专利文献I :日本专利特开第2000-244818号公报。
发明内容
(发明所欲解决的问题)因此，本发明的目的为提供一种像素的集成密度高的CMOS图像传感器。(用于解决问题的手段)于本发明的一方式中，提供一种固态摄像组件，该固态摄像组件为于Si(硅)衬底上形成信号线，并于所述信号线上形成岛状半导体；所述岛状半导体具备有第一半导体层，设于所述岛状半导体下部而连接于所述信号线；第二半导体层，邻接于所述第一半导体层的上侧；栅极，隔着绝缘膜连接于所述第二半导体层；电荷蓄积部，连接于所述第二半导体层，并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层所构成；以及第四半导体层，邻接于所述第二半导体层与所述第三半导体层的上侧；并且，形成连接于所述岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线。此外，于本发明的优选方式中，所述第一半导体层为η+型扩散层，所述第二半导 体层为P型杂质添加区域，所述第三半导体层为η型扩散层，所述第四半导体层为P+型扩散层。所述P+型扩散层与η型扩散层具有作为光电转换用光电二极管(photo-diode)的功能；所述P+型扩散层、η型扩散层、以及P型杂质添加区域具有作为放大用晶体管的功能；所述第一半导体层的η+型扩散层、P型杂质添加区域、η型扩散层、以及栅极具有作为重置晶体管(reset transistor)的功能。此外，于本发明的优选方式中，所述第二半导体层的一部分为圆柱形状；所述栅极隔着所述绝缘膜包围所述第二半导体层一部分的外周。所述第二半导体层的另一部分为圆柱形状；所述第三半导体层包围所述第二半导 体层的所述另一部分的外周。此外，于本发明的优选方式中，提供一种将所述固态摄像组件于衬底配置有η行(row)m列(column) (n、m为I以上)的固态摄像组件阵列。本发明的另一方式为固态摄像组件的驱动方法于所述像素选择线施加第一驱动电压，于所述信号线施加第二驱动电压，于所述栅极施加第三驱动电压，借此进行所述电荷
蓄积部的重置。于所述像素选择线施加所述第一驱动电压，于所述栅极施加所述第一驱动电压，于所述信号线施加所述第一驱动电压，借此进行受光并使蓄积于所述电荷蓄积部的电荷量
产生变化。于所述像素选择线施加所述第二驱动电压，于所述栅极施加所述第一驱动电压，对所述信号线施加所述第一驱动电压，借此放大蓄积于所述电荷蓄积部的电荷，并使读出电流流通以进行读出。于本发明的优选方式中，所述第一驱动电压为0V，所述第二驱动电压为IV，所述第三驱动电压为I. 5V。(发明效果)本发明提供一种固态摄像组件，该固态摄像组件于Si衬底上形成信号线，于所述信号线上形成岛状半导体；所述岛状半导体具备有第一半导体层，设于所述岛状半导体下部而连接于所述信号线；第二半导体层，邻接于所述第一半导体层的上侧；栅极，隔着绝缘膜连接于所述第二半导体层；电荷蓄积部，连接于所述第二半导体层，并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层所构成；以及第四半导体层，邻接于所述第二半导体层与所述第三半导体层的上侧；并且，形成连接所述岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线。所述第三半导体层与所述第四半导体层具有作为光电转换用光电二极管的功能；所述第二半导体层、所述第三半导体层、以及所述第四半导体层具有放大用晶体管的功能；所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层、以及所述栅极具有作为重置晶体管的功能。借此，由于能以4F2(F为最小加工尺寸)面积来实现光电转换部、放大部、像素选择部、以及重置部(也就是CMOS图像传感器的单位像素)，故可成为像素的集成密度高的CMOS图像传感器。
图I为公知的CMOS图像传感器的单位像素。图2为本发明的第一实施例的一个固态摄像组件的侧视图。
图3(a)为图2的Xl-Xl'的剖面图。图3(b)为图3(a)的等效电路图。图4(a)为图2的Yl-Yl'的剖面图。图4(b)为图4(a)的等效电路图。图5为将本发明的固态摄像组件配置成二行三列的固态摄像组件阵列的侧视图。图6为图5的俯视图。图7为图6的X2-X2'的剖面图。 图8为图6的X3-X3'的剖面图。图9为图6的Y2-Y2'的剖面图。图10为本发明的固态摄像组件的等效电路。图11为本发明的固态摄像组件的驱动方法。图12为本发明的固态摄像组件的驱动方法。图13(a)及(b)为本发明的固态摄像组件的驱动方法。图14(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图14(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图15(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图15(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图16(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图16(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图17(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图17(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图18(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图18(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图19(