基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p-GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。
【专利说明】基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子【技术领域】，尤其是涉及一种基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法。
【背景技术】
[0002]近年来以SiC和GaN为代表的第三带宽禁带隙半导体以其禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、饱和电子速度大和异质结界面二维电子气浓度高等特性，使其受到广泛关注。在理论上，利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光二极管LED、激光二极管LD等器件比现有器件具有明显的优越特性，因此近些年来国内外研究者对其进行了广泛而深入的研究，并取得了令人瞩目的研究成果。
[0003]AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管HEMT在高温器件及大功率微波器件方面已显示出了得天独厚的优势，追求器件高频率、高压、高功率吸引了众多的研究。近年来，制作更高频率高压AlGaN/GaN HEMT成为关注的又一研究热点。由于AlGaN/GaN异质结生长完成后，异质结界面就存在大量二维电子气2DEG，并且其迁移率很高，因此我们能够获得较高的器件频率特性。在提高AlGaN/GaN异质结电子迁移率晶体管击穿电压方面，人们进行了大量的研究，发现AlGaN/GaN HEMT器件的击穿主要发生在栅靠漏端，因此要提高器件的击穿电压，必须使栅漏区域的电场重新分布，尤其是降低栅靠漏端的电场，为此，人们提出了采用场板结构的方法:
[0004]1.米用场板结构，参见 Yuji Ando, Akio ffakejima, Yasuhiro Okamoto 等的 NovelAlGaN/GaN dual-field-plate FET with high gain, increased linearity and stability, IEDM2005, pp.576-579，2005。在AlGaN/GaN HEMT器件中同时采用栅场板和源场板结构，将器件的击穿电压从单独采用栅场板的125V提高到采用双场板后的250V，并且降低了栅漏电容，提高了器件的线性度和稳定性。
[0005]2.米用超级结结构，参见 Akira Nakajima, Yasunobu Sumida, Mahesh H 的 GaNbased super heterojunction field effect transistors using the polarizationjunction concept0在该器件结构中同时拥有2DEG和2DH1，当栅极正向偏置时，2DEG的浓度不发生任何变化，因此器件的导通电阻不会增加，当栅极反向偏置时，沟道中的2DEG会由于放电而耗尽，从而提高了器件的击穿电压(从IlOV提高至560V)，而导通电阻为
6.1mQ.cm2。
【发明内容】
[0006]本发明为了克服上述的不足，提供了一种兼顾了击穿电压的增加和导通电阻的减小，且提高了器件的频率性能的基于复合漏极的槽栅高压器件。
[0007]本发明的技术方案如下:
[0008]一种基于复合漏极的槽栅高压器件，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p_GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。
[0009]所述衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN和MgO中的一种或多种。
[0010]所述AlGaN势垒层中Al的组分含量在O~1之间，Ga的组分含量与Al的组分含量之和为I。
[0011]所述线性AlGaN层中Al的组份含量在O~1之间，且从x线性增加到y，线性AlGaN层的厚度为L，其中任一厚度LI处的Al组分含量为(y-x) XL1/L。
[0012]所述钝化层内包括SiN、Al2O3和HFO2中的一种或多种。
[0013]所述栅极和复合漏极之间的ρ-GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域宽度(I1X),仅有线性AlGaN层的区域宽度d2>0。
[0014]所述复合漏极在线性AlGaN层上的宽度d4在O~1 μ m之间。
[0015]其中，GaN沟道层可以用AlGaN沟道层代替，用AlGaN沟道层时，AlGaN沟道层中Al的组分含量小于AlGaN势垒层中Al的组分含量。ρ-GaN层可以用InGaN层代替，用InGaN层时，In的组分含量恒定或者In组分逐渐增加。
[0016]本发明基于复合漏极的槽栅高压器件，在栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方外延有线性AlGaN层，而在线性AlGaN层的部分区域上方外延有ρ-GaN层，并且在p-GaN层上制备有电极。将栅极和漏极之间P-GaN外延层和线性AlGaN层同时存在的区域称之为第一区域，仅有线性AlGaN层的区域称之为第二区域。这样的结构可以使得器件在导通状态时，即栅极电压≥OV时，第一区域正下方的AlGaN/GaN界面处2DEG浓度的增加与第二区域正下方的AlGaN/GaN界面处的2DEG浓度的增加几乎完全相同，均大于沟道中的2DEG密度，因此第一区域与第二区域的电阻均有所减小，器件的导通电阻也得到了降低；当器件处于截止状态时，即栅极电压≤阈值电压时，栅下沟道内的2DEG被耗尽，与此同时由于基电极与栅极电连接，因此第一区域正下方的2DEG浓度有所减小，甚至减小为50%，使得器件的耗尽区有所加宽，所能承担高电场的区域得到加宽，器件击穿电压得到提高；此外，第二区域正下方的2DEG浓度与导通状态时完全相同，有利于电场的重新分布，而漏极场板的使用确保电场峰值不会出现在漏极处，器件击穿电压再次得到提高。因此该结构在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小。同时器件采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。
[0017]上述基于复合漏极的槽栅高压器件的制作步骤如下:
[0018](1)对外延生长的p-GaN/线性AlGaN/AlGaN/GaN材料进行有机清洗的步骤；
[0019](2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀，形成有源区台面的步骤；
