Led芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77～83μm，LED芯片背面设置有白膜层。本实用新型提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55％。
【专利说明】LED芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED(发光二极光)领域，特别地，涉及一种LED芯片。
【背景技术】
[0002]LED生产中品质略差的芯片多被用作生产小尺寸的芯片，而且芯片尺寸越做越小。为便于后续裂片工艺中芯片按既定位置破裂，芯片厚度需要通过研磨降低。厚度降低后芯片容易出现破片问题。常用尺寸芯片，以保障紫外切割的良率为目的则芯片厚度一般为80 μ m。80 μ m厚的芯片破片率为6?8%。破片率居高不下，影响了 LED芯片的切割和裂片效率。
实用新型内容
[0003]本实用新型目的在于提供一种LED芯片，以解决现有技术中LED芯片破片率高的技术问题。
[0004]为实现上述目的，根据本实用新型提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77?83 μ m, LED芯片背面设置有白膜层。
[0005]进一步地，白膜层厚度为70?80 μ m。
[0006]进一步地，芯片尺寸为7X8mil。
[0007]本实用新型具有以下有益效果:
[0008]本实用新型提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55%。
[0009]除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0011]图1是本实用新型优选实施例的示意图。
【具体实施方式】
[0012]以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
[0013]本实用新型通过在经研磨后的LED芯片表面黏贴上白膜层，利用白膜层的粘性将芯片的原有形貌固定，从而降低芯片在后续工艺过程中的破片率。
[0014]本实用新型针对厚度为77?83 μ m的芯片2进行处理，在该厚度的LED芯片2背面黏贴设置有白膜层I。厚度为77?83 μ m的芯片2多通过研磨得到，经过研磨后芯片2的脆性增强，在后续工艺过程中，容易出现破片。通过在芯片2的背面黏贴白膜层I后，芯片2的整体保持力得到增强，在外力作用下不易出现破碎，从而降低了芯片2的破片率。通过设置白膜层I后，能将芯片2的破片率降低至2%。生产过程中，每次生产的芯片是以万为单位计量的，此改进防止了上百片芯片的破碎，节约了生产成本。
[0015]实施例
[0016]以下实施例中所用物料和设备均为市售。
[0017]实施例1
[0018]1.使用NTS研磨机将LED芯片2研磨至厚度为80 μ m。抛光该厚度的LED芯片2。
[0019]2.擦拭LED芯片2背面，以免影响白膜层I的粘性。
[0020]3.将芯片2的正面置于温度为90°C的陶瓷加热板3表面上，加热时间小于2分钟。
[0021]4.白膜层I贴在芯片2背表面，白膜层I与芯片2之间不能有气泡，得到表面设置白膜层I的LED芯片。
[0022]5.将LED芯片进行下蜡处理。
[0023]对比例
[0024]与实施例1的区别在于未设置白膜层I。
[0025]按实施例1中所列方法处理100片LED芯片作为制令I。同时按对比例中的方法处理另100片芯片作为制令2。结果列于表1中。
[0026]表1制令I和2破片率和外观良率结果
【权利要求】
1.一种LED芯片，所述LED芯片经研磨后厚度为77?83 μ m，其特征在于，所述LED芯片背面设置有白膜层；所述白膜层厚度为70?80μπι。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述LED芯片尺寸为7X8mil。
【文档编号】H01L33/52GK203859151SQ201420163608
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年4月4日 优先权日:2014年4月4日
【发明者】马青会 申请人:湘能华磊光电股份有限公司