专利名称：发光器件的制作方法
技术领域：
实施例涉及一种发光器件。
背景技术：
由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用II1-V族或者I1-VI族化合物半导体材料的、诸如发光二极管或者激光二极管的发光器件能够发射诸如红色、绿色、蓝色的各种颜色的光和紫外光。此外，与诸如荧光灯、白炽灯的传统的光源相比较，这些发光器件能够使用荧光物质或者通过色彩混合产生具有高效率的白光，并且具有诸如低功率消耗、半永久性寿命、响应时间快速、安全和环境友好的优点。因此，发光器件被越来越多地应用于光学通信单元的传输模块、替换组成液晶显示器(LCD)装置的背光单元的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光单元、使用替换荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管的照明设备、车辆的头灯以及交通灯。发光器件通过经由第一导电型半导体层注入的电子和经由第二导电型半导体层注入的空穴的复合来发射具有由有源层的材料的本征能带确定的能量的光。在发光器件封装中，通过从发光器件发射的光来激励荧光体，并且因此，可以发射比从有源层发射的光长的长波长区域的光。图1是图示传统的发光器件100的视图。图2是图示图1的发光器件100的电极结构的视图。参考图1，发光器件100包括衬底110、缓冲层115、以及包括第一导电型半导体层122、有源层124以及第二导电型半导体层126的发光结构120。在此，缓冲层115被插入在衬底110和发光结构120之间。当衬底110是由非导电材料形成时，第一导电型半导体层122的一部分被暴露并且第一电极150被布置在其被暴露的表面上。为了将空穴均匀地注入第二导电型半导体层126，透光导电层130可以被布置在第二导电型半导体层126上，并且第二电极160可以被布置在透光导电层130上。图2图不图1的发光器件100的第一和第二电极150和160的结构。为了将电子和空穴均匀地注入到各自的第一和第二导电型半导体层122和126并且增加电子和空穴的再复合的比率，如在图2中所图示的，第一电极150包括第一电极焊盘152和从其分支的第一分支电极154，并且第二电极160包括第二电极焊盘162和从其分支的第二分支电极164。然而，传统的发光器件具有如下面所陈述的问题。即使上述的第二分支电极164被布置在第二导电型半导体层126上，空穴仅能够被集中在与第二分支电极164相对应的第二导电型半导体层126的区域周围，并且因此，难以期待将电子和空穴绑定在有源层124的整个区域中。为了解决这些问题，具有分散空穴的高能力的透光导电层130可以被布置在第二导电型半导体层126上。然而，因为透光电极层130具有与电极材料差的接触特性，所以第二电极160和第二分支电极164可能没有被稳定地形成。
发明内容
在一个实施例中，发光器件包括:发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且包括通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；第一电极，该第一电极被连接到第一导电型半导体层；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。在另一实施例中，发光器件包括:发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且包括通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；第一电极，该第一电极被布置在透光导电层上并且多个区域中点接触第一导电型半导体层；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上并且在除了开口区域之外的区域中点接触透光导电层。在另一实施例中，发光器件包括:发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在发光结构上并且具有第一图案，该第一图案包括暴露发光结构的第一开口部分和桥接部分；第二电极，该第二电极被布置在与第一图案的内部相对应的区域上并且延伸接触桥接部分；透光绝缘层，该透光绝缘层覆盖透光导电层并且具有第二图案，该第二图案包括经过透光导电层、第二导电型半导体层以及有源层的第二开口部分以暴露第一导电型半导体层；以及第一电极，该第一电极通过第二开口部分接触第一导电型半导体层并且被布置成在透光绝缘层上延伸。
可以参考以下附图来详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记表示相同的兀件并且其中:图1是图示传统的发光器件的视图；图2是图示图1的发光器件的电极结构的视图；图3是图示根据实施例的发光器件的视图；图4是图示图3的发光器件的电极结构的视图；图5A至图5C是在图4中图示的区域“A”的放大视图；图6是在图4中图示的区域“B”的放大视图；图7A是图示在图3的发光器件的第一和第二电极之间的位置关系的视图；图7B是图示透光导电层的结构的视图7C是图示透光绝缘层的结构的视图；图8A至图SE是顺序地图示根据实施例的用于制造发光器件的方法的视图；图9是图示根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的视图；图10是图示根据实施例的包括发光器件封装的发光器件的视图；以及图11是图示根据实施例的包括发光器件封装的图像显示装置的视图。
