阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种阵列基板和显示装置，涉及显示【技术领域】，能够使栅极绝缘层和有源层在一次构图工艺中形成，减少构图工艺次数。该阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域和所述非显示区域上设置有栅极金属层和位于所述栅极金属层上方的数据线金属层，所述栅极金属层包括位于所述非显示区域的布线栅极金属部分和位于所述显示区域的栅线，所述数据线金属层包括位于所述显示区域的数据线，所述显示区域上设置有薄膜晶体管，所述栅线包括与所述数据线交叉的交叉栅线部分和用于构成所述薄膜晶体管的栅极，所述布线栅极金属部分、所述交叉栅线部分和所述栅极所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层和有源层。
【专利说明】阵列基板和显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器是一种平面超薄的显示装置，其主要包括阵列基板，阵列基板上设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层等膜层。
[0003]进一步地，阵列基板包括显示区域和非显示区域，其中，整个显示区域上覆盖有栅极绝缘层，用于使栅极金属层与其他膜层绝缘；非显示区域处的栅极绝缘层具有一定的图形，以使得一部分栅极金属层暴露，进而实现栅极金属层和其他导电膜层的电连接。有源层仅位于显示区域内的薄膜晶体管所在区域内，用以构成薄膜晶体管的沟道。
[0004]发明人发现，由于阵列基板具有上述结构，因此，在阵列基板的制作过程中需要使用两张掩膜板，经过两次构图工艺分别形成栅极绝缘层的图形和有源层的图形。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板和显示装置，能够使栅极绝缘层和有源层在一次构图工艺中形成，减少构图工艺次数。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种阵列基板，该阵列基板采用如下技术方案:
[0007]一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域和所述非显示区域上设置有栅极金属层和位于所述栅极金属层上方的数据线金属层，所述栅极金属层包括位于所述非显示区域的布线栅极金属部分和位于所述显示区域的栅线，所述数据线金属层包括位于所述显示区域的数据线，所述显示区域上设置有薄膜晶体管，所述栅线包括与所述数据线交叉的交叉栅线部分和用于构成所述薄膜晶体管的栅极，所述布线栅极金属部分、所述交叉栅线部分和所述栅极所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层和有源层。
[0008]所述数据线金属层还包括位于所述非显示区域的布线数据线金属部分，所述布线栅极金属部分所在区域包括依次设置的所述布线栅极金属部分、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述布线数据线金属部分，所述栅极绝缘层和所述有源层上设置有过孔，所述布线数据线金属部分通过所述过孔与所述布线栅极金属部分电连接。
[0009]所述交叉栅线部分所在区域包括依次设置的所述交叉栅线部分、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述数据线。
[0010]所述数据线金属层还包括漏极，所述栅极所在区域包括依次设置的所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述漏极。
[0011]相邻两个所述薄膜晶体管之间的区域处未设置所述有源层。
[0012]所述数据线金属层还包括公共电极，所述公共电极位于相邻两所述数据线之间，所述公共电极与所述薄膜晶体管之间未设置所述有源层。
[0013]本实用新型实施例提供了一种如上所述的阵列基板，该阵列基板上栅极金属层包括的布线栅极金属部分、交叉栅线部分和栅极所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层和有源层，因此，栅极绝缘层和有源层可以使用同一张掩膜板，在同一次构图工艺中形成，从而减少构图工艺次数。
[0014]本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一项所述的阵列基板。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本实用新型实施例中的第一种阵列基板的平面示意图；
[0017]图2为本实用新型实施例中的图1所示的阵列基板沿A-A’方向的截面示意图；
