去夹持的方法和系统的制作方法

去夹持的方法和系统的制作方法
【专利摘要】提供了一种用于在等离子体处理系统中使衬底从静电卡盘（ESC）去夹持的方法。该方法包括使第一气体流到等离子体室中。该方法还包括使第二气体流至衬底的背面以在所述背面下方产生第二气体的高压积聚。该方法进一步包括减少第二气体的流使得至少一部分困于衬底背面下方。该方法还包括对等离子体室抽气以增大在存在于衬底背面下方的第一压强和存在于衬底上方的区域中的第二压强之间的压差，其中所述压差使得衬底能够自ESC抬升。该方法还包括从ESC移除衬底。
【专利说明】去夹持的方法和系统
【背景技术】
[0001]用等离子体处理衬底(例如，晶片或平板)以生产电子产品(例如，集成电路或平板显示器)已有很长时间。在等离子体处理中，可将工艺气体注入室中并通电形成等离子体从而在衬底上沉积层或者从而溅射或蚀刻衬底。在等离子体处理中，衬底通常被置于等离子体处理系统的等离子体处理室内部的卡盘的顶上。在等离子体处理过程中，工艺气体流入室中并被激励形成等离子体以处理(例如，蚀刻或沉积)衬底。在完成等离子体处理之后，熄灭等离子体，并从室中移除晶片，以用于进一步处理。
[0002]在一些室中，在处理过程中，静电卡盘(ESC) 102用于支撑衬底。静电卡盘在本领域中公知，在处理过程中，静电卡盘利用静电力将晶片保持或夹持在卡盘的表面上。为了便于讨论，图1示出了典型等离子体处理系统的高级概念图，包括静电卡盘102。参考图1，静电卡盘102不出为置于室壳体104中。静电卡盘102通常包括至少金属板106,金属板106可由合适的电源(比如RF功率源108)供电。
[0003]在金属板106上方通常设置有陶瓷板110。晶片112示出为置于陶瓷板110的顶上以进行处理。为了将 晶片112夹持到静电卡盘102的陶瓷板110的上表面，一或多个ESC极120和122可被嵌在陶瓷板110里面并由适当的ESC夹持电压源供电。
[0004]在图1的示例中，具有两个ESC极的双极ESC被示出。因此陶瓷板110内嵌有正极120和负极122。在处理过程中，当极120和122由ESC夹持电压源(图1中未示出以提高附图清晰度)供电时，各式电容器被形成，且在陶瓷板110的上表面和晶片112的下表面之间产生静电力以将晶片112夹持到陶瓷板110的上表面。为了改善晶片112和ESC102之间的热传递以在处理过程中更好地进行热控制，可采用氦背面冷却。在图1的示例中，导管130被用来提供背面氦冷却，背面氦冷却在处理过程中将传热介质(比如氦气)提供至晶片112的背面。
[0005]在处理过程中，等离子体被形成在室壳体104内的晶片112上方以处理晶片112。当处理步骤完成，等离子体便被熄灭(例如，用于激励工艺气体以形成等离子体的RF能量被关闭)。在等离子体被关闭之后，通常使用升降销(未图示)将晶片112抬升离开陶瓷板110的表面。
[0006]为了协助晶片移除过程，可临时产生低能量或低密度等离子体以便使晶片上的电荷能够从晶片112的下表面和陶瓷板110的上表面之间的区域消散。在这种情况下，低RF功率被施加以产生具有低离子能量的低密度等离子体。等离子体被引入来提供用于松开晶片的放电路径。低功率被用来使对晶片的额外的不想要的修改最少化。
[0007]等尚子体被打开，然后在等待期之后被关闭以允许晶片去夹持(dechuck)。接着，室被泵空，升降销被致动以抬升晶片从而典型地通过合适的机械臂装置移除晶片。在替代工艺中，等离子体被打开，然后升降销在等待期之后被致动，同时等离子体仍然打开。接着，等离子体被关掉且室被泵空，以移除晶片。到目前，所讨论的图1的装置以及晶片移除的工艺是传统的，无需再进一步阐述。
