互连结构的形成方法
【专利摘要】一种互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜层，层间介质层的材料为低k材料或者超低k材料；在金属硬掩膜层中形成第一开口，第一开口贯穿金属硬掩膜层；以剩余的金属硬掩膜层为掩模，刻蚀介质硬掩膜层和层间介质层，直至在层间介质层中形成刻蚀结构，刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在刻蚀结构中填充满牺牲层；依次去除剩余的金属硬掩膜层和牺牲层；在刻蚀结构中填充满金属材料。本发明所形成金属互连线、金属插塞或者双镶嵌结构的形貌较佳，且包含所形成金属互连线、金属插塞或者双镶嵌结构的半导体器件的性能较佳。
【专利说明】互连结构的形成方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种互连结构的形成方法。
【背景技术】
[0002] 随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着 65nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展，而芯片的运算速度明显受到金属导电所造成的电 阻电容延迟的影响。
[0003] -方面，为了改善集成电路的性能，利用具有低电阻率、优良抗电迁移能力等优点 的铜代替铝作为半导体内的金属互连线，可降低金属互连线电阻。
[0004] 另一方面，利用低k材料或者超低k材料作为金属互连线的层间介质层，可以有效 降低电容。
[0005] 铜双镶嵌技术搭配低k材料所构成的金属层间介质层是目前最受欢迎的互连结 构工艺组合，其能够有效改善电阻电容延迟的现象，必将成为下一代半导体工艺的标准互 连技术。
[0006] 现有工艺中一种铜双镶嵌结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导 体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜层；在所述金属硬掩 膜层中形成贯穿其厚度的第一开口，所述第一开口的位置和形状分别与后续形成铜金属互 连线的位置和形状对应；在所述第一开口内形成光刻胶层，并在所述光刻胶层中形成贯穿 其厚度的第二开口，所述第二开口的位置和形状分别与后续形成铜金属插塞的位置和形状 对应；以金属硬掩膜层为掩模，对包含第二开口的光刻胶层、介质硬掩膜层和层间介质层进 行刻蚀，至暴露出所述半导体衬底，以在所述层间介质层中形成沟槽和位于沟槽下方的通 孔；通过湿法刻蚀去除所述金属硬掩膜层；在所述通孔、沟槽以及沟槽周围的金属硬掩膜 层上形成铜金属材料；采用化学机械研磨工艺对所述铜金属材料和介质层硬掩膜层进行平 坦化，至暴露出所述层间介质层，以形成包括铜金属互连线和铜金属插塞的双镶嵌结构。
[0007] 然而，在对上述工艺形成的铜双镶嵌结构进行检查时发现：所形成铜双镶嵌结构 的形貌较差，且包括所形成铜双镶嵌结构的半导体器件的性能较差。
【发明内容】
[0008] 本发明解决的问题是提供一种互连结构的形成方法，使所形成互连结构的形貌较 佳，提高包含所形成互连结构的半导体器件的性能。
[0009] 为解决上述问题，本发明提供一种互连结构的形成方法，包括：
[0010] 提供半导体衬底；
[0011] 在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜 层，所述层间介质层的材料为低k材料或者超低k材料；
[0012] 在所述金属硬掩膜层中形成第一开口，所述第一开口贯穿所述金属硬掩膜层；
[0013] 以剩余的所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀所述介质硬掩膜层和层间介质层，直至 在所述层间介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；
[0014] 在所述刻蚀结构中填充满牺牲层；
[0015] 依次去除剩余的所述金属硬掩膜层和所述牺牲层；
[0016] 在所述刻蚀结构中填充满金属材料。
[0017] 可选的，所述金属硬掩膜层的材料为氮化钛、氮化铜或者氮化铝。
[0018] 可选的，去除所述金属硬掩膜层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为双氧 水与酸性溶液的混合溶液，所述酸性溶液包括氢氟酸、盐酸和硫酸中的一种或多种。
[0019] 可选的，所述牺牲层的材料为底部抗反射材料。
[0020] 可选的，去除所述牺牲层的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀的气体包括氮气或者 含氧气体。
[0021] 可选的，所述牺牲层的材料为含硅的抗反射材料。
[0022] 可选的，去除所述牺牲层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为丙二醇甲醚 和丙二醇单甲醚醋酸酯的混合溶液，或者为丙二醇甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯和CLK888中 的一种溶液。
