用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置的制作方法

文档序号:7142109阅读:460来源:国知局
专利名称:用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及光电领域,尤其涉及一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置。
背景技术
为了克服百万像素碲镉汞混成芯片的热膨胀系数差异,通常在红外焦平面探测器和读出电路芯片进行底部填充,来削弱红外焦平面探测器和读出电路芯片的热失配应力、提闻混成芯片可罪性。但是现有的百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充的方法中的胶水流动速度缓慢,且在流动过程中更容易产生空洞气泡等缺陷,降低了百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。
发明内容鉴于上述的分析,本实用新型旨在提供一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置,用以进一步提高百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。本实用新型的目的主要是通过以下技术方案实现的:一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置,包括:混料器,用于将填充胶水进行混合,所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料,所述填充料为三氧化二铝,且所述填充料占所述填充胶水总重量的8 12% ;脱泡机, 用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理;加热设备,用于对读出电路芯片上进行加热;点胶器,用于当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶,得到处理后的底部填充。优选地,所述三氧化二铝的直径为5 10纳米。优选地,所述预定温度为60 100度。优选地,所述点胶器具体用于,当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。优选地,所述点胶器具体用于,当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶,其中,点胶总量为3 5毫克,共分4 6次进行,每次点胶的间隔为30 120秒。本实用新型有益效果如下:本实用新型实施例提供了一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充装置,混料器将填充胶水进行混合,脱泡机将混合好的填料胶水进行搅拌和脱泡处理,加热设备对读出电路芯片进行加热,再通过点胶器对进行喷射点胶,得到均匀底部填充,提高了探测器的稳定性和可靠性。本实用新型的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分的从说明书中变得显而易见,或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

图1为本实用新型实施例的百万像素碲镉汞混成芯片的填充装置示意图。
具体实施方式
以下结合附图来具体描述本实用新型的优选实施例,其中,附图构成本申请一部分,并与本实用新型的实施例一起用于阐释本实用新型的原理。为了清楚和简化目的,当其可能使本实用新型的主题模糊不清时,将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。本实用新型实施例提供了一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充装置,参见图1,该装置包括: 混料器11,用于将填充胶水进行混合,所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料,所述双组份环氧胶的类型为EP29LPST,所述填充料为三氧化二铝,且所述填充料占所述填充胶水总重量的8 12% ;利用该填充胶水对探测器底部进行填充时,产生的气泡和空洞少,提高了探测器的稳定性和可靠性。脱泡机12,用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理;加热设备13,用于对读出电路芯片上进行加热;点胶器,用于当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶,其中,点胶总量为3 5毫克,共分4 6次进行,每次 点胶的间隔为30 120秒。所述三氧化二铝的直径为5 10纳米。所述预定温度为60 100度。综上所述,本实用新型实施例提供了一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充装置,混料器将填充胶水进行混合,脱泡机将混合好的填料胶水进行搅拌和脱泡处理,加热设备对读出电路芯片进行加热,再通过点胶器对进行喷射点胶,得到均匀底部填充,提高了探测器的稳定性和可靠性。以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式
,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
权利要求1.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置,其特征在于,包括: 混料器,用于将填充胶水进行混合; 脱泡机,用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理; 加热设备,用于对读出电路芯片上进行加热; 点胶器,用于当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶,得到处理后的底部填充。
2.根据权利要求1所述的用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置,其特征在于,所述预定温度为60 1 00度。
专利摘要本实用新型公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置,该装置包括混料器,用于将填充胶水进行混合,所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料,所述填充料为三氧化二铝,且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%;脱泡机,用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理;加热设备,用于对读出电路芯片上进行加热;点胶器,用于当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶,得到处理后的底部填充,提高了百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。
文档编号H01L21/54GK203085492SQ20122067474
公开日2013年7月24日 申请日期2012年12月7日 优先权日2012年12月7日
发明者谢珩, 王宪谋, 王骏, 刘海龙, 张鹏 申请人:中国电子科技集团公司第十一研究所
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