一种通过调节荧光粉浓度制作led器件的方法
【专利摘要】本发明公开了一种通过调节荧光粉浓度制作LED器件的方法，根据芯片发光坐标值和LED器件发光的目标色坐标值选择在CIE中向上偏离芯片发光坐标值和LED器件发光的色坐标值所在直线且最接近该直线的坐标值对应的单一荧光粉，增大该单一荧光粉的浓度，LED器件发光的色坐标朝长波方向偏离芯片发光坐标值与荧光粉坐标值所在的直线，直到LED器件发光的色坐标达到LED器件发光的目标色坐标值为止。利用本发明的方法，不仅能调节到LED器件发光的目标色坐标，而且色纯度高。
【专利说明】一种通过调节荧光粉浓度制作[口器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及120器件的制作方法。
【背景技术】
[0002]120器件发光的颜色丰富多样，当前[￡0器件实现不同颜色的发光主要是采用不同芯片的组合或芯片与荧光粉的组合方法。现在，采用蓝光芯片激发不同颜色的荧光粉来得到不同颜色的光是最为常见的方法。目前，在芯片颜色坐标已定的情况下，要得到某一特定要求的发光颜色坐标，一般采用如下两种方法:
(1)选择能实现该特定发光颜色坐标的单粉进行，但要求该单粉的颜色坐标与芯片的颜色坐标的连线必须通过发光颜色坐标，虽然该种方法能得到色纯度较高的发光颜色，但目前的荧光粉种类有限，要找到该符合要求的单粉非常的困难，对于大部分的发光颜色要求，一般难以实现。
[0003](2)通过不同荧光粉的组合来实现，要求所选的不同颜色的荧光粉颜色坐标与芯片颜色坐标所围成的色域包含发光颜色坐标，这种方法操作难度大，效率低，而且对于色纯度要求高的颜色坐标，很难甚至不可能通过不同颜色荧光粉的组合来实现。
【发明内容】
[0004]基于上述技术问题，本发明提供了一种通过调节荧光粉浓度来制作120器件的方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是:一种通过调节荧光粉浓度制作130器件的方法是:根据芯片发光坐标值和120器件发光的目标色坐标值选择在中向上偏离芯片发光坐标值和[￡0器件发光的色坐标值所在直线且最接近该直线的坐标值对应的单一荧光粉，增大该单一荧光粉的浓度，[￡0器件发光的色坐标朝长波方向偏离芯片发光坐标值与荧光粉坐标值所在的直线，直到[￡0器件发光的色坐标达到1^0器件发光的目标色坐标值为止。
[0006]本发明的机理是:根据荧光粉的激发和发色图谱发现，同一种荧光粉的激发光谱和发射光谱存在一定程度的重合，不同种类荧光粉的激发光谱和发射光谱同样也会存在部分重叠的现象，这一性质就会导致荧光粉发光时，荧光粉本身会存在自吸收的现象，这种自吸收会导致荧光粉发光向长波方向偏移，这种发射波长的偏移与荧光粉的浓度有关，当荧光粉浓度很低时，自吸收可以忽略不计，只有当荧光粉的浓度逐渐增大时，自吸收才能观察至I』。而在芯片光源激发荧光 粉发光的过程中，光穿过荧光粉层时会发生光的吸收、散射和反射现象，在这种情况下，波长越长的光穿透能力越强，被散射的概率越低，相反，波长越短的光穿透力越弱，被散射的概率越高，当荧光粉浓度逐渐增大时，光穿越荧光粉层时，散射和反射对光的传播影响最大，波长较短的光散射的概率高，这使得短波光在荧光粉层所走的光程臂长波光长，短波长光被吸收损失的概率比长波大，使得[￡0器件发射波长也会往长波方向偏移。[0007]本发明的有益效果是:根据上述机理，当选择一单一的与[￡0器件发光的目标色坐标值最为接近的且向上偏离的坐标值对应的荧光粉，当增大荧光粉的浓度，则[即器件发光色坐标会向长波方向偏离，因此，不仅能得到120器件发光的目标色坐标值，而且色纯度高。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为实施例1对应的产品打靶图。
[0009]图2为不同浓度黄色荧光粉坐标打靶曲线。
[0010]图3为不同浓度橙色荧光粉打靶图。
[0011]图4为铝酸盐荧光粉激发与发射图谱。
[0012]图5为氮化物荧光粉激发与发射图谱。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步详细说明。