[0023] 可选的，所述牺牲层的材料为无定形碳。
[0024] 可选的，去除所述牺牲层的方法为灰化工艺。
[0025] 可选的，所述牺牲层的材料为DOU (D0U为Honeywell公司的一种半导体材料)，去 除所述牺牲层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为CLK888(CLK888为Mallinckrodt Baker公司的一种刻蚀剂)。
[0026] 可选的，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽；以剩余的所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀 所述介质硬掩膜层和层间介质层，直至在所述层间介质层中形成刻蚀结构包括：在所述第 一开口内形成光刻胶层，所述光刻胶层中形成有贯穿所述光刻胶层厚度的第二开口；以所 述金属硬掩膜层和光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行刻蚀，至第二开口下方剩余预 定厚度的层间介质层；去除所述光刻胶层；以所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀所述层间介 质层，直至暴露出所述半导体衬底。
[0027] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
[0028] 在层间介质层中形成刻蚀结构之后，在所述层间介质层中形成刻蚀结构内填充满 牺牲层，用以在去除金属硬掩膜层过程中保护所述层间介质层，然后依次去除所述金属硬 掩膜层和牺牲层，最后在所形成刻蚀结构中填充满金属材料，以形成由金属互连线和金属 插塞构成的双镶嵌结构、金属互连线或者金属插塞。在去除金属硬掩膜层过程中，所述牺牲 层能够有效保护位于刻蚀结构侧壁上的层间介质层，使所形成双镶嵌结构、金属互连线或 者金属插塞的形貌较佳，提高了包括双镶嵌结构、金属互连线或者金属插塞的半导体器件 的性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0029] 图1至图8是本发明互连结构的形成方法第一实施例的示意图；
[0030] 图9至图12是本发明互连结构的形成方法第二实施例的示意图。
【具体实施方式】
[0031] 发明人经过研究发现，现有工艺所形成铜金属插塞形貌较差、包括铜双镶嵌结构 的半导体器件的性能较差主要由以下原因造成：为了降低层间介质层的k值，通常采用多 孔结构的低k材料或者超低k材料作为层间介质层，而通过湿法刻蚀去除所述金属硬掩膜 层时，刻蚀溶液易透过通孔与层间介质层发生反应，破坏所述层间介质层，且使所形成通孔 和沟槽发生变形，影响了所形成铜双镶嵌结构的形貌，也影响了包括铜双镶嵌结构的半导 体器件的性能。
[0032] 类似的，在通过上述工艺形成铜金属互连线或者铜金属插塞，或者通过上述工艺 形成其他材料的双镶嵌结构、金属互连线或者金属插塞时，也存在上述问题。
[0033] 为此，本发明提供了一种互连结构的形成方法，在层间介质层中形成刻蚀结构之 后，在所述层间介质层中形成刻蚀结构内填充满牺牲层，所述牺牲层能够在去除金属硬掩 膜层过程中保护所述层间介质层，避免金属硬掩膜层的去除工艺对层间介质层造成损伤。 在去除金属硬掩膜层之后，去除牺牲层，在刻蚀结构中填充满金属材料，形成由金属互连线 和金属插塞构成的双镶嵌结构、金属互连线或者金属插塞。在去除金属硬掩膜层过程中，由 于层间介质层不会受到损伤，所形成双镶嵌结构、金属互连线或者金属插塞形貌较佳，包括 所形成双镶嵌结构、金属互连线或者金属插塞的半导体器件的性能较佳。
[0034] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施例做详细的说明。
[0035] 第一实施例
[0036] 本实施例以形成双镶嵌结构（即刻蚀结构同时包括沟槽和通孔）为例，对本发明互 连结构的形成方法进行说明。
[0037] 参考图1，提供半导体衬底200,并在所述半导体衬底200上由下至上依次形成刻 蚀停止层202a、层间介质层204a、介质硬掩膜层206a和金属硬掩膜层208。
[0038] 本实施例中，所述半导体衬底200的材料可以为单晶硅、单晶锗或者单晶锗硅、绝 缘体上硅、III-V族元素化合物、单晶碳化硅等本领域技术人员公知的其他材料。
[0039] 此外，所述半导体衬底200中还可形成有器件结构（图未示)，所述器件结构可为半 导体前段工艺中形成的器件结构，例如M0S晶体管等。
[0040] 本实施例中，所述刻蚀停止层202a的材料为可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化 硅和含碳氮化硅中的一种或者几种的组合，用以作为刻蚀形成沟槽和通孔过程中的停止 层，避免刻蚀工艺对所述半导体衬底200造成损伤。所述层间介质层204a的材料为低k材 料或者超低k材料。形成所述层间介质层204a的方法可为化学气相沉积工艺。所述介质 硬掩膜层206a的材料可为氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、碳化娃和含碳氮化娃中的一种或者 几种的组合，用以提高层间介质层204a与后续形成的金属硬掩膜层208之间的粘附性，以 及作为层间介质层204a的保护层，阻止金属硬掩膜层208中金属原子扩散至层间介质层 204a中，避免对层间介质层204a的k值造成影响，防止发生漏电。形成所述介质硬掩膜层 206a的方法可为化学气相沉积工艺。所述金属硬掩膜层208的材料可为氮化钛、氮化铜或 者氮化铝。形成所述金属硬掩膜层208的方法为化学气相沉积工艺。