[0008]但是，有时晶片112可能会卡在陶瓷板110上。例如，如果等离子体去夹持是不可能的(例如，由于工艺中止、等离子体漏失、无约束、晶片弹脱(pop-off)、发生器故障、待处理报警条件、等离子体去夹持故障，等等)，则需要从ESC102安全移除卡住的晶片而不对室部件或晶片产生损伤的过程。
[0009]在现有技术中，一种用于移除卡住的晶片的方法涉及对晶片112的背面使用高压氦流。一般而言，在钳位电压仍被提供给极120和122的同时提供初始的高体积氦流。例如，80托范围内的氦流可被提供至晶片112的背面，同时钳位电压被提供至极120和122以继续将晶片112保持到ESC102的上表面。
[0010]然后，移除钳位电压，使得导管130中积聚的压强爆发式地或突然地推动晶片112远离陶瓷板110的上表面。虽然这种方法在将晶片112与ESC102的上表面分离时往往是成功的，但也有缺点。例如，当晶片112从陶瓷板110的上表面爆发式地弹出时，晶片112可能会破碎或者造成其它的损伤，可能助长室内的污染。又例如，爆发式弹出的晶片112可与一或多个室部件碰撞，从而可能损伤室。再进一步地，如果室内有聚合物沉积，则爆发式弹出的晶片112可冲击该聚合物沉积物，从而可能使一些聚合物沉积物剥落或撞离。然后，部分或全部撞离的聚合物沉积碎片可在后续工艺进行时导致微粒污染问题。
[0011]另一种移除卡住的晶片的方法涉及使用强力。在这种方法中，采用升降销来迫使晶片112离开陶瓷板110的表面。这种方法会使晶片112破裂，导致受损的晶片以及潜在的污染问题。
[0012]再进一步，由于当升降销试图迫使卡住的晶片离开ESC102的表面时在陶瓷板110的上表面上仍有残留的电荷，所以强力方法(使用用于爆发式弹出的高压氦或用于强力抬升的升降销)会对ESC102的上表面造成损害。这是因为在强力向上抬升的尝试过程中，如果晶片112转动或倾斜，晶片11 2的一个角或边缘与ESC102的上表面接触，则晶片112和/或陶瓷板110的上表面上的残留电荷会足以导致电弧发生，从而损伤陶瓷板110的上表面。
[0013]作为最后手段，可将室打开，操作者可试图手动移除卡住的晶片。但这是费时又费力的工艺并且由于对吞吐率的负面影响而潜在地是昂贵的，因为需要停止室运行且会花费大量时间来完成在手动移除晶片之后用于继续运行的室的调整。
[0014]鉴于上述，需要用于从ESC的上表面安全移除卡住的晶片的改进的方法和技术。

【发明内容】

[0015]在实施方式中，本发明涉及用于使衬底从等离子体处理系统中的静电卡盘(ESC)去夹持的方法。该方法包括使第一气体流入等离子体室。该方法还包括使第二气体流至衬底的背面以在所述背面下方产生第二气体的高压积聚(buildup)。该方法进一步包括减少第二气体的流使得至少一部分困于衬底背面下方。该方法还包括对等离子体室抽气(pumpout)以增大在存在于衬底背面下方的第一压强和存在于衬底上方的区域中的第二压强之间的压差，其中所述压差使得衬底能够自ESC抬升。该方法还包括从ESC移除衬底。
[0016]上述概要仅涉及本文所公开的发明的许多实施方式中的一种且并没有意图限制本发明的范围，本发明的范围在本文的权利要求中阐述。下面，在本发明的详细描述中并结合附图，将更详细地描述本发明的这些特征以及其它特征。
【专利附图】

【附图说明】[0017]在附图中，本发明以示例的方式进行说明，而非以限制的方式进行说明，其中类似的参考数字指代类似的元素，且其中:
[0018]图1示出了典型等离子体处理系统的高级概念图。
[0019]图2根据本发明的实施方式示出了用于安全无RF地移除卡住的衬底的过程。
[0020]图3根据本发明的实施方式更详细地示出了安全无RF地移除卡住的衬底的步骤。
【具体实施方式】