具体实施例方式在下文中，将参考附图来描述实施例。将理解的是，当元件被称为是在另一元件“上”或者“下”时，其能够直接地在元件上/下，并且一个或者多个中间元件也可以存在。当元件被称为是在“上”或者“下”时，基于元件也可以包括“在元件下面”和“在元件上面”。图3是图示根据实施例的发光器件200的视图。图4是图示图3的发光器件200的电极结构的视图。参考图3,发光器件200包括衬底210 ;发光结构220,该发光结构220被布置在衬底210上方并且包括第一导电型半导体层222、有源层224以及第二导电型半导体层226 ；缓冲层215，该缓冲层215被插入在衬底210和发光结构220之间；以及透光导电层230和透光绝缘层240，该透光导电层230和透光绝缘层240被顺序地布置在发光结构220上。透光导电层230和透光绝缘层240中的每一个的一部分可以被图案化以暴露第二导电型半导体层226，并且第二电极260可以被布置在其被暴露的表面上。在这点上，第二电极260可以具有比透光绝缘层240的高度大的高度，这更加易于线结合。穿通电极256被布置在第一导电型半导体层222处以对应于第二电极260，通过透光导电层230、第二导电型半导体层226以及有源层224延伸。透光绝缘层240在穿通电极256周围延伸，并且可以防止穿通电极256被电连接到透光导电层230、第二导电型半导体层226或者有源层224。与透光绝缘层240相比，穿通电极256可以被较深地插入到第一导电型半导体层222 中。衬底210可以是由适合于例如载体晶片的半导体材料的生长的材料形成。而且，衬底210可以是由具有优秀的导热性的材料形成，并且可以是导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底 210 可以是由蓝宝石(Al2O3)' SiC, S1、GaAs, GaN, ZnO, S1、GaP、InP、Ge 以及 Ga2O3中的至少一个形成。在本实施例中，由于穿通电极256，衬底210可以是绝缘衬底。衬底210具有被形成在其表面上的图案，并且因此，从有源层224透射的光的反射效率可以被增加。缓冲层215被形成，以便减少衬底210和第一导电型半导体层222的材料之间的热膨胀的系数差以及晶格错配。缓冲层215可以是由II1-V族半导体化合物，例如，GaN,InN, AIN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 以及 AlInN 中的至少一个形成。第一导电型半导体层222可以是由半导体化合物，例如，II1-V或者I1-VI半导体化合物形成，并且可以被掺杂有第一导电型掺杂物。当第一导电型半导体层222是η型半导体层时，第一导电型掺杂物可以是η型掺杂物，例如，S1、Ge、Sn、Se或者Te，但是本公开不限于此。 第一导电型半导体层222可以包括具有InxAlyGa(1_x_y)N的分子式的半导体材料，其中O彡X彡1，0彡y彡1，以及O彡x+y ( I。第一导电型半导体层222可以是由GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP以及InP中的至少一个形成。通过经由第一导电型半导体层注入的电子和经由第二导电型半导体层注入的空穴的复合，有源层224发射具有由有源层224的材料的本征能带确定的能量的光。有源层224可以具有双异质结结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个结构。例如，有源层224可以具有通过三甲基镓气体(TMGa)、氨气(順3)、氮气(N2)以及三甲基铟气体(TMIn)的注入而形成的MQW结构，但是本公开不限于此。有源层224 可以具有阱层 / 势垒层，例如，InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、InAlGaN/InAlGaN、GaAs (InGaAs)/AlGaAs 以及 GaP (InGaP)/AlGaP 的至少一对结构，但是本公开不限于此。阱层可以是由具有比势垒层的带隙低的带隙的材料形成。导电包覆层(未示出)可以被形成在有源层224上方和/或下方。导电包覆层可以是由具有比有源层224的势垒层的带隙高的带隙的半导体形成。例如，导电包覆层可以包括GaN、AlGaN或者InAlGaN,或者可以具有超晶格结构。另外，导电包覆层可以是η型或者P型掺杂的。第二导电型半导体层226被布置在有源层224上。第二导电型半导体层226可以是由半导体化合物，例如，II1-V族半导体化合物、I1-VI族半导体化合物等形成，并且可以被掺杂有第二导电型掺杂物。例如，第二导电型半导体层226可以包括具有InxAlyGa1^N的分子式的半导体材料，其中1，并且O ( x+y ( I。