[0041] 继续参考图1，在金属硬掩膜层208中形成第一开口 210,所述第一开口 210的位 置和形状分别与后续形成双镶嵌结构中金属互连线的位置和形状对应。
[0042] 具体的，可采用光刻胶层为掩模，对所述金属硬掩膜层208进行刻蚀，形成所述第 一开口 210。其具体形成工艺为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
[0043] 参考图2,在图1中所述第一开口 210内形成光刻胶层212,所述光刻胶层212中 形成有贯穿所述光刻胶层212厚度的第二开口 214。
[0044] 本实施例中，所述第二开口 214的位置和形状分别与后续形成双镶嵌结构中金属 插塞的位置和形状对应。形成包括第二开口 214的光刻胶层212的方法为本领域技术人员 所熟知，在此不再赘述。
[0045] 参考图3,以图2中所述金属硬掩膜层208和光刻胶层212为掩模，对介质硬掩 膜层206a、层间介质层204a进行刻蚀，至第二开口 214下方剩余预定厚度的层间介质层 204a ;然后去除所述光刻胶层212 ;再然后，以所述金属硬掩膜层208为掩模，继续刻蚀所述 层间介质层204a，直至暴露出所述刻蚀停止层202a，以在所述层间介质层204b中形成沟槽 216和位于沟槽216下方的通孔218。
[0046] 本实施例中，对介质硬掩膜层206a、层间介质层204a进行刻蚀的方法为干法刻 蚀，如各向异性干法刻蚀，其具体刻蚀工艺为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。去除 所述光刻胶层212的方法可为灰化工艺。
[0047] 需要说明的是，在以图2中所述金属硬掩膜层208和光刻胶层212为掩模，对介质 硬掩膜层206a、层间介质层204a进行刻蚀时，第二开口 214下方所剩余预定厚度的层间介 质层204a的厚度与后续所形成沟槽216的深度相对应。
[0048] 还需要说明的是，在形成沟槽216和通孔218过程中，位于硬掩膜层208下方的介 质硬掩膜层206b未被去除。
[0049] 参考图4,在图3中所述沟槽216和通孔218内填充满牺牲层220。
[0050] 本实施例中，所述牺牲层220的材料可为底部抗反射材料、无定形碳、含硅的抗反 射材料或者D0U。在沟槽216和通孔218内填充满牺牲层220可包括如下步骤：在所述沟槽 216和通孔218内、沟槽216上方由介质硬掩膜层206b和金属硬掩膜层208围合而成的开 口内以及沟槽216周围的金属硬掩膜层208上形成牺牲层；去除位于金属硬掩膜层208上 的牺牲层。
[0051] 本实施例中，可去除位于金属硬掩膜层208上的牺牲层的方法为化学机械研磨工 艺，还可为干法刻蚀工艺。当通过干法刻蚀工艺去除位于金属硬掩膜层208上的牺牲层时， 所述干法刻蚀气体可为氮气或者含氧气体。
[0052] 参考图5,去除图4中所述金属硬掩膜层208。
[0053] 本实施例中，去除所述金属硬掩膜层208的方法可为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的 溶液为双氧水与酸性溶液的混合溶液，所述酸性溶液包括氢氟酸、盐酸和硫酸中的一种或 者多种。由于层间介质层204b的上表面被所述介质硬掩膜层206b所覆盖，而沟槽216和 通孔218侧壁上的层间介质层204b被牺牲层220所覆盖，可避免湿法刻蚀的溶液对层间介 质层204b造成损伤，也可避免因层间介质层204b被湿法刻蚀的溶液消耗而造成的沟槽216 和通孔218变形，所形成沟槽216和通孔218的形貌较佳。
[0054] 参考图6,去除图5中所述牺牲层220,重新暴露出位于所述层间介质层204b中的 沟槽216和通孔218。
[0055] 本实施例中，当牺牲层220的材料为底部抗反射材料（BARC)时，去除牺牲层220的 方法可为湿法刻蚀、干法刻蚀或者灰化工艺。当采用湿法刻蚀去除所述牺牲层220时，湿法 刻蚀的溶液可为丙二醇甲醚和丙二醇单甲醚醋酸酯的混合溶液，或者为丙二醇甲醚、丙二 醇单甲醚醋酸酯和CLK888中的一种溶液。当采用干法刻蚀去除所述牺牲层220时，所述干 法刻蚀的气体可为氮气或者含氧气体。
[0056] 当牺牲层220的材料为无定形碳时，去除所述牺牲层220的方法还可为灰化工艺。
[0057] 当牺牲层220的材料为含硅的抗反射材料（Si-ARC)时，去除牺牲层220的方法可 为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液可为丙二醇甲醚和丙二醇单甲醚醋酸酯的混合溶液，或 者仅为丙二醇甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯和CLK888中的一种溶液。