[0021]现在将参考本发明的附图中所示的一些实施方式对本发明进行详细描述。在下面的描述中，许多具体细节被阐述以便提供对本发明的透彻理解。但对本领域技术人员而言，明显的是，本发明可在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下被实施。另一方面，公知的工艺步骤和/或结构不会被详细描述以免不必要地模糊本发明。
[0022]下文描述各种实施方式，包括方法和技术。应当了解，本发明也可涵盖包括存储了用于执行本发明的实施方式的计算机可读指令的计算机可读介质的制造物件。计算机可读介质可包括例如用于存储计算机可读代码的半导体的、磁的、光磁的、光学的或其它形式的计算机可读介质。进一步地，本发明还可涵盖用于实施本发明的实施方式的装置。这样的装置可包括专用和/或可编程电路以执行与本发明的实施方式有关的任务。这样的装置的示例包括通用计算机和/或被适当编程的专用计算设备且可包括适用于与本发明的实施方式有关的各种任务的计算机/ 计算设备和专用/可编程电路的组合。
[0023]本发明的实施方式涉及用于卡在ESC上的衬底的无RF的安全的移除的改进技术。在一或多种实施方式，首先以相当高压强的气体填充等离子体室。然后，再以相当高压强的气体(其可以是相同的气体或不同的气体)填充衬底背面。接着，对室排气(pump down)以产生在存在于衬底的背面上的压强和存在于衬底上的区域中的压强之间的压差。该压差往往施加力以推动衬底离开陶瓷板的上表面。
[0024]但是，不同于静电夹紧力突然关闭的情形，本发明的实施方式涉及创新方法以使压差(在衬底背面的气体体积和衬底上方的气体体积之间)能够缓缓增大从而从陶瓷板的上表面挑开衬底。在实施方式中，到衬底背面的气流被关闭以将这些气体困在衬底下方。接着，对室排气。因此，衬底由于渐增的压差(其不同于现有技术，其由于低/零背面气流和室压强的慢慢降低，因而是逐渐增大的，而非突然增大的)而从陶瓷板的上表面轻轻地被挑开。
[0025]如果衬底在被慢慢增大的压差轻轻抬升的同时转动或倾斜且在陶瓷板的上表面上或在衬底上仍存在电荷，则可从困在衬底的背面上的气体形成局部化等离子体。
[0026]该高度局部化等离子体由存在于陶瓷板的上表面上和衬底上的残留电荷形成并允许这种电荷从衬底的上表面和/或陶瓷板放出(drain)。注意，这种高度局部化等离子体由衬底和/或ESC上的残留电荷形成，不需要额外的外部能量输入(比如从RF功率源输入的能量)。残留电荷通过形成局部化等离子体的放电有利地防止了电弧损伤ESC。当然如果没有足够的电荷形成局部化等离子体，则存在于衬底和/或ESC上的低电荷将不大可能引起电弧损害并因此没有损害顾虑。一旦放出足够的电荷，衬底便可被升降销抬升并利用常规的衬底移除工艺移除。
[0027]参考附图和接下来的讨论可更好地理解本发明的实施方式的特征和优点。[0028]图2根据本发明的实施方式示出了用于安全无RF地移除卡住的衬底的过程。参考图2，一旦确定衬底卡在ESC上且常规的衬底移除工艺无法移除卡住的衬底，则首先以相当高压强(比如80托)的气体填充室(步骤202)。在图2的实施例中，氩被用作室填充气体。
[0029]在步骤204中，再以相当高压强的气体填充衬底的背面。作为选择，室和晶片背面也可在相同的时间被填充。在图2的实施例中，衬底的背面也被提供有80托的氩。然而，如本文稍后将讨论的，提供到衬底的背面的气体可以(但不是必须)是与室填充气体类型相同的气体。
[0030]在优选实施方式中，室压强高于背面压强以防止晶片提早脱离(peel off)或者提早部分脱离。如果晶片在填充背面时脱离，如同室没有被首先填充的情况，则晶片会弹出或者跳出或者四处飘浮。这是不希望的，因为它会损伤晶片，损伤室部件或者给后续工艺造成微粒。如果晶片部分脱离且一半(或者一部分)晶片仍被卡住，则这使得更难以在晶片后面积聚恰当的压差，因为在积聚足够的压差以抬升晶片脱离卡住侧之前气体会从未卡住侧泄漏。
