一种用于动车整流器的大功率二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公布了一种用于动车整流器的大功率二极管，包括肖特基芯片，在该肖特基芯片的两端分别焊接设有阴极电极和阳极电极，所述肖特基芯片和设置在左右的所述阴极电极和阳极电极被封装于一个填充有树脂浇注物的套管内；所述套管的侧壁设置有至少一个用于提高套管散热面积的薄膜散热片。本实用新型的大功率二极管，其结构更为合理，体积小，材料耗用量低，且该二极管中的肖特基芯片是直接注塑封装在一个填充有树脂浇注物的套管内，大大地缩短了产品的生产周期，提高了产品的生产效率；另外，在套管的侧壁设置有薄膜散热片，可以大大提高二极管的散热性能，特别适用于动车整流器中。
【专利说明】
一种用于动车整流器的大功率二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于动车整流器的大功率二极管。
【背景技术】
[0002]目前，在动车的整流器中都需要采用大功率的二极管，普通的二极管有肖特基芯片和引脚组成，并将其塑封于圆柱状的环氧膜塑料中制成，这样容易造成其散热性差，同时由于其正向压降较高，耗能较大；其封装用的环氧模塑料块不仅体积大，装配在较小空间时比较困难；制作时需要经过酸洗上胶，制作流程长，环保节能性差。另外，传统的N通道沟槽肖特基芯片只有一种沟槽，这种肖特基芯片的肖特基界面为平面状，肖特基界面下方是多晶硅，多晶硅的外周挖沟槽，使得该种肖特基界面通过电流面积小，通电效率低。
实用新型内容
[0003]本实用新型目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种用于动车整流器的大功率二极管。
[0004]本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案:一种用于动车整流器的大功率二极管，包括肖特基芯片，在该肖特基芯片的两端分别焊接设有阴极电极和阳极电极，所述肖特基芯片和设置在左右的所述阴极电极和阳极电极被封装于一个填充有树脂浇注物的套管内；所述套管的侧壁设置有至少一个用于提高套管散热面积的薄膜散热片；其中，所述肖特基芯片还包括顶部金属层、顶部金属层下方的肖特基界面、紧靠肖特基界面下方的多晶硅、多晶硅外周的第一沟槽、下部的N型外延层N-ΕΡΙ和N型基片，在两相邻第一沟槽之间增设宽度大于第一沟槽、深度小于第一沟槽的第二沟槽，以使肖特基界面成为平面和沟槽相间隔的结构。
[0005]进一步的，所述的肖特基芯片的正向压降在0.35-0.55V之间变更。
[0006]本实用新型的有益效果:本实用新型的大功率二极管，其结构更为合理，体积小，材料耗用量低，且该二极管中的肖特基芯片是直接注塑封装在一个填充有树脂浇注物的套管内，大大地缩短了产品的生产周期，提高了产品的生产效率；另外，在套管的侧壁设置有薄膜散热片，可以大大提高二极管的散热性能，特别适用于动车整流器中。进一步通过采用低正向压降的肖特基芯片，也能有效地降低器件本身的功耗；另外，在本实用新型的肖特基芯片的两个第一沟槽中间增加一个宽度大于第一沟槽的第二沟槽，使得在相等的肖特基芯片面积下肖特基界面得以增加，正向导通电流的能力得以加强，另第二沟槽的深度比第一沟槽浅，这样反向电压时第一沟槽的M0S空乏功能可以保护第二沟槽的肖特基界面，因而降低反向漏电流的损耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1本实用新型的整体结构示意图。
[0008]图2本实用新型的肖特基芯片结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]图1、图2所示，涉及一种用于动车整流器的大功率二极管，包括肖特基芯片2，在该肖特基芯片2的两端分别焊接设有阴极电极11和阳极电极12，所述肖特基芯片2和设置在左右的所述阴极电极11和阳极电极12被封装于一个填充有树脂浇注物31的套管3内；所述套管3的侧壁设置有至少一个用于提高套管3散热面积的薄膜散热片4 ;其中，所述肖特基芯片还包括顶部金属层21、顶部金属层21下方的肖特基界面25、紧靠肖特基界面25下方的多晶硅22、多晶硅外周的第一沟槽23、下部的N型外延层N-EPI26和N型基片27 ;在两相邻第一沟槽23之间增设宽度大于第一沟槽23、深度小于第一沟槽23的第二沟槽24，以使肖特基界面成为平面和沟槽相间隔的结构。其中，上述肖特基芯片的正向压降在0.35-0.55V之间变更。
[0010]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种用于动车整流器的大功率二极管，其特征在于， 包括肖特基芯片(2)，在该肖特基芯片(2)的两端分别焊接设有阴极电极(11)和阳极电极(12)，所述肖特基芯片(2)和设置在左右的所述阴极电极(11)和阳极电极(12)被封装于一个填充有树脂浇注物(31)的套管(3)内；所述套管(3)的侧壁设置有至少一个用于提高套管(3)散热面积的薄膜散热片(4);其中，所述肖特基芯片还包括顶部金属层(21)、顶部金属层(21)下方的肖特基界面(25)、紧靠肖特基界面(25)下方的多晶硅(22)、多晶硅外周的第一沟槽(23)、下部的N型外延层N-EPI (26)和N型基片(27);在两相邻第一沟槽(23)之间增设宽度大于第一沟槽(23)、深度小于第一沟槽(23)的第二沟槽(24)，以使肖特基界面成为平面和沟槽相间隔的结构。
2.如权利要求1所述的一种用于动车整流器的大功率二极管，其特征在于，所述的肖特基芯片的正向压降在0.35-0.55V之间变更。
【文档编号】H01L23/367GK204067331SQ201420439213
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年8月6日 优先权日:2014年8月6日
【发明者】徐建 申请人:安徽旭特电子科技有限公司