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图19(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图20(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图20(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图21(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图21(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图22(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图22(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图23(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图23(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图24(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图24(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图25(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图25(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图26(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图26(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。
图27(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2_X2'的剖面的步骤图；图27(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图28(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图28(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图29(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图29(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图30(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图30(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图31(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图31(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。 图32(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图32(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图33(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图33(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图34(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图34(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图35(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图35(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图36 (a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图36(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图37(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图37(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图38(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图38(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图39(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图39(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图40 (a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图40(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图41 (a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图41(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图42 (a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图42(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图43(a)为用以显示本发明的CMOS图像传感器的实施例的X2-X2'的剖面的步骤图；图43(b)为Y2-Y2'剖面的步骤图。图44为用以显示本发明的第二实施例的侧视图。图45 (a)为图44的X5-X5丨的剖面图。图45(b)为图45(b)的等效电路图。图46(a)为图44的Y5-Y5'的剖面图。图46(b)为图46(a)的等效电路图。
图47为用以显示本发明的第三实施例的侧视图。上述附图中的附图标记说明如下5光电转换用光电二极管11像素选择时钟线 12重置时钟线13、256、278、378、407、603 信号线14电源线101、403放大用晶体管102,405重置晶体管103选择晶体管114重置用电源线
250、260、265、270p+型扩散层251、261、266、271p 型杂质添加区域252、262、267、272、362、367、372、602n+ 型扩散层253、263、268、273、406、600、607 栅极254、264、269、274 电荷蓄积部255,275,276,277,404,606 像素选择线360、365、370、60如+型扩散层361、366、371、601、608p 型杂质添加区域364、369、374、402、604、609 电荷蓄积部401光电二极管408读出电流Iread501p 型硅 502 氮化膜(SiN)503娃氧化膜504、505掩模506>507>508>509>524>525>526、533、534、535 光刻胶510、511、512、513 岛状半导体514、515、528、529、530、531 氧化膜516、517 侧壁 518、527 氧化膜层519、520、521、522 栅极氧化膜523多晶娃532金属536表面保护膜
具体实施例方式以下，根据附图所示的实施例来说明本发明。并且，本发明并未限定于附图所示的实施例。图2为显示本发明的第一实施例的一个固态摄像组件的侧视图。此外，图3(a)为图2的Xl-Xli的剖面图、图3(b)为图3(a)的等效电路图、图4(a)为图2的Yl-Yli的剖面图、图4(b)为图4(a)的等效电路图。于Si衬底上形成岛状半导体。于岛状半导体的下部形成接触于Si衬底并作为信号线256的η+型扩散层。于信号线256上形成η+型扩散层252，并于η+型扩散层252上形成P型杂质添加区域251。隔着绝缘膜将栅极253连接于P型杂质添加区域251。栅极253的下端部邻接于η+型扩散层252的上端部。
比连接有栅极253的部分更上部的P型杂质添加区域251连接有由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层254所构成的电荷蓄积部。栅极253的上端部邻接于η型扩散层254的下端部。与P型杂质添加区域251以及η型扩散层254连接形成ρ+型扩散层250。岛状半导体包含有η+型扩散层252、ρ型杂质添加区域251、栅极253、η型扩散层254、以及P+型扩散层250。接着，形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线255。ρ+型扩散层250与η型扩散层254具有作为光电转换用光电二极管的功能。ρ+型扩散层250、η型扩散层254、以及ρ型杂质添加区域251具有作为放大用晶 体管的功能。η+型扩散层254、ρ型杂质添加区域251、η型扩散层254、以及栅极253具有作为
重置晶体管的功能。此外，图5为显示将所述固态摄像组件配置成二行三列的固态摄像组件阵列的侧视图。图6为图5的俯视图。图7为图6的Χ2-Χ2'的剖面图。图8为图6Χ3-Χ3'的剖面图。图9为图6的Υ2-Υ2,的剖面图。于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层260、ρ型杂质添加区域261、以及η+型扩散层 262 ；于P型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部264，并且隔着绝缘膜连接栅极263 ；形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线275 ;借此，形成第一行第一列的固态摄像组件。此外，于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层265、ρ型杂质添加区域266、以及η+型扩散层 267 ；于P型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部269，并隔着绝缘膜连接栅极268 ；形成用以连接岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线276 ;借此，形成第一行第二列的固态摄像组件。此外，于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层270、ρ型杂质添加区域271、以及η+型扩散层 272 ；于ρ型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部274，并隔着绝缘膜连接栅极273 ；形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线277 ;借此，形成第一行第三列的固态摄像组件。于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层360、ρ型杂质添加区域361、以及η+型扩散层 362 ；