当第二导电型半导体层226是P型半导体层时，第二导电型掺杂物可以是P型掺杂物，诸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。透光导电层230可 以是由ITO等形成，并且透光绝缘层240可以是由SiO2或者Si3N4形成。在本实施例中，绝缘衬底被用作衬底210，并且因为穿通电极256被布置以将电子供应给第一导电型半导体层222,所以第一导电型半导体层222的一部分可以不被暴露。第一电极250可以包括第一电极焊盘252、第一分支电极254、以及穿通电极256,并且第二电极260可以包括第二电极焊盘262和第二分支电极264。第一和第二电极250和260可以具有铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)以及金(Au)中的至少一种的单层或者多层结构。第一电极250将电流供应到第一导电型半导体层222。因此，当第一导电型半导体层222是η型半导体层时,第一电极250可以供应电子。第一电极焊盘252被布置在发光结构220的边缘区域处，并且因此，可以不劣化从发光结构220发射的光的光学特性。在本实施例中，第一电极焊盘252被布置在透光绝缘层240上，不同于其中有源层被蚀刻以暴露第一导电型半导体层的一部分并且电极焊盘被形成在第一导电型半导体层的暴露部分上的传统的电极焊盘形成方法。因此，诸如由于有源层224的蚀刻而导致发光区域的损耗的问题可以被处理。因为第一电极焊盘252被布置在透光绝缘层240上，所以第一电极焊盘252可以与透光导电层230或者第二导电型半导体层226电绝缘。
第一分支电极254可以从第一电极焊盘252进行分支并且被布置在透光绝缘层240上，并且可以从第一分支电极254的预定区域形成穿通电极256。穿通电极256可以具有5 μ m至10 μ m的尺寸屯。在此，“尺寸”指示当穿通电极256具有圆形的横截面时的直径以及指示当穿通电极256具有多边形的横截面时的边长度。第一分支电极254的宽度d2可以是穿通电极256的尺寸Cl1的50%。在本实施例中，第二电极260可以被布置在通过蚀刻透光导电层230和透光绝缘层240形成的第二导电型半导体层226的开口区域上。为了布置第二电极260，透光绝缘层240的一部分可以被暴露以对应于透光导电层230的开口区域。第二电极260可以电接触第二导电型半导体层226，延伸超出开口区域中的至少一个并且可以接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层230。如在此所使用的，术语“开口区域”可以指的是第二导电型半导体层226的暴露部分，通过该暴露部分，其表面被暴露。当沿着第一电极250以恒定的间隔布置开口区域时，电流可以被供应到发光结构220的整个区域。具体地，开口区域可以被形成在第一电极250的一部分的相对侧处，即，第一分支电极254和/或穿通电极256，使得第一电极250的一部分被插入在开口区域之间。第二电极焊盘262面向第一电极焊盘252并且被形成以对应于发光结构220的边缘区域，并且因此，可以将电流供应到发光结构220的宽区域并且可以不劣化光学效率。从第一电极焊盘252分支的第一分支电极254可以被布置以朝向第二电极焊盘262延伸。第二分支电极264可以在第二方向中从第二电极焊盘262进行分支。在本实施例中，第二分支电极264可以被布置在第一电极250的相对侧处,具体地,第一分支电极254,使得第一分支电极254被插入在第二分支电极264之间。图5A至图5C是在图4中图示的区域“A”的放大视图。图6是在图4中图示的区域“B”的放大视图。图7A是图示在图3的发光器件的第一和第二电极之间的关系的位置的视图。图7B是图示透光导电层的结构的视图。图7C是图示透光绝缘层的结构的视图。在开口区域中，第二分支电极264和第二导电型半导体层226相互直接接触，从而可以改进电接触特性。然而，两个第二分支电极以曲线的形式被布置在第二导电型半导体层226上，并且因此，空穴的注入仅可以被集中在接触第二分支电极264的第二导电型半导体层226上。在本实施例中，透光导电层230被部分地布置在除了开口区域之外的区域中。即，可以以如在图4和图5A中所图示的线形。部分地布置透光导电层230。在除了开口区域之外的区域中，透光导电层230可以被布置在第二导电型半导体层226和第二分支电极264之间。另外，其中透光导电层230被连接在第二导电型半导体层226和第二分支电极264中的每一个之间的至少一个区域可以被形成。在被图示的实施例中，其中透光导电层230被连接在第二导电型半导体层226和第二分支电极264之间的用于第二分支电极中的每一个的三个区域被形成。如在图5A中所图示的，第二分支电极264接触第二导电型半导体层226，并且因此具有优秀的接触特性。另外，第二分支电极264接触区域处的透光导电层230，并且如在图5A中的虚线所表示的，空穴可以经由透光导电层230被供应到第二导电型半导体层226的整个区域。在此，由于上述接触特性，第二电极260和透光导电层230可以相互欧姆接触，并且第二电极260可以以肖特基接触开口区域。