[0018]图3为本实用新型实施例中的第二种阵列基板的平面示意图；
[0019]图4为本实用新型实施例中的图3所示的阵列基板沿A-A’方向的截面示意图；
[0020]附图标记说明: [0021]I 一显示区域；2—非显示区域；3—布线栅极金属部分；
[0022]4一栅线；41 一交叉栅线部分；42—栅极；
[0023]5—数据线；6—栅极绝缘层；7—有源层；
[0024]8—布线数据线金属部 9—过孔；10—漏极；
[0025]分；
[0026]11一钝化层；12—公共电极。
【具体实施方式】
[0027]本实用新型实施例提供了一种阵列基板，能够使栅极绝缘层和有源层在一次构图工艺中形成。
[0028]下面结合附图对本实用新型实施例提供的阵列基板进行详细描述。
[0029]本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1和图2所示，该阵列基板包括显示区域I和非显示区域2，显示区域I和非显示区域2上设置有栅极金属层和位于栅极金属层上方的数据线金属层，栅极金属层包括位于非显示区域2的布线栅极金属部分3和位于显示区域的栅线4，数据线金属层包括位于显示区域I的数据线5，显示区域I上设置有薄膜晶体管，栅线4包括与数据线5交叉的交叉栅线部分41和用于构成薄膜晶体管的栅极42，其中，布线栅极金属部分3、交叉栅线部分41和栅极42所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层6和有源层7。其中，有源层7可以为多层结构也可以为单层结构。
[0030]本实用新型实施例提供了一种如上所述的阵列基板，该阵列基板上栅极金属层包括的布线栅极金属部分、交叉栅线部分和栅极所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层和有源层，因此，栅极绝缘层和有源层可以使用同一张掩膜板，在同一次构图工艺中形成，从而减少构图工艺次数。
[0031]为了便于本领域技术人员制作具有上述结构的阵列基板，本实用新型实施例还提供了一种阵列基板的制作方法。示例性地，在阵列基板上的布线栅极金属部分3、交叉栅线部分41和栅极42所在区域，形成图形相同的栅极绝缘层6和有源层7的制作过程大体包括如下步骤:
[0032]步骤一，在衬底基板上形成栅极金属层，经过一次构图工艺对栅极金属层进行图形化，图形化后的栅极金属层包括布线栅极金属部分3、交叉栅线部分41和栅极42，当然，本领域技术人员可以理解的是，栅极金属层还可以包括其他部分，本实用新型实施例对此不进行详细描述。
[0033]步骤二，在形成了栅极金属层的衬底基板上，形成一层栅极绝缘层6，然后再形成一层有源层7，然后经过一次构图工艺对栅极绝缘层6和有源层7进行图形化，图形化后的栅极绝缘层6和有源层7具有相同的图形。
[0034]下面结合附图对上述布线栅极金属部分3、交叉栅线部分41和栅极42所在区域的结构进行详细的描述。
[0035]具体地，如图2所示，数据线金属层还包括位于非显示区域2的布线数据线金属部分8，布线栅极金属部分3所在区域包括依次设置的布线栅极金属部分3、栅极绝缘层6、有源层7和布线数据线金属部分8，栅极绝缘层6和有源层7上设置有过孔9，布线数据线金属部分8通过过孔9与布线栅极金属部分3电连接。
[0036]如图2所示，交叉栅线部分41所在区域包括依次设置的交叉栅线部分41、栅极绝缘层6、有源层7和数据线5。
[0037]如图2所示，数据线金属层还包括漏极10，栅极42所在区域(即薄膜晶体管所在区域)包括依次设置的栅极42、栅极绝缘层6、有源层7、漏极10。需要说明的是，本实用新型实施例中优选数据线5直接作为源极，但并不局限于此种状况，还可以在阵列基板上栅极42所在区域单独设置源极，只要源极与数据线5之间存在电连接即可。需要说明的是，当有源层7为多层结构时，例如包括依次设置于栅极绝缘层6上的氢化非晶硅有源层(a-S1:H)和欧姆接触层(n+a-S1:H)时，在制作本实用新型实施例提供的阵列基板的过程中，可以在形成数据线金属层的图形的构图工艺中使用半透掩膜板，经过第一次曝光、刻蚀后，形成包括数据线5和漏极10的图形，经过第二次曝光、刻蚀后，使数据线5和漏极10之间的有源层7的欧姆接触层部分被刻蚀掉，从而使形成的薄膜晶体管具有更好的性能。
[0038]进一步地，为了避免相邻两个薄膜晶体管之间形成类似于薄膜晶体管的结构，进而影响显示效果，如图2所示，本实用新型实施例中优选相邻两个薄膜晶体管之间的区域处未设置有源层7。该区域处的有源层7在后续形成钝化层11的同时将该区域处的有源层7去除，不会增加构图工艺次数。具体地，在形成了栅极金属层、栅极绝缘层6、有源层7和数据线金属层的阵列基板上形成一层钝化层11，使用具有过孔图案和待去除有源层图案的掩膜板遮盖，经过一次构图工艺后，使钝化层11形成所需图形，此时，上述区域处的有源层7即被刻蚀掉，从而不会形成类似于薄膜晶体管的结构。在形成钝化层11的过程中，还可以将其他不需要设置有源层7的区域处的有源层7刻蚀掉，本实用新型实施例对此不进行详细描述。