[0031]然而，在其它实施方式中，可行的是使室压强与背面压强相同或者使室压强小于背面压强，只要上述风险能够被恰当地控制即可。
[0032]在步骤206中，至衬底背面的气流被关闭(经由诸如现有的阀等恰当的阀门装置)，从而将气体困在衬底的背面上以及在通到衬底背面的导管/歧管中。在一实施方式中，在步骤206中，背面的气流可被关小却不完全关闭背面的气流。但是，在一或多种实施方式中，优选的是背面气流不太高以便允许衬底在由在排气过程中渗出的背面气流产生的流体层上自由地四处“飘浮”。如果衬底被允许自由“飘浮”且在该流体层上四处移动，则对衬底和/或卡盘有潜在的损伤风险，或者微粒/污染风险会加大，这都是不希望的。
[0033]在步骤208中，先前已在步骤202中用高压气体填充的室被抽气使得困在衬底背面上的气体和室中慢慢形成的低压区域之间的压差能够轻轻地抬升衬底离开ESC的表面。如前所述，如果ESC上或衬底上存在残留电荷且如果衬底开始倾斜或转动，离开ESC的表面，则以相当高的压强困在衬底后面的气体的存在会促进局部化等离子体的形成。
[0034]所形成的局部化等离子体将在向ESC的陶瓷板的电弧放电能够发生之前首先能经由局部化等离子体让残留电荷放电。因此，由衬底上或ESC上的残留电荷(且不提供额外的RF)形成的局部化等离子体用于保护ESC的陶瓷板并为残留电荷提供放电路径以便于衬底的移除。
[0035]在一或多种实施方式中，可采用具有相当低的击穿电压且在大多数工艺和大多数等离子体处理系统中是现成可用的任何气体(比如氩)。一旦残留电荷经由局部化等离子体被放电(或者，如果衬底/卡盘上的残留电荷不足以形成前述的等离子体且因而在衬底上具有相对较弱的保持，则没有放电)且压差成功地抬升衬底离开ESC的上表面，则可使用常规的衬底移除工艺(比如采用升降销和机械臂的工艺)来从ESC移除衬底。
[0036]图3根据本发明的实施方式更详细地示出了安全无RF地移除卡住的衬底的步骤。在一实施方式中，安全无RF地移除卡住的衬底的步骤包括首先在步骤302中尝试常规的等离子体去夹持工艺。步骤302代表促进衬底移除的常规的等离子体去夹持工艺。
[0037]如果常规的等离子体去夹持不成功(在步骤304中确定)，则该工艺进行至步骤306以尝试卡住的衬底的安全无RF的移除。作为步骤304的一部分，该方法首先确定常规的等离子体去夹持成功与否(步骤304A)。如果成功，则该方法进行至下一步骤316以移除衬底。但如果步骤304A不成功，则在下一步骤304B，冷却气体可流到衬底的背面。在下一步骤304C，背面冷却气体可被监控。如果背面冷却气体的流率是自由流率(即，当衬底不在卡盘的顶上时所获得的背面冷却气体的流率)的至少85%，则认为衬底未被卡住。
[0038]步骤306执行卡住的衬底的安全无RF的移除过程，其实施方式联系图2进行讨论。在步骤306中，首先用氩回填(backfill)室至75托。之后，使氩流过背面冷却气体管线使得高压氩在衬底的背面积聚。然后，关闭气体阀以将高压氩困在衬底的背面。之后，打开室粗抽阀(rough valve)以如前面联系图2所讨论地对室容积排气从而使得能缓缓积聚压差以移除衬底(在有或没有通过衬底/卡盘上的残留电荷形成局部化等离子体的情况下)。
[0039]然后，该工艺移动到下一步骤308以确定卡住的衬底的安全无RF的移除步骤306是否已成功。步骤308中的检查可类似于步骤304中所执行的检查。例如，可使氦或其它合适的气体流到衬底的背面(步骤308A)并检查该流以确定流率是否是自由流率的至少85%(步骤308B)。如果至衬底背面的氦的流率是自由流率的至少85%，则该工艺进行至步骤310从而有利地执行附加步骤以确保衬底被轻轻地抬升离开ESC。