第二电极260的第二分支电极264点接触透光导电层230。如在此所使用的，术语“点接触”指的是其中第二分支电极264没有连续地接触透光导电层230而是接触相互分离的区域处的透光导电层230的状态。即，第二分支电极264接触具有与在图5A的中心部分所图示的宽度的透光导电层230。在图5A中，开口区域的宽度d3可以是3μπι至5um。当开口区域的宽度d3太小时，第二电极260的布置不是容易的。另一方面，当开口区域的宽度d3太大时，透光导电层230的面积减少，并且因此，会减少将空穴供应到第二导电型半导体层的效率。第二分支电极264可以具有2 μ m至4um的宽度d4。当第二分支电极264的宽度d4太大时，阻挡和吸收从有源层224发射的光的面积可以增加。另一方面，当第二分支电极264的宽度d4太小时,不易于形成第二分支电极264。图5B是在图5A的H-H’方向中的横截面图。如在图5A中所图示的，透光导电层230被布置在第二导电型半导体层226的一部分上，并且因此，第二分支电极264在其中透光导电层230被形成的区域处具有相对大的高度。对于与在下面将会描述的第一分支电极254的位置关系,其中第二分支电极264被连接到透光导电层230的至少两个区域可以被形成。考虑第二分支电极264和第二导电型半导体层226的接触特性，接触第二导电型半导体层226的第二分支电极264的区域可以比被连接到透光导电层230的第二分支电极264的区域宽。在实施例中，如在图4中所图示的，在除了开口区域之外的区域中，其中透光导电层230被连接在第二分支电极264中的一个与第二导电型半导体层226之间的区域可以被形成以与其中透光导电层230被连接在第二分支电极264中的另一个与第二导电型半导体层226之间的区域相对应，并且在下面将会结合穿通电极256的布置进行描述。图5C是在图5A的G-G’方向中的横截面图。参考图5C，透光导电层230被布置在第二导电型半导体层226上，第二分支电极264被布置在透光导电层230的中心区域上，并且透光绝缘层240被布置在透光导电层230的边缘区域上。在此，透光导电层230可以是桥接部分。在图5C中，第二分支电极264的最高的点被形成在透光绝缘层240的最高点的相同的高度处。然而，在一些实施例中，第二分支电极264的最高点可以被形成为高于透光绝缘层240的最高点。图6是具体地图示第一分支电极254和穿通电极256的布置的视图。通孔被形成在透光绝缘层240的顶部处。在此，通孔被连接到第一导电型半导体层222，通过透光导电层230、第二导电型半导体层226以及有源层224延伸。电极材料被插入到通孔中，从而形成穿通电极256，并且穿通电极256被连接到被布置在透光绝缘层240上的第一分支电极254。与透光绝缘层240相比，穿通电极256被较深地插入到第一导电型半导体层222中，并且因此，电子可以被均匀地注入到第一导电型半导体层222。透光绝缘层240被布置以在通过透光导电层230、第二导电型半导体层226以及有源层224的穿通电极256周围延伸，并且因此防止电子被注入到第二导电型半导体层226等中。即，第一电极250的穿通电极256点接触第一导电型半导体层222。上述的开口区域可以是暴露部分，通过该暴露部分，第二导电型半导体层226的表面被暴露。当沿着第一电极250以恒定的间隔布置开口区域时，电流可以被供应到发光结构220的整个区域。
在图4中，透光绝缘层240的区域可以是第一图案，通过该透光绝缘层240透光导电层230被暴露。第一图案可以包括与开口区域相对应的第一开口部分和被布置在第一开口部分之间的桥接部分(即，透光导电层230)。在此，第二电极260可以接触第一图案内的桥接部分。透光绝缘层240的区域可以是第二图案，在该透光绝缘层240上第一电极250被布置。第二图案可以包括第二开口部分，其中通过透光导电层230、第二导电型半导体层226以及有源层224从透光绝缘层240到第一导电型半导体层222形成通孔。在这一点上，经由第二开口部分第一电极250可以被电连接到第一导电型半导体层222。图7A图示在第一分支电极254、穿通电极256以及第二分支电极264之中的布置关系。以线形状布置从第一电极焊盘252分支的第一分支电极254。在本实施例中,被布置在第一分支电极253处的穿通电极256的数目是3。然而，在一些实施例中，穿通电极256的数目可以至少是两个。第二电极焊盘262面向第一电极焊盘252，并且从第二电极焊盘262分支的第二分支电极264被布置在第一分支电极254的相对侧处。在图7A中，通过第二分支电极264的“ I ”表示的区域是其中电接触透光导电层230的区域。通过“I”表示的区域，即，其中透光导电层230被连接在第二分支电极264和第二导电型半导体层226之间的区域被布置成不与穿通电极256重叠。在这样的配置中，被注入到第一导电型半导体层222中的电子和被注入到第二导电型半导体层226中的空穴被注入到交叉区域中，并且因此，电子和空穴可以在有源层224的整个区域中均匀地复合。在图7B中，被形成在透光导电层230处的第一开口部分、桥接部分、以及第三开口部分可以被称为第一图案。在这一点上，第一开口部分和桥接部分可以被形成以对应于第二电极260，并且第三开口部分可以对应于穿通电极256。