于P型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部364，并隔着绝缘膜连接栅极263 ；形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线275 ;借此，形成第二行第一列的固态摄像组件。此外，于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层365、ρ型杂质添加区域366、以及η+型扩散层 367 ；于P型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部369，并隔着绝缘膜连接栅极268 ；
形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线276 ;借此，形成第二行第二列的固态摄像组件。此外，于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层370、ρ型杂质添加区域371、以及η+型扩散层 372 ；于P型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部374，并隔着绝缘膜连接栅极273 ；形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线277 ;借此，形成第二行第三列的固态摄像组件。接着，形成用以将第一行第一列的岛状半导体上部的P+型扩散层260与第二行第一列的岛状半导体上部的P+型扩散层360予以相互连接的像素选择线275 ；形成将第一行第二列的岛状半导体上部的ρ+型扩散层265与第二行第二列的岛状半导体上部的P+型扩散层365予以相互连接的像素选择线276 ；形成将第一行第三列的岛状半导体上部的ρ+型扩散层270与第二行第三列的岛状半导体上部的P+型扩散层370予以相互连接的像素选择线277。接着，形成将第一行第一列的岛状半导体下部的η+型扩散层262、第一行第二列的岛状半导体下部的η+型扩散层267、以及第一行第三列的岛状半导体下部的η+型扩散层272予以相互连接的信号线278 ;形成将第二行第一列的岛状半导体下部的η+型扩散层362、第二行第二列的岛状半导体下部的η+型扩散层367、以及第二行第三列的岛状半导体下部的η+型扩散层372予以相互连接的信号线378。将本发明的固态摄像组件的等效电路显示于图10。本发明的固态摄像组件具备有光电二极管401，由放大用晶体管的栅极与源极所构成；电荷蓄积部402，由放大用晶体管的栅极所构成；放大用晶体管403，由用以放大电荷蓄积部的电荷的接合晶体管所构成；像素选择线404，连接至接合晶体管的源极；重置晶体管405，由MOS晶体管所构成，其源极连接至放大用晶体管的栅极，且用以重置电荷蓄积部；栅极(重置线)406 ;二极管，阳极连接至放大用晶体管的漏极，阴极连接至重置晶体管的漏极；以及信号线407，连接至二极管的阴极。将本发明的固态摄像组件的驱动方法显示于图11、图12、图13 (a)、以及图13(b)。首先,于像素选择线404施加0V、于信号线407施加信号线电压VH(例如IV)、于栅极(重置线)406施加VH+Vth，借此将电荷蓄积部402设作为VH并进行重置(图11)。然而，Vth为重置晶体管的阈值电压,例如为O. 5V。接着，于像素选择线404施加0V、于栅极(重置线)406施加0V、于信号线407施加0V，借此将射入至光电二极管401的光信号转换成电荷，并将转换后的信号电荷蓄积至电荷蓄积部402。也就是说，当光线射入时，电荷蓄积部402的电压会降低(图12)。接着，于像素选择线404施加VH (例如IV)、于栅极(重置线)406施加0V、于信号线407施加0V，借此将蓄积于电荷蓄积部402的电荷放大，并使读出电流Iread408流通以进行读出。当光线很强时，电荷蓄积部402的电压会降低，电流会流通(图13(a))。此外，当光线未射入至光电二极管时，电荷蓄积部402的电压为VH(例如IV)，电流即不流通(图13(b))。通过所述的驱动方法，能将由光电二极管所构成的光电转换部所产生的电荷予以蓄积，并通过放大部将所蓄积的电荷放大，且使用像素选择部来读出电荷。以下，参照图14至图43，说明用以形成本发明的半导体器件的构造的制造步骤的 一例。图14至图43为对应于图6的的剖面与Y2-Y2'的剖面。图14为S01(silicon-on-insulator ;绝缘层上覆硅)衬底的的剖面与Υ2-Υ2'的剖面，该SOI衬底于氧化硅膜上形成ρ型硅501，并沉积有氮化膜(SiN) 502与氧化硅膜503。形成光刻胶(resist)、进行氧化膜蚀刻、进行氮化膜蚀刻、剥离光刻胶而形成掩模504,505(图 15)。将Si予以蚀刻以形成信号线278、378(图16)。形成光刻胶506、507、508、509(图 17)。将氧化膜、氮化膜予以蚀刻(图18)。剥离光刻胶(图19)。将Si予以蚀刻以形成岛状半导体510、511、512、513(图20)。进行氧化以形成氧化膜514、515(图21)。沉积多晶娃并予以回蚀刻(etch back)而残留成侧壁(side wall) 516、517状(图22)。将磷予以离子注入、进行退火、而形成信号线278、378与η+型扩散层262、267、272,372(图 23)。剥离多晶硅(图24)。剥离氧化膜(图25)。沉积氧化膜并进行平坦化及蚀刻，以形成氧化膜层518 (图26)。进行栅极氧化以形成栅极氧化膜519、520、521、522，接着沉积多晶硅523并进行平坦化及回蚀刻(图27)。形成用以作为重置线的光刻胶524、525、526(图28)。将多晶硅予以蚀刻以形成栅极(重置线)263、268、273(图29)。剥离光刻胶(图30)。剥离Si柱侧壁的薄氧化膜后，将Si柱侧壁与栅极的多晶硅予以氧化(图31)。将磷予以离子注入以形成η型扩散层(图32)。