[0020](3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻，形成p_GaN和线性AlGaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和源极之间全部区域以及栅极、源极和复合漏极上方的P-GaN层以及线性AlGaN层均刻蚀掉的步骤；
[0021](4)对器件进行光刻，然后放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=20/120/45/50nm，并进行剥离，最后在氮气环境中进行850°C，35s的快速热退火，形成欧姆接触的步骤；[0022](5)对制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成P-GaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和复合漏极之间部分区域的P-GaN层刻蚀掉，同时形成栅极和复合漏极之间的第一区域和第二区域的步骤；
[0023](6)对器件进行光亥lj，形成基极区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/20nm并进行剥离，最后在大气环境中进行550°C，IOmin的退火，形成基极欧姆接触的步骤；
[0024](7)对完成基极制备的器件进行光刻，形成栅极刻蚀区域，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将AlGaN势垒层刻蚀掉5?10nm，然后再去除刻蚀残留物，形成槽栅结构的步骤；
[0025](8)对器件进行光刻，形成栅极金属以及漏极场板区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/200nm并进行剥离，完成栅极以及漏极场板制备的步骤；
[0026](9)对完成栅极及漏极场板制备的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜的步骤；
[0027]( 10)对器件进行清洗、光刻显影，将源极、栅极和复合漏极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉的步骤；
[0028](11)对器件再次进行清洗、光刻显影，并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极，完成整体器件的制备。
[0029]其中，在步骤(I)中，采用流动的去离子水清洗并放入HCl = H2O=1:1的溶液中进行腐蚀30?60s，最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；
[0030]步骤(3)中，在ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm，N2的流量为lOsccm，刻蚀时间为5min ?8min ；
[0031]步骤(5)中，ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm，N2的流量为lOsccm，刻蚀时间为3min?5min ;该步骤中，第一区域为p_GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域,第二区域为仅有线性AlGaN层的区域；
[0032]步骤(7)中，ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm, N2的流量为lOsccm，并通过在HCliH2O=1:1溶液中处理30s，去除刻蚀残留物；
[0033]步骤(9)中，PECVD反应室的工艺条件为=SiH4的流量为40sccm，NH3的流量为IOsccm,反应室压力为I?2Pa，射频功率为40W，淀积200nm?300nm厚的SiN钝化膜；
[0034]步骤(10)中，ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，CF4的流量为20sCCm，氩气的流量为lOsccm，刻蚀时间为IOmin0
[0035]本发明的有益效果如下:
[0036](I)本发明采用栅极和漏极之间第一区域、第二区域的形成使得器件导通时第一区域和第二区域的2DEG浓度增加，电阻得到减小，达到降低器件导通电阻的目的；
[0037](2)本发明采用器件栅极和漏极之间第一区域、第二区域形成使得器件截止时第一区域的2DEG得到减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布，达到提高器件击穿电压的目的；[0038](3)本发明采用复合漏极结构，即漏极以及漏极场板复合结构，防止漏极边缘出现电场峰值，提高了器件的击穿电压；
[0039](4)本发明采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的控制作用，提高了器件的频率性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0040]本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中:
[0041]图1是本发明中基于复合漏极的槽栅高压器件的结构示意图；
[0042]图2是制作流程图。
【具体实施方式】
[0043]现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
[0044]如图1所示的基于复合漏极的槽栅高压器件，自下而上依次包括衬底1、GaN缓冲层2、GaN沟道层3、AlN隔离层4、本征AlGaN层5和AlGaN势垒层6，所述AlGaN势垒层6上间隔设有源极7、栅极8和复合漏极9，所述栅极8和复合漏极9之间还设有线性AlGaN层10，线性AlGaN层10上设有p-GaN层11，p-GaN层11上设有基极12，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层13，所述钝化层13的间隔内淀积有加厚电极14。其中，所述衬底I为蓝宝石、碳化硅、GaN和MgO中的一种或多种。所述AlGaN势垒层6中Al的组分含量在O~I之间，Ga的组分含量与Al的组分含量之和为I。所述线性AlGaN层中Al的组份含量在O~I之间，且从X线性增加到y，线性AlGaN层的厚度为L，其中任一厚度LI处的Al组分含量为(y-x) XL1/L。所述钝化层13内包括SiN、Al2O3和HFO2中的一种或多种。所述栅极8和复合漏极9之间的p-GaN层11和线性AlGaN层10同时存在的区域宽度(I1X),仅有线性AlGaN层10的区域宽度d2>0。所述复合漏极9在线性AlGaN层10上的宽度山在O~