[0039]进一步地，如图3和图4所示，数据线金属层还包括位于相邻两数据线5之间的公共电极12，类似地，为了避免相邻的数据线5与公共电极12或者相邻的漏极10与公共电极12之间形成类似于薄膜晶体管的结构，进而影响显示效果，优选地，公共电极12与薄膜晶体管之间未设置有源层7。
[0040]此外，本实用新型实施例提供的阵列基板上还可以包括其他结构，例如，像素电极和公共电极等结构。需要说明的是本段中所述的公共电极不同于之前描述的公共电极12，此处的公共电极为使用ITO、IZO等透明导电物制成，用以和像素电极共同作用驱动液晶分子偏转。示例性地，当阵列基板上还设置有位于钝化层11上的板状的像素电极，未设置有公共电极时，钝化层11上设置有对应于像素电极的过孔，从而使得像素电极通过该过孔与薄膜晶体管的漏极10电连接。当阵列基板上还设置有由绝缘层间隔开的像素电极和公共电极时，此时，像素电极或者公共电极上设置有狭缝，或者像素电极或者公共电极为条状电极，像素电极通过位于钝化层11上的过孔与薄膜晶体管的漏极10电连接。当阵列基板上还设置有同层设置的像素电极和公共电极时，像素电极和公共电极上设置有狭缝，或者像素电极和公共电极为条状电极，此时，像素电极通过位于钝化层11上的过孔与薄膜晶体管的漏极电连接，公共电极通过过孔与之前描述的公共电极12电连接，以降低公共电极的电阻，从而提高显示装置的显示效果。
[0041]本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一项所述的阵列基板。该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、有机发光显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0042]以上所述，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域和所述非显示区域上设置有栅极金属层和位于所述栅极金属层上方的数据线金属层，所述栅极金属层包括位于所述非显示区域的布线栅极金属部分和位于所述显示区域的栅线，所述数据线金属层包括位于所述显示区域的数据线，所述显示区域上设置有薄膜晶体管，所述栅线包括与所述数据线交叉的交叉栅线部分和用于构成所述薄膜晶体管的栅极，其特征在于，所述布线栅极金属部分、所述交叉栅线部分和所述栅极所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层和有源层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线金属层还包括位于所述非显示区域的布线数据线金属部分，所述布线栅极金属部分所在区域包括依次设置的所述布线栅极金属部分、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述布线数据线金属部分，所述栅极绝缘层和所述有源层上设置有过孔，所述布线数据线金属部分通过所述过孔与所述布线栅极金属部分电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述交叉栅线部分所在区域包括依次设置的所述交叉栅线部分、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述数据线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线金属层还包括漏极，所述栅极所在区域包括依次设置的所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述漏极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述薄膜晶体管之间的区域处未设置所述有源层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线金属层还包括公共电极，所述公共电极位于相邻两所述数据线之间，所述公共电极与所述薄膜晶体管之间未设置所述有源层。
7.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L23/50GK203746853SQ201420142437
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年3月27日 优先权日:2014年3月27日
【发明者】徐少颖, 阎长江, 李田生, 谢振宇 申请人:北京京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司