进行退火以形成电荷蓄积层264、269、274、374(图33)。剥离氮化膜(图34)。沉积氧化膜并进行平坦化以及回蚀刻，以形成氧化膜层527 (图35)。进行氧化以形成氧化膜528、529、530、531 (图36)。注入硼、进行退火、形成ρ+型扩散层260、265、270、370(图37)。剥离氧化膜(图38)。沉积金属532并进行平坦化及回蚀刻(图39)。形成用以作为像素选择线的光刻胶533、534、535(图40)。
将金属予以蚀刻以形成像素选择线275、276、277(图41)。剥离光刻胶(图42)。形成表面保护膜536 (图43)。此外，于第一实施例中，使用有做成以电荷蓄积部包围ρ型杂质添加区域，且以栅极隔着绝缘膜包围P型杂质添加区域的构造的固态摄像组件。如图44所示，也可做成栅极600隔着绝缘膜包围P型杂质添加区域601的一部分。图44为显示本发明的第二实施例的侧视图。图45(a)为图44的X5-X5'的剖面图。图45(b)为图45(a)的等效电路图。图46(a)为图44的Y5-Y5'的剖面图。图46 (b)为图46 (a)的等效电路图。其构造为于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层605、ρ型杂质添加区域601、以及η+型扩散层 602 ；于ρ型杂质添加区域，栅极600隔着绝缘膜连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部604 ；形成连接于岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线606 ；于岛状半导体下部形成作为信号线603的η+型扩散层。此外，图47为显示第三实施例。也可为以电荷蓄积部609包围ρ型杂质添加区域608的一部分，且以栅极607隔着绝缘膜包围ρ型杂质添加区域608的一部分。如上所述，公知的CMOS图像传感器的单位像素除了光电二极管之外，也于平面具有三个MOS晶体管。也就是说，像素难以高密度集成化。相对于此，在本发明中，于Si衬底上形成岛状半导体；于岛状半导体内部形成ρ+型扩散层、ρ型杂质添加区域、以及η+型扩散层；于ρ型杂质添加区域连接由受光时电荷量会产生变化的η型扩散层所构成的电荷蓄积部，且隔着绝缘膜连接有栅极。形成用以连接岛状半导体上部的ρ+型扩散层的像素选择线，且于岛状半导体下部形成作为信号线的η+型扩散层。所述ρ+型扩散层与η型扩散层具有作为光电转换用光电二极管的功能；所述ρ+型扩散层、η型扩散层、以及P型杂质添加区域具有作为放大用晶体管的功能；
所述η+型扩散层、P型杂质添加区域、η型扩散层、以及栅极具有作为重置晶体管的功能。
通过所述构成，由于能以4F2(F为最小加工尺寸)面积来实现光电转换部、放大部、像素选择部、以及重置部(也CMOS图像传感器的单位像素)，故可成为像素高集成的CMOS图像传感器。
权利要求
1.一种固态摄像组件，其特征在于，具备 放大用晶体管，由接合晶体管所构成，其栅极与源极作为光电转换用光电二极管而发挥功能，所述栅极作为电荷蓄积部而发挥功能，且用以放大所述电荷蓄积部的电荷； 重置晶体管，由MOS晶体管所构成，其源极连接至所述放大用晶体管的栅极，且用以重置所述电荷蓄积部； 二极管，阳极连接至所述放大用晶体管的漏极，阴极连接至所述重置晶体管的漏极； 像素选择线，连接至所述放大用晶体管的源极；以及 信号线，连接至所述重置晶体管的漏极及所述二极管的阴极。
2.一种固态摄像组件的驱动方法，为驱动权利要求I的固态摄像组件的方法，其特征在于，于所述像素选择线施加第一驱动电压，于所述信号线施加第二驱动电压，于所述重置晶体管的栅极施加第三驱动电压，藉此进行所述电荷蓄积部的重置。
3.根据权利要求2所述的固态摄像组件的驱动方法，其特征在于，所述第一驱动电压为0V，所述第二驱动电压为IV，所述第三驱动电压为I. 5V。
4.一种固态摄像组件的驱动方法，为驱动权利要求I的固态摄像组件的方法，其特征在于，于所述像素选择线施加第一驱动电压，于所述重置晶体管的栅极施加所述第一驱动电压，于所述信号线施加所述第一驱动电压，藉此进行受光以使蓄积于所述电荷蓄积部的电荷量产生变化。
5.一种固态摄像组件的驱动方法，为驱动权利要求I的固态摄像组件的方法，其特征在于，于所述像素选择线施加第二驱动电压、于所述重置晶体管的栅极施加第一驱动电压、于所述信号线施加所述第一驱动电压，藉此将蓄积于所述电荷蓄积部的电荷予以放大，并使读出电流流通以进行读出。
6.根据权利要求5所述的固态摄像组件的驱动方法，其特征在于，所述第一驱动电压为0V,所述第二驱动电压为IV。
全文摘要
本发明公开了一种固态摄像组件及其驱动方法，本发明提供一种像素集成密度高的CMOS图像传感器。固态摄像组件于Si衬底上形成信号线(256)，并于信号线上形成岛状半导体。岛状半导体具备有第一半导体层(252)，连接于信号线；第二半导体层(251)，邻接于第一半导体层的上侧；栅极(253)，隔着绝缘膜连接于第二半导体层；电荷蓄积部，连接于第二半导体层，并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层(254)所构成；以及第四半导体层(250)，邻接于第二半导体层与所述第三半导体层的上侧。并且形成有用以连接岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线(255)。
文档编号H01L27/146GK102842591SQ201210291348
公开日2012年12月26日 申请日期2007年9月12日 优先权日2007年9月12日
发明者舛冈富士雄, 中村广记 申请人:新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司