[0040]在该实施例中，再次用气体回填室，但以低压，比如10托。背面氦冷却阀也被打开以允许氩气填充衬底的背面。在一或多种实施方式中，通过打开背面冷却阀(但不供应氦冷却气体)，使室中的氩能填充晶片后面的区域。然后开始中间抬升(mid-lift)过程从而用升降销轻轻地向上抬升衬底至某中间点位置。该中间抬升过程不同于常规的销抬升过程，因为该中间抬升过程可涉及较小的力和/或较短的抬升距离以在尝试中间抬升过程的同时减少衬底或ESC损伤的可能性。在中间抬升过程中，室中的和衬底的背面上的这些气体的存在会在ESC上或者在衬底上仍存在任何残留电荷时允许局部化等离子体的形成。局部化等离子体可放出剩余的残留电荷从而使衬底能够在稍后安全地被抬升完全离开却没有对ESC造成损害的风险。
[0041]一般而言，室气体和背面气体可以是相同的气体或者是不同的气体。在一或多种实施方式中，可采用氦和/或氩。在实施方式中，就具体的室配置来说，氩具有最低的击穿电压并因此对室填充和背面填充二者而言都是优选的气体。
[0042]任何残留电荷的利用步骤310的气流/中间抬升过程的这种释放(其在步骤306中所执行的残留电荷释放之外)代表额外的安全步骤。即使在步骤308中经过了氦流检查，也要尝试步骤310的这种气流/中间抬升过程，从而也在最小化对衬底/卡盘的潜在损害的同时确保衬底能够从ESC移除。由图3可见，根据相同的逻辑，即使在步骤304中确定背面氦流超过阈值(例如，85%)，也要尝试该中间抬升过程，从而也在最小化对衬底/卡盘的潜在损害的同时确保衬底能够从ESC移除。
[0043]如果中间抬升过程是成功的(在步骤312中确定)，则认为衬底从ESC松开，然后可对室抽气(pump out)(步骤314)以排出在步骤310或306中回填到室中的气体。步骤316代表常规的衬底移除过程(例如，使用传统的升降销和机械臂)。
[0044]回到步骤308，如果卡住的晶片的无RF移除步骤306之后的氦流检查不满意，则该工艺进至步骤330，在步骤330中，室操作被停止并尝试手动移除衬底。如果步骤312的气流/中间抬升尝试失败，则室操作也被停止。[0045]如前所述，在卡住的衬底的安全无RF的移除过程的实施方式中，使用氩作为将室回填至高压的气体以及回填衬底的背面的气体。但是,可以采用任何惰性气体,如Ar、He、Ne、Xe或者Kr。此外，还可采用H2、02、N2、CO2或者CO。在一或多种实施方式中，还可采用在等离子体处理室中能够被击穿从而形成等离子体的任何工艺气体，如CF4、C4F8、C4F6、HBr、CH4、CH3F、CHF2 或者 CHF3。
[0046]虽然说明书的实施例采用80托作为用于在卡住的衬底的安全无RF的移除过程中回填室和衬底背面的压强，但也可采用其它压强值。一般而言，该压强需要足以产生前述的一旦开始对室容积排气便足以轻轻地将衬底挑离卡盘的压差。
[0047]如果该压强太低且不能随着对室容积排气产生足够的压差，则衬底不能被抬升离开且不能形成局部化等离子体来释放残留电荷。在这种情况下，衬底不能从ESC松开。另一方面，如果所采用的压强太高，尤其是衬底背面的压强太高，则一旦对室排气便可产生过高的压差。这种过高的压差可导致将衬底从ESC的上表面刮离(blow off)，造成污染风险和/或对衬底和/或室部件的损害。在一或多种实施方式中已发现，利用合适的气体，比如氩，约50托到约200托范围内的压强已被发现能提供足够的力来执行卡住的衬底的安全无RF的移除过程却没有衬底刮离的风险。
[0048]由上可知，本发明的实施方式有利地消除了对衬底、室部件的潜在损害或者消除了引入或产生微粒污染的风险。这是因为卡住的衬底的安全无RF的移除过程不涉及爆发式地将衬底从ESC的表面刮离或者使用升降销强力使衬底从ESC的表面脱离。此外，不需要额外的RF能量输入这一事实允许残留电荷随着衬底和ESC之间的间隙由于前述压差而扩大时通过局部化等离子体的形成快速消散，所述压差通过首先回填室、接着回填衬底的背面、然后对室排气、同时困住背面压强而产生。