在图7C中，被形成在透光绝缘层240处的第二开口部分和第四开口部分可以被称为第二图案。在这一点上，第二开口部分可以对应于穿通电极256，并且第四开口部分可以对应于第二电极260。图8A至图SE是顺序地图示根据实施例的用于制造发光器件的方法的视图。如在图8A中所图示的，缓冲层215、发光结构220以及透光导电层230被生长在衬底210上。衬底210可以在其上表面处具有不平坦部分，但是本公开不限于此。衬底210可以经受湿清洗以去除其表面上的杂质。衬底210和缓冲层215的构成与上述的相同。发光结构220的层中的每一个的构成与上述的相同，并且通过金属有机化学气相沉积(M0CVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)以及氢化物气相外延(HVPE)等可以形成各个层，但是本公开不限于此。通过诸如溅射的沉积可以形成透光导电层230。在其中掩模280被布置在第二导电型半导体层226上的状态下可以执行用于形成透光导电层230的沉积过程。在这一点上，其中掩模280被布置的区域被形成为开口区域，通过该开口区域，第二导电型半导体层226被暴露，即，其中第二电极260的区域要被形成。随后，通孔被形成，如在图8B中所图示的。即，通过透光导电层230、第二导电型半导体层226以及有源层224从其中掩模280没有被布置到第一导电型半导体层222的一部分的开口区域形成通孔。在图8B中，通过蚀刻形成单个通孔。然而，在一些实施例中，由掩模280形成的开口部分的数目可以与要被形成的通孔的数目相同。接下来，如在图SC中所图示的，通过诸如溅射的沉积透光绝缘层240可以被形成在透光导电层230上。在此，沉积材料可以被沉积到通孔中。掩模280可以被布置在其中透光导电层230没有被布置的第二导电型半导体层226的开口区域上，使得透光绝缘层240没有被形成在开口区域中并且第二导电型半导体层226被暴露。接下来，如在图8E中所图示的，电极材料可以被注入到透光绝缘层240的表面和通孔中以形成第一分支电极254和穿通电极256。第一电极焊盘252可以被形成使得接触第一分支电极254。第二电极焊盘262和第二分支电极264可以被形成在其中第二导电型半导体层226被暴露的区域上。图9是图示根据实施例的包括发光器件的发光器件封装300的视图。发光器件封装300包括:封装主体310 ;第一和第二引线框架321和322，该第一和第二引线框架321和322被安装在封装主体310上；上述的发光器件200，该发光器件200被布置在封装主体310上并且电连接到第一和第二引线框架321和322 ；以及模制构件350，该模制构件350覆盖发光器件200的顶表面和侧表面。封装主体310可以是由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。倾斜表面可以形成在发光器件200的周围，从而增加光获取效率。第一引线框架321和第二引线框架322被相互电隔离，并且将电力提供给发光器件200。另外，第一引线框架321和第二引线框架322可以反射从发光器件200产生的光以增加发光器件封装的光效率，并且可以将从发光器件200生成的热散发到外部。发光器件200是根据上述实施例的发光器件并且可以被布置在封装主体310上。发光器件200可以经由电线340与第一和第二引线框架321和322相结合或者可以使用倒装芯片方法被电连接到第一和第二引线框架321和322。在本实施例中，通过粘附层330将发光器件200固定到封装主体310。模制构件350可以包围和保护发光器件200。而且，荧光体360可以被包含在模制构件350中以改变从发光器件200发射的光的波长。在被包括在发光器件封装300中的发光器件200中，第二电极接触第二导电型半导体层226并且具有优秀的接触特性。另外，第二电极260接触区域中的透光导电层230，并且因此，空穴经由透光导电层230被供应到第二导电型半导体层226的整个区域并且形成在通孔形式中的第一电极不与透光导电层230重叠，并且因此，电子和空穴在有源层224的整个区域中复合，导致增加发光效率。发光器件封装300可以包括根据上述实施例的一个或者多个发光器件，但是本公开不限于此。根据本实施例的多个发光器件封装300可以排列在基板上,并且包括导光板、棱镜片、散射片等的光学构件可以被布置在发光器件封装300的光学路径上。发光器件封装300、基板以及光学构件可以用作灯单元。根据另一实施例，可以提供包括上述发光器件或者发光器件封装的显示装置、指示装置或者照明系统。照明系统的示例可以包括灯和街灯。在下文中，将会描述头灯和背光单元作为包括上述发光器件封装的照明系统的实施例。
