湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置制造方法

文档序号:7035477阅读:146来源:国知局
湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种湿法刻蚀装置,特别涉及一种湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置。其技术方案是:包括大槽体、小槽体底部、循环泵、循环管、小槽体、PVDF板材、渗漏孔,所述的大槽体内通过PVDF板材围成小槽体,所述的小槽体通过两根循环管、循环泵与大槽体连通,所述的小槽体下端的小槽体底部设有多个渗漏孔。有益效果是:改装后,2#的药液由原来的完全浸过药液改为药液接触滚轮,靠滚轮带液于硅片下表面和四周反应,去除下表面及四周磷硅玻璃,上表面的磷硅玻璃未去除,对于硅片表面也起到一个防护作用,稳定了硅片的方阻;能够很好的进行控制,保证了产品的质量。
【专利说明】湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种湿法刻蚀装置,特别涉及一种湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置。
【背景技术】
[0002]刻蚀是半导体、微电子及LED制造过程中的一个重要工序,刻蚀是利用化学或物理方法有选择性地从硅片或者蓝宝石衬底表面去除不需要的材料的过程。随着半导体器件的集成度提高,半导体器件的线宽越来越小,关键尺寸的控制也越来越重要,对刻蚀工艺的要求也越来越高。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
[0003]目前,湿法刻蚀清洗机进行生产的过程中,会产生方阻提升过高等现象。其原因是当硅片在2#槽体运行时,片面整体在药液当中,药液对硅片的上、下表面及四周进行磷硅玻璃的去除。当从2#槽出来,进入3#槽时,硅片上表面的磷硅玻璃因为在2#已经去除。所以方阻提升不稳定。

【发明内容】

[0004]本实用新型的目的就是针对现有技术存在的上述缺陷,提供一种湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置。
[0005]其技术方案是:包括大槽体、小槽体底部、循环泵、循环管、小槽体、PVDF板材、渗漏孔,所述的大槽体内通过PVDF板材围成小槽体,所述的小槽体通过两根循环管、循环泵与大槽体连通,所述的小槽体下端的小槽体底部设有多个渗漏孔。
[0006]上述的PVDF板材通过螺栓固定连接为小槽体。
[0007]上述的小槽体的上方设置有直径2.15CM、长度为96.5CM的带液滚轮。
[0008]本实用新型的有益效果是:改装后,2#的药液由原来的完全浸过药液改为药液接触滚轮,靠滚轮带液于硅片下表面和四周反应,去除下表面及四周磷硅玻璃,上表面的磷硅玻璃未去除,对于硅片表面也起到一个防护作用,稳定了硅片的方阻;能够很好的进行控制,保证了产品的质量。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]附图1是本实用新型的结构示意图;
[0010]上图中:大槽体1、小槽体底部2、循环泵3、循环管4、小槽体5、螺栓6、PVDF板材
7、渗漏孔8。
【具体实施方式】
[0011]结合附图1,对本实用新型作进一步的描述:
[0012]本实用新型包括大槽体1、小槽体底部2、循环泵3、循环管4、小槽体5、PVDF板材
7、渗漏孔8,所述的大槽体I内通过PVDF板材7围成小槽体5,所述的小槽体5通过两根循环管4、循环泵3与大槽体I连通,所述的小槽体5下端的小槽体底部2设有多个渗漏孔8,设备运行时,药液不停的渗漏到大槽体,再由循环泵打回小槽体,保证整个2#槽的药液浓度均匀。
[0013]上述的PVDF板材7通过螺栓6固定连接为小槽体5。
[0014]上述的小槽体5的上方设置有直径2.15CM、长度为96.5CM的带液滚轮。
[0015]本实用新型使用时,通过循环泵工作,药液由大槽体,输送到小槽体,小槽体药液液面升高,当液面到达带液平滚轮1/3处时,小槽体的药液渗漏和输送打到平衡,液面稳定。随着带液滚轮的运转,药液沾满滚轮,随之带到上方于硅片接触面。于硅片的下表面和周边进行反应。
【权利要求】
1.一种湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置,其特征是:包括大槽体(I)、小槽体底部(2)、循环泵(3 )、循环管(4)、小槽体(5 )、PVDF板材(7 )、渗漏孔(8 ),所述的大槽体(I)内通过PVDF板材(7)围成小槽体(5),所述的小槽体(5)通过两根循环管(4)、循环泵(3)与大槽体(I)连通,所述的小槽体(5)下端的小槽体底部(2)设有多个渗漏孔(8)。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置,其特征是:所述的PVDF板材(7)通过螺栓(6)固定连接为小槽体(5)。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀绝缘清洗槽改造装置,其特征是:所述的小槽体(5)的上方设置有直径2.15CM、长度为96.5CM的带液滚轮。
【文档编号】H01L21/67GK203760433SQ201320883971
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】杨洪军, 宋道新, 万福旺, 张振兴 申请人:山东天信光伏新能源有限公司
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