低剩磁高导磁互感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及互感器【技术领域】，尤其是一种低剩磁高导磁互感器。一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底、外壳盖、插针和线圈，所述外壳底上设有外壳盖，所述外壳盖内设有线圈，所述外壳底下方设有插针，所述外壳底和外壳盖采用铁基纳米晶材料制造。这种低剩磁高导磁互感器，产品采用铁基纳米晶材料，保证了互感器在使用范围内的导磁率，铁芯经高温横向磁场退火处理，保证的产品的剩磁和产品性能的稳定，此种互感器可以抗一定的直流，互感器在直流的磁化下，互感器还可以保持一定的磁性能，适用于A型漏电断路器的适用场合，使用效果良好。
【专利说明】低剩磁高导磁互感器【技术领域】
[0001]本实用新型涉及互感器【技术领域】，尤其是一种低剩磁高导磁互感器。
【背景技术】
[0002]互感器在工作的时候会在互感器之间存在较高的剩磁，而较高的剩磁会导致互感器工作出现误差，影响生产生活的安全正常的进行，使用效果差。
实用新型内容
[0003]为了克服现有的互感器剩磁过高的不足，本实用新型提供了一种低剩磁高导磁互感器。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底、外壳盖、插针和线圈，所述外壳底上设有外壳盖，所述外壳盖内设有线圈，所述外壳底下方设有插针，所述外壳底和外壳盖采用铁基纳米晶材料制造。
[0005]本实用新型的有益效果是，这种低剩磁高导磁互感器，产品采用铁基纳米晶材料，保证了互感器在使用范围内的导磁率，铁芯经高温横向磁场退火处理，保证的产品的剩磁和产品性能的稳定，此种互感器可以抗一定的直流，互感器在直流的磁化下，互感器还可以保持一定的磁性能，适用于A型漏电断路器的适用场合，使用效果良好。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0007]图1是本实用新型的结构示意图；
[0008]图2是本实用新型的剖视图；
[0009]图3是本实用新型的侧视图；
[0010]图中1、外壳底，2、外壳盖，3、插针，4、线圈。
【具体实施方式】
[0011]如图1是本实用新型的结构示意图，一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底1、外壳盖2、插针3和线圈4，所述外壳底I上设有外壳盖2，所述外壳盖2内设有线圈4，所述外壳底I下方设有插针3，所述外壳底I和外壳盖2采用铁基纳米晶材料制造。
[0012]这种低剩磁高导磁互感器的外壳底I和外壳盖2采用铁基纳米晶材料制造，铁基纳米晶材料为导磁材料，保证了互感器在使用范围内的导磁率，而互感器内的线圈4内的铁芯经高温横向磁场退火处理，保证的产品的剩磁和产品性能的稳定，感器可以抗一定的直流，互感器在直流的磁化下，互感器还可以保持一定的磁性能，适用于A型漏电断路器的适用场合，使用效果良好。
【权利要求】
1. 一种低剩磁高导磁互感器,包括外壳底（I)、外壳盖（2)、插针（3)和线圈（4),所述外壳底（I)上设有外壳盖（2),所述外壳盖（2)内设有线圈（4),所述外壳底（I)下方设有插针(3)，其特征是，所述外壳底（I)和外壳盖（2)采用铁基纳米晶材料制造。
【文档编号】H01F1/14GK203406156SQ201320389752
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年7月2日 优先权日:2013年7月2日
【发明者】周岳炜 申请人:常州三恒电器有限公司