图10是图示根据实施例的包括发光器件封装的头灯400的视图。在头灯400中，从包括上述的发光器件封装的发光器件模块401发射的光可以由反射器402和灯罩403反射，传输到透镜404，使得被引导朝向汽车的前侧。如上所述，在被包括在发光器件模块401中的发光器件中，第二电极接触第二导电型半导体层并且因此具有优秀的接触特性。另外，第二电极接触区域中的透光导电层230，并且因此，空穴经由透光导电层230被供应到第二导电型半导体层226的整个区域，并且被形成在通孔形式中的第一电极不与透光导电层230重叠，并且因此，电子和空穴在有源层224的整个区域中复合，导致增加发光效率。图11是图示根据实施例的包括发光器件封装的图像显示装置500的视图。如在图11中所图示的，显示装置500包括光源模块；底盖510上的反射板520 ;导光板540,该导光板540被布置在反射板520的前侧处以将从光源模块发射的光导向显不装置500的前侧；第一棱镜片550和第二棱镜片540，该第一棱镜片550和第二棱镜片540被布置在导光板540的前侧处；第二棱镜片560的前侧处的面板570 ；以及面板570的前侧处的滤色器580。光源模块包括电路基板530上的发光器件封装535。在此，电路基板530可以是印刷电路板(PCB)等，并且发光器件封装535包括在图3中图示的发光器件。底盖510可以容纳图像显示装置500的元件。反射板520可以被形成为如在图11中所示的独立的元件或者可以被设置成通过将高反射材料涂覆在导光板540的后表面或者底盖510的前表面而形成的涂层。反射板520可以是由具有高反射的材料形成并且能够以超薄的形式，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)使用。导光板540散射从发光器件发射的光并且从而能够将被发射的光均匀地分散在液晶显示器装置的屏幕的整个区域上。因此，导光板540是由具有高折射率和透射的材料制成。例如，导光板540可以是由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)等形成。另外，当没有形成导光板540时，可以构造空气导向型的显示装置。第一棱镜片550可以包括支撑膜和被形成在支撑膜的表面上的具有透光性和弹性的聚合物的层。该聚合物的层可以包括其中重复多个三维结构的棱镜层。在此，可以形成结构图案使得以条纹的形式重复脊和谷，如图11中所图示的。在第二棱镜片560中，其中支撑膜的表面处的脊和谷延伸的方向可以垂直于其中第一棱镜片550的支撑膜的表面处的脊和谷延伸的方向。这样的配置用作朝向面板870的整个表面均匀地分散从光源模块和反射板透射的光。在本实施例中，第一和第二棱镜片550和560组成光学片。而且,光学片可以被配置成微透镜阵列、扩散片和微透镜阵列的组合、或者单棱镜片和微透镜阵列的组合。液晶显示器面板可以被用作面板570。而且，需要光源的其它种类的各种显示装置可以被用作面板570。面板570被配置成使得液晶被布置在玻璃主体之间并且偏振板被安装在玻璃主体上以便于使用光的偏振特性。在此，具有在液体和固体之间物理属性的液晶具有其中具有流动性的液晶分子如晶体一样规则地排列的结构。在这一点上，使用其中通过外部电场改变液晶分子的分子布置的属性来显示图像。
在图像显示装置500中使用的液晶显示器面板可以是有源矩阵类型，并且使用晶体管作为用于调节施加给各个像素的电压的开关。滤色器580被布置在面板570的前表面上，并且因此，仅透射各个像素的从面板570透射的光的红、绿以及蓝光，从而显示图像。在被包括在根据本实施例的图像显示装置500中的发光器件中，第二电极接触第二导电型半导体层，并且因此具有优秀的接触特性。另外，第二电极接触区域中的透光导电层，并且因此，空穴经由透光导电层被供应到第二导电型半导体层的整个区域，并且被形成在通孔形式中的第一电极不与透光导电层重叠，并且因此，电子和空穴在有源层的整个区域中复合，增加发光效率。虽然已经参考本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多其它落入本公开原理的精神和范围内的修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内的主题的组合布置的组成部件和/或布置中，可以做出各种变化和修改。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件，包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层； 透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；以及 第二电极，所述第二电极被布置在所述透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个， 其中，所述第二电极接触所述开口区域中的所述第二导电型半导体层并且接触除了所述开口区域之外的区域中的所述透光导电层。
