一种半导体保护用熔断器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体保护用熔断器，包括右导电触头、熔管、填料、变截面银熔体、铆钉、左导电触头；变截面银熔体设于熔管内中央，熔管内的剩余空间填充满填料，熔管的两侧分别安装左导电触头、右导电触头，左导电触头、右导电触头与熔管内的变截面银熔体通过点焊实现电连接；熔管的侧面设有铆钉孔，通过安装铆钉将左导电触头、右导电触头与熔管固定连接。本实用新型设计了半导体专用保护的变截面全银熔体，将分断能力提高到额定电流为1600A；体积小、温升低，短路保护时，分断能力高、熔断速度快，解决了因外壳易开裂而发生爆炸。
【专利说明】一种半导体保护用熔断器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种熔断器，具体来说涉及一种半导体保护用熔断器。
【背景技术】
[0002]现有市场上提供的熔断器的外壳多用陶瓷封装，刀型触头插入式，熔体与触刀连接后用金属盖板与陶瓷连接。采用上述设计的产品存在以下几方面的缺点:1、在半导体元件或者线路短路时，陶瓷外壳容易开裂，甚至爆炸；2、用金属盖板连接陶瓷和触刀，短路时产生的电弧容易击穿；3、刀型插入式的安装方式接触电阻大，温升高，功耗也大；4、现有产品体积大，额定电流小。
实用新型内容
[0003]发明目的:为了解决现有技术的不足，本实用新型提供一种半导体保护用熔断器，体积小、温升低，短路保护时，分断能力高、熔断速度快，解决了因外壳易开裂而发生爆炸。
[0004]技术方案:为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种半导体保护用熔断器，包括右导电触头、熔管、填料、变截面银熔体、铆钉、左导电触头；变截面银熔体设于熔管内中央，熔管内的剩余空间填充满填料，熔管的两侧分别安装左导电触头、右导电触头，左导电触头、右导电触头与熔管内的变截面银熔体通过点焊实现电连接；熔管的侧面设有铆钉孔，通过安装铆钉将左导电触头、右导电触头与熔管固定连接。
[0005]所述左导电触头的外侧面上设有两个孔，通过封装塞堵住。
[0006]所述变截面银熔体为设有若干个开口的柱体结构。
[0007]所述熔管侧面分别设有4个铆钉孔。
[0008]所述熔管为采用玻璃纤维丝与绝缘树脂合成材料制成的熔管。
[0009]有益效果是:与现有技术相比，本实用新型具有如下优点:
[0010]1.本实用的变截面银体设采用了不规则形状的变截面设计，这种设计比现有的设计的熔体温升小、功耗低、容量更大、分断能力高，现有产品最大额定电流630A，本实用产品最大额定电流为1600A，短路保护时，分断能力高、熔断速度快，解决了因外壳易开裂而发生爆炸，解决了半导体元件一直没有专用的保护熔断器的现状；
[0011]2.本实用的熔断器安装方式为螺栓连接，这种连接方式牢固、安全，连接后接触电阻小，温升低，解决了半导体元件受外界温度影响带来的产品的不稳定因数；
[0012]3.本实用的熔管选择了用玻璃纤维丝与绝缘树脂材料合成的耐高温、阻燃、防爆材料，使用时更加安全可靠；
[0013]4.本实用的半导体元件保护熔断器结构更简单、体积更小、安装更方便，为半导体元件的成套设备节省空间，产品成本更低。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的主视图。
[0015]图2为本实用新型的侧视图。
[0016]图3为本实用新型的俯视图。
【具体实施方式】
[0017]实施例1下面结合附图和实施例，进一步阐述本实用新型。
[0018]如图1至图3所示的半导体保护用熔断器，包括:右导电触头1、熔管2、填料3、变截面银熔体4、铆钉5、左导电触头7、封装塞；熔断器上的左导电触头7和右导电触头I之间与变截面银熔体4点焊后实现可靠的电连接；连接后穿入熔管2中；然后在熔管2上打铆钉孔，左导电触头7和右导电触头I用8只铆钉5牢固的铆接在一起；在熔管2中填满填料3，后用2只封装塞将左导电触头7上的两孔6密封。
[0019]工作过程和原理:
[0020]将熔断器螺栓连接于熔断器底座上，在熔断器的左导电触头7和右导电触头I两端连接被保护对象中的导线，形成保护对象的线路与保护系统的电气连接。
[0021]接通整个系统的电源，同时熔断器开始工作，当工作电流在正常的范围内，熔断器正常工作，并能接受短时的小过电流，熔断器不会熔断；当线路中出现短路电流，并超过熔断器规定的电流范围和规定的时间时，熔断器中变截面银熔体4在电流的作用下开始发热，过载电流没有消除前，变截面银体4的温度逐步升高，变截面银体4中设计的缺口部分在高温的作用下从固态变成液态，同时冶金效应点变截面银熔体2断口处温度进一步升高，从固态变为液体，随之从液态汽化，同时产生电弧。
[0022]由于本实用新型的变截面银熔体4的设计是专为保护半导体元件设计的方案，在产生电弧后能迅速分断故障电流，熔管2和填料3能隔断产生的电弧，并能耐受电弧瞬间产生的高温，起到了快速切断故障电源，消除了故障电流对线路和半导体元件的破坏。
[0023]除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种半导体保护用熔断器，其特征在于:包括右导电触头(I)、熔管(2)、填料(3)、变截面银熔体⑷、铆钉(5)、左导电触头(7);变截面银熔体⑷设于熔管⑵内中央，熔管⑵内的剩余空间填充满填料(3)，熔管(2)的两侧分别安装左导电触头(7)、右导电触头(I)，左导电触头(7)、右导电触头⑴与熔管(2)内的变截面银熔体⑷通过点焊实现电连接；熔管(2)的侧面设有铆钉孔(5)，通过安装铆钉将左导电触头(7)、右导电触头(I)与熔管(2)固定连接。
2.根据权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于:所述左导电触头(7)的外侧面上设有两个孔(6)，通过封装塞堵住。
3.根据权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于:所述变截面银熔体(4)为设有若干个开口的柱体结构。
4.根据权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于:所述熔管(2)侧面分别设有4个铆钉孔(5)。
【文档编号】H01H85/22GK204102839SQ201420537122
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年9月18日 优先权日:2014年9月18日
【发明者】李道远, 吴国兴, 焦许哥, 徐琴 申请人:友容新源电气（昆山）有限公司