一种毫米波非标准波导至标准波导转接器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种毫米波非标准波导至标准波导转接器，包括非标准波导对插端口、转接过渡区域以及法兰盘；转接过渡区域内设有1/4λ波长阻抗变换器，用于将非标准波导过渡到标准波导；转接过渡区域两侧分别设有非标准波导对插端口和法兰盘，非标准波导对插端口连接非标准波导，法兰盘连接标准波导。本实用新型易于加工、安装方便、低反射系数、低损耗，可用作非标准波导与标准波导的连接测试。
【专利说明】一种毫米波非标准波导至标准波导转接器
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及微波电子产品【技术领域】，尤其是一种应用于毫米波组件中非标准 波导与标准波导的过渡转换、测试用的转接器。
【背景技术】
[0002] 波导是射频传输结构的一种，与其他传输形式相比，尤其是在毫米波波段，波导的 损耗更小。由于空间尺寸的限制，标准波导有时不能满足系统的尺寸要求，非标准波导的使 用变得更加普遍。因此非标准波导到标准波导的转换在波导设计测试中越来越重要。 实用新型内容
[0003] 针对上述问题， 申请人:经过研究改进，提供一种毫米波非标准波导至标准波导转 接器，以实现非标准波导到标准波导的转换。
[0004] 本实用新型的技术方案如下：
[0005] -种毫米波非标准波导至标准波导转接器，包括非标准波导对插端口、转接过渡 区域以及法兰盘；所述转接过渡区域内设有1/4 A波长阻抗变换器，用于将非标准波导过渡 到标准波导；所述转接过渡区域两侧分别设有非标准波导对插端口和法兰盘，所述非标准 波导对插端口连接非标准波导，所述法兰盘连接标准波导。
[0006] 其进一步的技术方案为：所述转接过渡区域和法兰盘分为上下两部分，所述上下 两部分通过螺钉固定并焊接。
[0007] 以及，其进一步的技术方案为：所述转接过渡区域的上下壁铣成4段阶梯状过度 结构。
[0008] 本实用新型的有益技术效果是：
[0009] 本实用新型转接器在标准波导处使用法兰盘连接，在非标准波导处使用对插直接 相连。过渡部分使用1/4 A波长阻抗变换器，将非标准波导（7. 112mmX1.2mm)过渡到标准 波导（7. 112謹X3. 556mm)，并满足30GHz?40GHz内驻波< 1. 1。该转接器易于加工、安装 方便、低反射系数、低损耗，可用作非标准波导与标准波导的连接测试。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 图1是本实用新型的剖视结构图。
[0011] 图2是转接过渡区域中改变各阻抗阶梯间距补偿边缘电容的示意图。
[0012] 图3是本实用新型上半部分的立体结构图。
[0013] 图4是本实用新型下半部分的立体结构图。
[0014] 图5是非标准波导对插端口与非标准波导的连接示意图。
[0015] 附图序号说明：1、非标准波导对插端口；2、转接过渡区域；3、法兰盘；4、阶梯状铣 槽。
【具体实施方式】
[0016] 下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做进一步说明。
[0017] 如图1所示，本实用新型包括非标准波导对插端口 1、转接过渡区域2以及法兰盘 3三部分。转接过渡区域2用于将非标准波导过渡到标准波导，非标准波导对插端口 1和法 兰盘3分别设在转接过渡区域2的两侧，分别用于连接非标准波导和标准波导。
[0018] 非标准波导对插端口 1与非标准波导的安装方式见图5。图5中左侧为本实用新 型的非标准波导对插端口 1，右侧为非标准波导插入段。两者使用对插直接相连。
[0019] 转接过渡区域2使用1/4A波长阻抗变换器，其上下壁铣成4段阶梯状结构，实际 使用中可以通过改变各阻抗阶梯的间距来补偿边缘电容的影响。如图2所示，第i个阶梯 左侧为低阻抗线，右侧为高阻抗线。这段低阻抗线两边各有一个参考面，这段高阻抗线两边 也各有一个参考面，由于边缘电容的影响，这两对参考面中在靠近第i个阶梯处相邻的参 考面不重合。如果改变各阶梯的间距，使每个阻抗线两边的参考面在相同频率上相距的电 长度为n/2,则此边缘电容的影响就得到了补偿。
[0020] 故阻抗线电长度应为：
[0021]
【权利要求】
1. 一种毫米波非标准波导至标准波导转接器，其特征在于：包括非标准波导对插端口 (1)、转接过渡区域（2)以及法兰盘（3);所述转接过渡区域（2)内设有1/4A波长阻抗变 换器，用于将非标准波导过渡到标准波导；所述转接过渡区域（2)两侧分别设有非标准波 导对插端口（1)和法兰盘（3)，所述非标准波导对插端口（1)连接非标准波导，所述法兰盘 (3)连接标准波导。
2. 根据权利要求1所述毫米波非标准波导至标准波导转接器，其特征在于：所述转接 过渡区域（2)和法兰盘（3)分为上下两部分，所述上下两部分通过螺钉固定并焊接。
3. 根据权利要求1所述毫米波非标准波导至标准波导转接器，其特征在于：所述转接 过渡区域（2)的上下壁上铣成4段阶梯状结构。
【文档编号】H01P5/08GK204144412SQ201420501145
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年9月1日 优先权日:2014年9月1日
【发明者】邓建, 陈玲 申请人:无锡华测电子系统有限公司