2.—种发光器件，包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层； 透光导电层，所述透光导电层被 布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域； 第一电极，所述第一电极被布置在所述透光导电层上并且在多个区域中点接触所述第一导电型半导体层；以及 第二电极，所述第二电极被布置在所述透光导电层上并且在除了所述开口区域之外的区域中点接触所述透光导电层。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二电极欧姆接触所述透光导电层并且肖特基接触所述第二导电型半导体层。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一电极的至少一部分被插入在所述开口区域的至少一部分之间。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，以恒定的间隔来布置所述开口区域的至少一部分。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，进一步包括:所述透光导电层上的透光绝缘层，其中所述第一电极的一部分被形成以从所述透光绝缘层、通过所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及有源层延伸，以便被电连接到所述第一导电型半导体层。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述透光绝缘层被暴露以与所述透光导电层的开口区域相对应。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层是η型半导体层，以及所述第二导电型半导体层是P型半导体层。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二电极包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘分支的至少两个第二分支电极。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述两个第二分支电极被布置成相互面对。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第一电极的至少一部分被插入在所述两个第二分支电极的至少一部分之间。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中，在其中所述透光导电层被连接在所述两个第二分支电极中的每一个与所述第二导电型半导体层之间的至少一个区域被布置在除了所述开口区域之外的区域中。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述至少一个区域包括其中所述透光导电层被连接在所述第二分支电极和所述第二导电型半导体层之间的、用于所述两个第二分支电极中的每一个的至少两个区域。
14.根据权利要求12所述的发光器件，其中，接触所述第二导电型半导体层的所述第二分支电极的区域比被连接到所述透光导电层的所述第二分支电极的区域宽。
15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第二分支电极在与所述透光导电层的连接区域中具有的高度大于接触所述第二导电型半导体层的区域中的所述第二分支电极的高度。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，为除了所述开口区域之外的区域中的所述两个第二分支电极中的每一个而形成的至少一个区域被布置以相互对应。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述第一电极包括第一电极焊盘和第一分支电极，所述第一分支电极从所述第一电极焊盘分支并且被插入在所述两个第二分支电极之间。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中，所述第一分支电极被布置在所述透光绝缘层上。
19.根据权利要求17所述的发光器件，其中，所述第一电极包括电接触所述第一导电型半导体层的至少一个穿通电极，所述穿通电极被形成以通过所述透光绝缘层、所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及所述有源层延伸。
20.根据权 利要求19所述的发光器件，其中，所述穿通电极包括至少两个穿通电极。
21.根据权利要求19所述的发光器件，其中，被形成在除了所述开口区域之外的区域中的所述至少一个区域不与所述穿通电极重叠。
22.根据权利要求19所述的发光器件，其中，所述透光绝缘层被布置成在通过所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及所述有源层的所述穿通电极周围延伸。
23.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的开口区域具有3 μ m至5 μ m的宽度。
24.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第二分支电极具有2μ m至4 μ m的宽度。
25.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述透光绝缘层包括SiO2或者Si3N4。
26.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第二电极焊盘的最高点的高度大于所述透光绝缘层的表面的高度。