[0058] 当所述牺牲层220的材料为D0U时，去除所述牺牲层220的方法可为湿法刻蚀，所 述湿法刻蚀的溶液可为CLK888。
[0059] 在去除牺牲层220过程中，由于上述工艺中干法刻蚀的刻蚀气体、湿法刻蚀的溶 液或者灰化工艺的气体不会对层间介质层204b造成损伤，使所形成沟槽216和通孔218的 形貌较佳。
[0060] 参考图7,去除图6中位于通孔218底部的刻蚀停止层202a，至暴露出所述半导体 衬底200,以形成通孔219,并剩余位于通孔219周围的刻蚀停止层202b。
[0061] 本实施例中，去除位于通孔218底部刻蚀停止层202a的方法可为干法刻蚀也可为 湿法刻蚀。如采用湿法刻蚀去除位于通孔218底部刻蚀停止层202a，所述湿法刻蚀的溶液 可为磷酸溶液。由于磷酸溶液与所述层间介质层204b的反应缓慢，其对层间介质层204b 的损伤可忽略不计。
[0062] 参考图8,在图7中所述沟槽216和通孔219中填充满金属材料，以分别形成金属 互连线222和金属插塞224,所述金属互连线222和金属插塞224共同构成双镶嵌结构。 [0063] 本实施例中，所述金属材料可为铜，形成铜金属材料的方法可为物理气相沉积工 艺。形成金属互连线222和金属插塞224可包括如下步骤：在图7中所述沟槽216和通孔 219内以及沟槽216周围的介质硬掩膜层206上形成铜金属材料；采用化学机械研磨工艺 对所述铜金属材料和介质硬掩膜层206进行平坦化，至暴露出所述层间介质层204b，形成 铜金属互连线222和铜金属插塞224。
[0064] 在其他实施例中，还可在所述沟槽216和通孔219中填充满其他金属材料(如：钨、 铝等)，以形成其他材料的金属互连线和金属插塞，本发明对此不作限制。
[0065] 本实施例中，在沟槽216和通孔219中填充满金属材料之前，先去除位于沟槽216 周围的金属硬掩膜层208,降低了沟槽216的深宽比和通孔219的深宽比，降低在沟槽216 和通孔219中填充金属材料的难度，提高了沟槽216和通孔219填充效果。而且，金属硬掩 膜层208的去除工艺不会对双镶嵌结构周围的层间介质层204b造成损伤，使所形成沟槽 216和通孔219的形貌较佳，进而所形成包括金属互连线222和金属插塞224的双镶嵌结构 形貌也较佳，有效提高了包括所形成双镶嵌结构的半导体器件的性能。
[0066] 第二实施例
[0067] 本实施例以单镶嵌工艺中的金属插塞（即刻蚀结构仅包括通孔）为例，对本发明互 连结构的形成方法进行说明，金属互连线(对应的刻蚀结构仅包括沟槽）的形成方法与金属 插塞的形成方法类似，在此不做详述。
[0068] 参考图9,提供半导体衬底300,在所述半导体衬底300上由下至上依次形成刻蚀 停止层302a、层间介质层304、介质硬掩膜层306和金属硬掩膜层308,并形成贯穿所述金属 硬掩膜层308的第一开口（图未示)以及同时贯穿介质硬掩膜层306和层间介质层304的通 孔（图未示)，然后在所述通孔内填充满牺牲层312。
[0069] 本实施例中，所述半导体衬底300、刻蚀停止层302a、层间介质层304、介质硬掩膜 层306、金属硬掩膜层308和牺牲层312的材料、形成工艺请参考第一实施例，在此不做详 述。
[0070] 在其他实施例中，还可省略所述刻蚀停止层302a，在所述半导体衬底300上直接 形成所述层间介质层304。
[0071] 参考图10,去除图9中所述金属硬掩膜层308。
[0072] 本实施例中，去除金属硬掩膜层308的方法请参考第一实施例，在此不再赘述。由 于位于通孔侧壁上的层间介质层304被牺牲层312所覆盖，而位于通孔周围层间介质层304 上的层间介质层304表面被所述介质硬掩膜层306所覆盖，可避免金属硬掩膜层308的去 除工艺对层间介质层304造成损伤，提高了所形成的半导体器件的性能。
[0073] 参考图11，依次去除图10中所述牺牲层312、位于牺牲层312下方的刻蚀停止层 302a，形成贯穿所述层间介质层304和刻蚀停止层302b的通孔314。具体可包括如下步骤 ： 先去除图10所述牺牲层312 ;再以介质硬掩膜层306为掩模，刻蚀图10中所述刻蚀停止层 302a，至暴露出所述半导体衬底300。
[0074] 本实施例中，去除所述牺牲层312和位于牺牲层312下方刻蚀停止层302a的方法 请参考第一实施例的相应步骤。在去除牺牲层312时，位于牺牲层312下方的刻蚀停止层 302a可有效保护半导体衬底300免受损伤。
[0075] 参考图12,在图11中所述通孔314中填充满金属材料，形成铜金属插塞316。其 具体可包括如下步骤：在图10中所述通孔314内以及通孔314周围的介质硬掩膜层306上 形成铜金属材料；采用化学机械研磨工艺对铜金属材料和介质硬掩膜层306进行平坦化工 艺，至暴露出所述层间介质层304,形成铜金属插塞316。
[0076] 本实施例中，去除金属硬掩膜层308时未对层间介质层304造成损伤，且在保证通 孔314填充效果的同时，使形成于层间介质层304中通孔314的形貌较佳，进而使所形成金 属插塞316的形貌较佳，提高了包括所形成金属插塞316的半导体器件的性能。
[0077] 虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本 发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所 限定的范围为准。