[0049]另外，本发明的卡住的衬底的安全无RF的移除过程在大多数现代的等离子体处理室中不需要用新硬件来修改室。在许多现有的室中，涉及卡住的衬底的安全无RF的移除过程的操作利用现有的至室和至衬底背面的压强导管和阀。这实质上简化了现有室中的卡住的衬底的安全无RF的移除。 此外，本发明的卡住的衬底的安全无RF的移除过程采用大多数处理系统中现成可用的气体。这再次简化了改装并降低了实施成本。
[0050]虽然已根据若干优选实施方式对本发明进行了描述，但还有落在本发明的范围内的变化方案、置换方案和等同方案。虽然本文提供了多个实施例，但这些实施例的目的在于说明本发明而不是限制本发明。此外，为了方便，本文提供了发明名称和
【发明内容】
，但它们不应被用来解释本文的权利要求的范围。另外，摘要以高度浓缩的形式写就且为了方便而在本文中提供，因此它不应被用来解释或限制整体发明，整体发明被表达在权利要求中。如果本文中使用了术语“成组的”，这种术语意在具有其通常理解上的数学意义以涵盖零个、一个、或多于一个的构件。还应当注意，实施本发明的方法和装置有许多替代方式。因此，下面所附权利要求意在解释为包括落在本发明的真实精神和范围内的所有这样的变化方案、置换方案和等同方案。
【权利要求】
1.一种用于在等离子体处理系统中使衬底从静电卡盘(ESC)去夹持的方法，其包括: 使第一气体流到所述等离子体处理系统的等离子体室中； 使第二气体流到所述衬底的背面以在所述背面下方产生所述第二气体的高压积聚； 减少所述第二气体的流使得所述第二气体的至少一部分被困在所述衬底的所述背面下方； 对所述等离子体室抽气以增大第一压强和第二压强之间的压差，其中所述第一压强是存在于所述衬底的所述背面下方的压强而所述第二压强是存在于所述衬底上方的区域中的压强，其中所述压差使得所述衬底能够从所述ESC被抬升；以及 从所述ESC移除所述衬底。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体是相同类型的气体。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体是不同类型的气体。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体中的至少一者是具有低击穿电压的气体。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体按50托和200托之间的压强流动。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体中的至少一者是氩。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述减少所述第二气体的流包括在所述从所述ESC移除所述衬底之前关闭所述第二气体的流。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述减少所述第二气体的流包括使所述第二气体的所述流减到最小以便防止所述衬底飘浮在由渗出的所述第二气体的背面流产生的流体层上。
9.如权利要求1所述的方法，其还包括在不使用RF功率的情况下形成局部化等离子体，以释放在至少所述衬底和所述ESC之一上的残留电荷，其中所述局部化等离子体由所述残留电荷和困在所述衬底的所述背面下方的至少所述第二气体形成，其中所述释放使电弧减到最少。