27.—种发光器件,包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层； 透光导电层，所述透光导电层被布置在所述发光结构上并且具有第一图案，所述第一图案包括通过其暴露所述发光结构的第一开口部分和桥接部分； 第二电极，所述第二电极被布置在与所述第一图案的内部相对应的区域上并且延伸接触所述桥接部分； 透光绝缘层，所述透光绝缘层覆盖所述透光导电层并且具有第二图案，所述第二图案包括第二开口部分，所述第二开口部分被形成为通过所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及所述有源层而延伸，以便暴露所述第一导电型半导体层；以及 第一电极，所述第一电极通过所述第二开口部分接触所述第一导电型半导体层，并且被布置成在所述透光绝缘层上延伸。
28.根据权利要求27所述的发光器件，其中，所述第二电极欧姆接触所述桥接部分并且肖特基接触所述第二导电型半导体层。
29.根据权利要求27所述的发光器件，其中，所述第一图案的至少一部分被对称地布置成使得所述第一电极的至少一部分被插入在所述第一图案的至少一部分之间。
30.根据权利要求27所述的发光器件，其中，所述桥接部分包括多个桥接部分，以恒定的间隔来形成所述桥接部分的至少一部分。
31.根据权利要求27所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层是η型半导体层，以及第二导电型半导体层是P型半导体层。
32.根据权利要求27所述的发光器件，其中，所述第二电极包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘分支的至少两个第二分支电极。
33.根据权利要求32所述的发光器件，其中，所述两个第二分支电极被布置成相互面对。
34.根据权利要求32所述的发光器件，其中，所述第一电极的至少一部分被插入在所述两个第二分支电极的至少一部分之间。
35.根据权利要求32所述的发光器件，其中，在其中所述桥接部分被连接在所述两个第二分支电极中的每一个 和所述第二导电型半导体层之间的至少一个区域被布置在所述第一图案上。
36.根据权利要求35所述的发光器件，其中，所述至少一个区域包括其中所述透光导电层被连接在所述第二分支电极和所述第二导电型半导体层之间的、用于所述两个第二分支电极中的每一个的至少两个区域。
37.根据权利要求35所述的发光器件，其中，接触所述第二导电型半导体层的所述第二分支电极的区域比被连接到所述桥接部分的所述第二分支电极的区域宽。
38.根据权利要求35所述的发光器件，其中，所述第二分支电极在与所述桥接部分的连接区域中具有的高度大于接触所述第二导电型半导体层的区域中的所述第二分支电极的高度。
39.根据权利要求38所述的发光器件，其中，用于所述两个第二分支电极中的每一个的所述至少一个区域被形成以相互对应。
40.根据权利要求39所述的发光器件，其中，所述第一电极包括第一电极焊盘和第一分支电极，所述第一分支电极从所述第一电极焊盘分支并且被布置在所述两个第二分支电极之间。
41.根据权利要求40所述的发光器件，其中，所述第一分支电极被布置在所述透光绝缘层上。
42.根据权利要求40所述的发光器件，其中，所述第一电极包括电连接到所述第一导电型半导体层的至少一个穿通电极，所述穿通电极被形成以通过所述透光绝缘层、所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及所述有源层延伸。
43.根据权利要求42所述的发光器件，其中，所述穿通电极包括至少两个穿通电极。
44.根据权利要求42所述的发光器件，其中，所述至少一个区域不与所述穿通电极重叠。
45.根据权利要求42所述的发光器件，其中，所述透光绝缘层被布置成从所述透光导电层、通过所述第二导电型半导体和所述有源层的所述穿通电极周围延伸。
46.根据权利要求27所述的发光器件，其中，通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的第一开口部分均具有3 μ m至5 μ m的宽度。
47.根据权利要求32所述的发光器件，其中，所述第二分支电极具有2μ m至4 μ m的宽度。
48.根据权利要求27所述 的发光器件，其中，所述透光绝缘层包括SiO2或者Si3N4。
全文摘要
公开一种发光器件。发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且具有通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上使得延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。
文档编号H01L33/38GK103178183SQ20121057474
公开日2013年6月26日 申请日期2012年12月26日 优先权日2011年12月26日
发明者罗珉圭, 秋圣镐, 朱炫承, 洪奇锡, 卢志希 申请人:Lg伊诺特有限公司