【权利要求】
1. 一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜层， 所述层间介质层的材料为低k材料或者超低k材料； 在所述金属硬掩膜层中形成第一开口，所述第一开口贯穿所述金属硬掩膜层； 以剩余的所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀所述介质硬掩膜层和层间介质层，直至在所 述层间介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合； 在所述刻蚀结构中填充满牺牲层； 依次去除剩余的所述金属硬掩膜层和所述牺牲层； 在所述刻蚀结构中填充满金属材料。
2. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的材料 为氮化钛、氮化铜或者氮化铝。
3. 如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，去除所述金属硬掩膜层的 方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为双氧水与酸性溶液的混合溶液，所述酸性溶液包 括氢氟酸、盐酸和硫酸中的一种或多种。
4. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为底部 抗反射材料。
5. 如权利要求4所述的互连结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的方法为 干法刻蚀，所述干法刻蚀的气体包括氮气或者含氧气体。
6. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为含硅 的抗反射材料。
7. 如权利要求4或6所述的互连结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的方法 为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为丙二醇甲醚和丙二醇单甲醚醋酸酯的混合溶液，或者 为丙二醇甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯和CLK888中的一种溶液。
8. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定 形碳。
9. 如权利要求4或8所述的互连结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的方法 为灰化工艺。
10. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为DOU， 去除所述牺牲层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为CLK888。
11. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述介质硬掩膜层的材料 为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和含碳氮化硅中的一种或者几种的组合。
12. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成 层间介质层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层的材料为 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和含碳氮化硅中的一种或者几种的组合。
13. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属材料为铜。
14. 如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀结构包括通孔 和沟槽；以剩余的所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀所述介质硬掩膜层和层间介质层，直至在 所述层间介质层中形成刻蚀结构包括：在所述第一开口内形成光刻胶层，所述光刻胶层中 形成有贯穿所述光刻胶层厚度的第二开口；以所述金属硬掩膜层和光刻胶层为掩模，对所 述层间介质层进行刻蚀，至第二开口下方剩余预定厚度的层间介质层；去除所述光刻胶层； 以所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀所述层间介质层，直至暴露出所述半导体衬底。
【文档编号】H01L21/768GK104143528SQ201310170457
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年5月9日 优先权日:2013年5月9日
【发明者】张海洋, 张城龙, 周俊卿 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司