大电流半导体器件结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于：所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。本实用新型是利用预先设计好的一对上下对位的铜框架，没有超声波和挤压的力道施加于芯片，因此不会伤到芯片里层的电路，不会有可靠性的问题，同时互连是用铜框架上的铜片，其宽度可依电流的大小设计，可耐大电流，工艺技术也不需昂贵的机台设备，既可靠又经济。
【专利说明】大电流半导体器件结构
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种大电流半导体器件结构。
【背景技术】
[0002]现今大电流的半导体封装互连还是利用打线机将铝线或铝带以超声波打线方式将芯片的接触铝垫与铜框架的引脚压黏形成导电通路，此法提供的导电电流需视铝线的直径大小或是铝带的宽窄来决定，但因铝线/带的打线工艺技术有其最大线径与线宽的限制，有些产品需要并排的打上2?10条的铝线/带才能达到数十安培的大电流需求，在打线工艺上需要用到价格昂贵的超声波打线/带机，打线成本高，同时芯片本体也容易因芯片打点多而造成芯片内部电路的挤压破坏而产生产品的最终可靠性问题。原工艺流程:框架点导电胶、上芯片、烘烤、超声波焊铝线/带、塑封。
实用新型内容
[0003]有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种大电流半导体器件结构。
[0004]本实用新型采用以下方案实现:一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于:所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。
[0005]在本实用新型一实施例中，所述承载引脚为2个。
[0006]在本实用新型一实施例中，所述接触导电引脚位2个。
[0007]本实用新型是利用预先设计好的一对上下对位的铜框架，互连是利用锡膏，没有超声波和挤压的力道施加于芯片，因此不会伤到芯片里层的电路，不会有可靠性的问题，同时互连是用铜框架上的铜片，其宽度可依电流的大小设计，可耐大电流，工艺技术也不需昂贵的机台设备，既可靠又经济。
[0008]为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本实用新型作进一步详细说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]如图1所示，本实用新型提供一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳(图中未示出)，所述封装外壳内设有一承载片1，所述承载片I包括承载位11和承载引脚12 (优选为2个)，所述承载位11通过下层锡膏4与芯片3的下层铝垫紧密接触，所述芯片3的上层铝垫通过上层锡膏5与一接触导电片2的触片21紧密接触，所述接触导电片2还设有接触导电引脚22 (优选为2个)。承载引脚12和接触导电引脚22的宽度可依电流的大小设if ο
[0011]上列较佳实施例，对本实用新型的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于:所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。
2.根据权利要求1所述的大电流半导体器件结构，其特征在于:所述承载引脚为2个。
3.根据权利要求1所述的大电流半导体器件结构，其特征在于:所述接触导电引脚位为2个。
【文档编号】H01L23/495GK203760459SQ201420143532
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年3月28日 优先权日:2014年3月28日
【发明者】江炳煌 申请人:福建福顺半导体制造有限公司