Iμ m之间。
[0045]上述结构中，GaN沟道层3可以用AlGaN沟道层代替,用AlGaN沟道层时,AlGaN沟道层中Al的组分含量小于AlGaN势垒层6中Al的组分含量。ρ-GaN层11可以用InGaN层代替，用InGaN层时，In的组分含量恒定或者In组分逐渐增加。
[0046]本发明在栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方外延有线性AlGaN层，而在线性AlGaN层的部分区域上方外延有ρ-GaN层，并且在p-GaN层上制备有电极。将栅极和漏极之间p-GaN外延层和线性AlGaN层同时存在的区域称之为第一区域，仅有线性AlGaN层的区域称之为第二区域。这样的结构可以使得器件在导通状态时，即栅极电压≥OV时，第一区域正下方的AlGaN/GaN界面处2DEG浓度的增加与第二区域正下方的AlGaN/GaN界面处的2DEG浓度的增加几乎完全相同，均大于沟道中的2DEG密度，因此第一区域与第二区域的电阻均有所减小，器件的导通电阻也得到了降低；当器件处于截止状态时，即栅极电压<阈值电压时，栅下沟道内的2DEG被耗尽，与此同时由于基电极与栅极电连接，因此第一区域正下方的2DEG浓度有所减小，甚至减小为50%，使得器件的耗尽区有所加宽，所能承担高电场的区域得到加宽，器件击穿电压得到提高；此外，第二区域正下方的2DEG浓度与导通状态时完全相同，有利于电场的重新分布，而漏极场板的使用确保电场峰值不会出现在漏极处，器件击穿电压再次得到提高。因此该结构在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小。同时器件采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。
[0047]如图2所示，本发明的的制作步骤如下:
[0048](I)对外延生长的p-GaN/线性AlGaN/AlGaN/GaN材料进行有机清洗的步骤，该步骤中采用流动的去离子水清洗并放入HCl = H2O=1:1的溶液中进行腐蚀30~60s，最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；
[0049](2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀，形成有源区台面的步骤；
[0050](3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻，形成p_GaN和线性AlGaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和源极之间全部区域以及栅极、源极和复合漏极上方的P-GaN层以及线性AlGaN层均刻蚀掉的步骤，该步骤中在ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm, N2的流量为IOsccm,刻蚀时间为5min~8min ；
[0051](4)对器件进行光刻，然后放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=20/120/45/50nm，并进行剥离，最后在氮气环境中进行850°C，35s的快速热退火，形成欧姆接触的步骤；
[0052](5)对制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成P-GaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和复合漏极之间部分区域的P-GaN层刻蚀掉，同时形成栅极和复合漏极之间的第一区域和第二区域的步骤，第一区域为P-GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域，第二区域为仅有线性AlGaN层的区域，该步骤中ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，ClJ^流量为lOsccm, N2的流量为IOsccm,刻蚀时间为3min~5min ；
[0053](6)对器件进行光亥lj，形成基极区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/20nm并进行剥离，最后在大气环境中进行550°C，IOmin的退火，形成基极欧姆接触的步骤；
[0054](7)对完成基极制备的器件进行光刻，形成栅极刻蚀区域，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将AlGaN势垒层刻蚀掉5~10nm，然后再去除刻蚀残留物，形成槽栅结构的步骤，该步骤中ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，ClJ^流量为lOsccm，N2的流量为lOsccm，并通过在HCl = H2O=1:1溶液中处理30s，去除刻蚀残留物；
[0055](8)对器件进行光刻，形成栅极金属以及漏极场板区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/200nm并进行剥离，完成栅极以及漏极场板制备的步骤；
[0056](9)对完成栅极及漏极场板制备的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜的步骤，该步骤中PECVD反应室的工艺条件为=SiH4的流量为40sCCm，NH3的流量为lOsccm，反应室压力为I~2Pa，射频功率为40W，淀积200nm~300nm厚的SiN钝化膜；
[0057](10)对器件进行清洗、光刻显影，将源极、栅极和复合漏极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉的步骤，该步骤中ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，CF4的流量为20sCCm，氩气的流量为lOsccm，刻蚀时间为IOmin ；[0058](11)对器件再次进行清洗、光刻显影，并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极，完成整体器件的制备。
[0059]上述依据本发明为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【权利要求】
1.一种基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有P-GaN层，p-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。
