一种抗温度冲击的二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种抗温度冲击的二极管，包括芯片、包覆所述芯片的环氧塑封体；所述芯片具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面电性连接凸头引脚，所述芯片的大端面电性连接平头引脚，所述平头引脚和所述芯片的大端面接触的表面面积不小于所述芯片的大端面的面积。本实用新型中芯片的大端面电性连接平头引脚，所述平头引脚和所述芯片的大端面接触的表面面积不小于所述芯片的大端面的面积，保证了引脚与芯片大端面接触面积，连接后芯片未悬空，在温度冲击时，芯片产品内部温度变化更均匀，产品内部产生应力更小，芯片受产品内部产生的应力冲击更均匀，芯片破裂失效的现象大大减少，产品抗温度冲击性能好。
【专利说明】一种抗温度冲击的二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子器件领域，具体涉及一种抗温度冲击的二极管。
【背景技术】
[0002]现有的大尺寸GPP 二极管通常包括GPP芯片，包覆所述GPP芯片的环氧塑封体，GPP芯片具有一大端面和一小端面，所述GPP芯片的大端面和小端面均电性连接有凸头引脚(见图1)。现有这种结构的引脚使用在大尺寸GPP芯片上时，由于引脚与芯片大端面接触面积小，连接后造成芯片悬空较多，在温度冲击时(通过引脚焊接时或焊接到电路板上工作时电路发热)，芯片产品温度变化较大，这样的温度变化，在芯片产品内部会产生较大应力，内部应力作用使芯片破裂失效。
实用新型内容
[0003]本实用新型的发明目的在于:针对现有技术存在的问题，提供一种抗温度冲击性能好的二极管。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0005]一种抗温度冲击的二极管，包括芯片、包覆所述芯片的环氧塑封体；所述芯片具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面电性连接凸头引脚，所述芯片的大端面电性连接平头引脚，所述平头引脚和所述芯片的大端面接触的表面面积不小于所述芯片的大端面的面积。
[0006]优选的，所述平头引脚包括横向平面和与该横向平面连接的引线；所述横向平面与所述芯片的大端面连接；所述横向平面包覆于所述环氧塑封体内；所述引线与该横向平面连接的一端包覆于所述环氧塑封体内，另一端伸出所述环氧塑封体。
[0007]所述凸头引脚连接所述芯片小端面的一端包覆于所述环氧塑封体内，另一端伸出所述环氧塑封体。
[0008]所述芯片为GPP芯片。
[0009]综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:
[0010]本实用新型的抗温度冲击的二极管芯片的大端面电性连接平头引脚，所述平头引脚和所述芯片的大端面接触的表面面积不小于所述芯片的大端面的面积，保证了引脚与芯片大端面接触面积，连接后芯片未悬空，在温度冲击时，芯片产品内部温度变化更均匀，产品内部产生应力更小，芯片受产品内部产生的应力冲击更均匀，芯片破裂失效的现象大大减少，产品抗温度冲击性能好。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是现有的GPP 二极管的结构示意图。
[0012]图2是本实用新型实施例的抗温度冲击的二极管的结构示意图。
[0013]图中标记:1_芯片，2-凸头引脚，3-平头引脚，301-横向平面，302-引线，303-横向固定杆，4-环氧塑封体。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
[0015]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0016]实施例:
[0017]如图2所示，本实施例的一种抗温度冲击的二极管，包括芯片1、包覆所述芯片I的环氧塑封体4 ;所述芯片I具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面电性连接凸头引脚2，所述芯片I的大端面电性连接平头引脚3，所述平头引脚3和所述芯片I的大端面接触的表面面积不小于所述芯片I的大端面的面积。本实施例中优选平头引脚3和所述芯片I的大端面接触的表面面积等于所述芯片I的大端面的面积。
[0018]具体的，所述平头引脚3包括横向平面301和与该横向平面301连接的引线302 ；所述横向平面301与所述芯片I的大端面连接；所述横向平面301包覆于所述环氧塑封体4内；所述引线302与该横向平面301连接的一端包覆于所述环氧塑封体4内，另一端伸出所述环氧塑封体4。其中，所述横向平面301可以是圆形平面或方形平面，由金属材料制成。为了保证引线302连接的牢固性，所述引线302包覆于环氧塑封体4内的部分设有一横向固定杆303，横向固定杆303该增大了引线302与环氧塑封体4的接触面积，引线302连接更加牢固。所述凸头引脚2连接所述芯片I小端面的一端包覆于所述环氧塑封体4内，另一端伸出所述环氧塑封体4。所述凸头引脚2包覆于环氧塑封体4内的部分也设有一横向固定杆。上述芯片均为GPP芯片。
`[0019]本发明人做了以下对比试验:取现有的采用双凸头引脚的140mil GPP芯片产品50只，在-55…150°C温度范围，10次温度循环，失效11只，解剖失效品，均是芯片破裂。取本实用新型的140mil GPP芯片产品50只，在-55…150°C温度范围，10次温度循环，产品无失效品出现，继续做到200次温度循环未发现失效。由该试验数据表明采用本实用新型的引脚结构的芯片产品抗温度冲击能力明显高于现有产品。
[0020]本实用新型的抗温度冲击的二极管根据GPP芯片的结构，在芯片的大端面电性连接平头引脚，所述平头引脚和所述芯片的大端面接触的表面面积不小于所述芯片的大端面的面积，保证了引脚与芯片大端面接触面积，连接后芯片未悬空，在温度冲击时，芯片产品内部温度变化更均匀，产品内部产生应力更小，芯片受产品内部产的应力冲击更均匀，芯片破裂失效的现象大大减少，产品抗温度冲击性能好。
[0021]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种抗温度冲击的二极管，包括芯片、包覆所述芯片的环氧塑封体；所述芯片具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面电性连接凸头引脚，其特征在于，所述芯片的大端面电性连接平头引脚，所述平头引脚和所述芯片的大端面接触的表面面积不小于所述芯片的大端面的面积。
2.根据权利要求1所述的抗温度冲击的二极管，其特征在于，所述平头引脚包括横向平面和与该横向平面连接的引线；所述横向平面与所述芯片的大端面连接；所述横向平面包覆于所述环氧塑封体内；所述引线与该横向平面连接的一端包覆于所述环氧塑封体内，另一端伸出所述环氧塑封体。
3.根据权利要求1所述的抗温度冲击的二极管，其特征在于，所述凸头引脚连接所述芯片小端面的一端包覆于所述环氧塑封体内，另一端伸出所述环氧塑封体。
4.根据权利要求1或2或3所述的抗温度冲击的二极管，其特征在于，所述芯片为GPP-H-* I I心/T O
【文档编号】H01L23/48GK203644793SQ201420023618
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2014年1月15日 优先权日:2014年1月15日
【发明者】周杰, 谭志伟 申请人:乐山无线电股份有限公司, 成都先进功率半导体股份有限公司