10.一种用于在等离子体处理系统中使衬底从静电卡盘(ESC)去夹持的方法，其包括: 执行常规的等离子体去夹持工艺； 如果所述常规的等离子体去夹持工艺不成功，则执行卡住的衬底的安全无RF的移除工艺，其中所述卡住的衬底的安全无RF的移除工艺包括 使第一气体流到所述等离子体处理系统的等离子体室中； 使第二气体流到所述衬底的背面以在所述背面下方产生所述第二气体的高压积聚；以及 打开所述等离子体室的粗抽阀以增大第一压强和第二压强之间的压差，其中所述第一压强是存在于所述衬底的所述背面下方的压强而所述第二压强是存在于所述衬底上方的区域中的压强，其中所述压差使得所述衬底能够从所述ESC被抬升；以及 从所述ESC移除所述衬底。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述执行卡住的衬底的安全无RF的移除工艺还包括关闭所述第二气体的背面阀以将所述第二气体的至少一部分困在所述衬底的所述背面下方。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述执行卡住的衬底的安全无RF的移除工艺还包括确定所述卡住的衬底的安全无RF的移除工艺的成功，其中所述确定包括 使冷却气体流到所述衬底的所述背面，以及 监控所述冷却气体的流率，其中如果所述冷却气体的流率是自由流率的至少85%，则所述衬底未被卡住，其中所述自由流率是当所述衬底不在所述ESC上时所述冷却气体的流率。
13.如权利要求10所述的方法，其还包括通过至少下列步骤确定所述常规的等离子体去夹持工艺是否不成功: 使冷却气体流到所述衬底的所述背面，以及 监控所述冷却气体的流率，其中如果所述冷却气体的流率是自由流率的至少85%，则所述衬底未被卡住，其中所述自由流率是当所述衬底不在所述ESC上时所述冷却气体的流率。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体中的至少一者是具有低击穿电压的气体。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体按50托和200托之间的压强流动。
16.如权利要求10所述的方法，其还包括在不使用RF功率的情况下形成局部化等离子体，以释放在至少所述衬底和所述ESC之一上的残留电荷，其中所述局部化等离子体由所述残留电荷和困在所述衬底的所述背面下方的所述第二气体形成，其中所述释放使电弧减到最少。
17.如权利要求10所述的方法，其中所述从所述ESC移除所述衬底包括 使第三气体按低于所述第二压强的压强流到所述等离子体室中， 使第四气体流到所述衬底的所述背面，以及 执行中间抬升工艺，从而使用所述ESC中的成组的升降销向上抬升所述衬底离开所述ESC至中间点位置。
18.如权利要求17所述的方法，其还包括在不使用RF功率的情况下形成局部化等离子体，以释放在至少所述衬底和所述ESC之一上的残留电荷，其中所述局部化等离子体由所述残留电荷以及至少所述第三气体和所述第四气体之一形成，其中所述释放使电弧减到最少。
19.如权利要求10所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体中的至少一者是惰性气体，其中所述惰性气体包括Ar、He、Ne、Xe和Kr中的至少一者。
20.如权利要求10所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体中的至少一者是工艺气体，所述工艺气体包括CF4、C4F8, C4F6, HBr、CH4, CH3F, CHF2和CHF3中的至少一者。
【文档编号】H01T23/00GK103748260SQ201280034575
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2012年7月11日 优先权日:2011年7月12日
【发明者】亨利·S·波沃尔尼 申请人:朗姆研究公司