2.根据权利要求1所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN和MgO中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，所述AlGaN势垒层中Al的组分含量在O~I之间，Ga的组分含量与Al的组分含量之和为I。
4.根据权利要求1所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，所述线性AlGaN层中Al的组份含量在O~I之间，且从X线性增加到y，线性AlGaN层的厚度为L，其中任一厚度LI处的Al组分含量为(y-x) XL1/L。
5.根据权利要求1所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，所述钝化层内包括SiN、Al2O3和HFO2中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，所述栅极和复合漏极之间的P-GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域宽度(I1X),仅有线性AlGaN层的区域宽度d2>0。
7.根据权利要求1所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，所述复合漏极在线性AlGaN层上的宽度d4在O~I μ m之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，用AlGaN沟道层代替GaN沟道层，AlGaN沟道层中Al的组分含量小于AlGaN势垒层中Al的组分含量。
9.根据权利要求8所述的基于复合漏极的槽栅高压器件，其特征在于，用InGaN层代替p-GaN 层。
10.一种基于复合漏极的槽栅高压器件的制作方法，其特征在于，包括: (1)对外延生长的P-GaN/线性AlGaN/AlGaN/GaN材料进行有机清洗的步骤； (2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀，形成有源区台面的步骤； (3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻，形成p_GaN和线性AlGaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和源极之间全部区域以及栅极、源极和复合漏极上方的ρ-GaN层以及线性AlGaN层均刻蚀掉的步骤； (4)对器件进行光刻，然后放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au，并进行剥离，最后在氮气环境中进行850°C，35s的快速热退火，形成欧姆接触的步骤； (5)对制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成P-GaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和复合漏极之间部分区域的P-GaN层刻蚀掉，同时形成栅极和复合漏极之间的第一区域和第二区域的步骤； (6)对器件进行光刻，形成基极区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au并进行剥离，最后在大气环境中进行550°C，IOmin的退火，形成基极欧姆接触的步骤； (7)对完成基极制备的器件进行光刻，形成栅极刻蚀区域，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将AlGaN势垒层刻蚀掉5~10nm，然后再去除刻蚀残留物，形成槽栅结构的步骤；(8)对器件进行光刻，形成栅极金属以及漏极场板区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au并进行剥离，完成栅极以及漏极场板制备的步骤； (9)对完成栅极及漏极场板制备的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜的步骤； (10)对器件进行清洗、光刻显影，将源极、栅极和复合漏极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉的步骤； (11)对器件再次进行清洗、光刻显影，并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au加厚电极，完成整体器件的制备。
11.根据权利要求10所述的基于复合漏极的槽栅高压器件的制作方法，其特征在于，步骤(1)中，采用流动的去离子水清洗并放入HC1:H20=1:1的溶液中进行腐蚀30~60s，最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干； 步骤(3)中，在ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm，N2的流量为lOsccm，刻蚀时间为5min~8min ； 步骤(5)中，ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm, N2的流量为lOsccm，刻蚀时间为3min~5min;该步骤中，第一区域为ρ-GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域，第二区域为仅有线性AlGaN层的区域； 步骤(7)中，ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为lOsccm, N2的流量为lOsccm，并通过在HCl = H2O=1:1溶液中处理30s，去除刻蚀残留物； 步骤(9)中，PECVD反应室的工艺条件为=SiH4的流量为40sccm，NH3的流量为lOsccm，反应室压力为I~2Pa，射频功率为40W，淀积200nm~300nm厚的SiN钝化膜； 步骤(10)中，ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，CF4的流量为20sccm，氩气的流量为lOsccm，刻蚀时间为lOmin。
【文档编号】H01L21/335GK103839996SQ201410033307
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2014年1月22日 优先权日:2014年1月22日
【发明者】冯倩, 杜锴, 马晓华, 郑雪峰, 代波, 郝跃 申请人:西安电子科技大学