[0014]通过调节荧光粉浓度制作120器件的方法是:根据芯片发光坐标值和1^0器件发光的目标色坐标值选择在012中向上偏离芯片发光坐标值和120器件发光的色坐标值所在直线且最接近该直线的坐标值对应的单一荧光粉，增大该单一荧光粉的浓度，[￡0器件发光的色坐标朝长波方向偏离芯片发光坐标值与突光粉坐标值所在的直线，直到[￡￡)器件发光的色坐标达到[￡0器件发光的目标色坐标值为止。`
[0015]实施例1。
[0016]如图1所示，芯片的发光坐标值为(0.151，0.03),要求[￡0器件发光的目标色坐标是(0.575,0.416),这一 [￡0器件发光的目标色坐标非常的特殊，利用常规的方法和现有的荧光粉，无论是单一荧光粉还是组合荧光粉都难以实现，目前能够提供的且与[即器件发光的目标色坐标值接近的荧光粉是坐标值为(0.55，0.44)和(0.582，0.417),根据本发明的技术方案，选择坐标值为(0.55，0.44)的橙色荧光粉，并增大荧光粉的浓度到三倍，发现120器件发光的色坐标已经偏离了芯片和荧光粉坐标值所在的直线，其坐标打靶图以(0.575,0.416)为中心贴着012色坐标变线，[￡0器件发光的目标色坐标符合要求。因此，利用本发明的方法，不仅能使[￡0器件发光的目标色坐标达到要求，而且其色纯度高。
[0017]实施例2。
[0018]如图2所示，芯片发光坐标值为(0.151,0.03),荧光粉的坐标值为(0.444,0.537),如图2所示，当荧光粉的浓度较低时，增大荧光粉的浓度，[￡0器件的色坐标值沿着芯片和荧光粉坐标值所在直线逐渐靠近荧光粉坐标点，当继续增大荧光粉的浓度时，120器件的色坐标值朝长波方向偏离芯片和荧光粉坐标值所在的直线，直到贴着
色坐标边线并继续随着荧光粉浓度增加逐渐红移。同理，如图3所示，当荧光粉坐标值为(0.582，0.417)时也同样发现偏移现象。
[0019]通过实施例1和实施例2说明:当选择一单一的与120器件发光的目标色坐标值最为接近的且向上偏离的坐标值对应的荧光粉，当增大荧光粉的浓度，则[￡0器件发光色坐标会向长波方向偏离，因此，不仅能得到120器件发光的目标色坐标值，而且色纯度高。
[0020]这与如下的机理向一致:如图4和图5所示，根据荧光粉的激发和发色图谱发现，同一种荧光粉的激发光谱和发射光谱存在一定程度的重合，不同种类荧光粉的激发光谱和发射光谱同样也会存在部分重叠的现象，这一性质就会导致荧光粉发光时，荧光粉本身会存在自吸收的现象，这种自吸收会导致荧光粉发光向长波方向偏移，这种发射波长的偏移与荧光粉的浓度有关，当荧光粉浓度很低时，自吸收可以忽略不计，只有当荧光粉的浓度逐渐增大时，自吸收才能观察到。而在芯片光源激发荧光粉发光的过程中，光穿过荧光粉层时会发生光的吸收、散射和反射现象，在这种情况下，波长越长的光穿透能力越强，被散射的概率越低，相反，波长越短的光穿透力越弱，被散射的概率越高，当荧光粉浓度逐渐增大时，光穿越荧光粉层时，散射和反射对光的传播影响最大，波长较短的光散射的概率高，这使得短波光在荧光粉层所走的光程臂长波光长，短波长光被吸收损失的概率比长波大，使得120器件发射波长也会往长波方向偏移。
[0021]因此，本领域技术人员根据本发明的技术方案和具体实施例可以得知当增大荧光粉的浓度时，可以让[￡0器件发光的色坐`标偏离，从而得到…!)器件发光的目标色坐标。
【权利要求】
1.一种通过调节荧光粉浓度制作120器件的方法，其特征在于:根据芯片发光坐标值和120器件发光的目标色坐标值选择在中向上偏离芯片发光坐标值和120器件发光的色坐标值所在直线且最接近该直线的坐标值对应的单一荧光粉，增大该单一荧光粉的浓度，120器件发光的色坐标朝长波方向偏离芯片发光坐标值与突光粉坐标值所在的直线，直到120器件发光的色坐标达到1^0器件发光的目标色坐标值为止。
2.根据权利要求1所 述的通过调节荧光粉浓度制作[￡0器件的方法，其特征在于:当逐渐增大荧光粉浓度时，光穿越荧光粉层时，短波光在荧光粉层所走的光程臂长波光长，短波长光被吸收损失的概率比长波大，使得[￡0器件发射波长往长波方向偏移。
【文档编号】H01L33/50GK103840066SQ201310742515
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年12月30日 优先权日:2013年12月30日
【发明者】熊毅, 焦祺, 李坤锥 申请人:广州市鸿利光电股份有限公司