本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种t型光刻图形的根部腔壁角度调整方法及t型栅制作方法。
背景技术：
在mmics中的hemt器件，最高工作频率fmax是增益减小到1的频率，其主要由栅极长度、跨导以及管芯寄生参数(如栅电阻rg、电容c)决定。常用ka波段的mmics所需的hemt栅极长度为0.15微米，该长度会导致截面严重缩小，从而导致栅电阻rg快速增大，栅电阻rg的快速增大严重限制了该晶体管的最高工作频率fmax，并且影响了栅极在高输出功率、高漏电流下的可靠性。为确保hemt器件的高工作频率和高可靠性，通常采用栅长短、截面大、电阻低的t型栅，但t型栅下层腔体在热变形步骤会造成腔体壁角度介于60～80度之间，该角度造成寄生电容c增加的幅度大，从而降低了最大工作频率fmax。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种t型光刻图形的根部腔壁角度调整方法，该方法可以将根部腔壁角度增加到85～100度，使应用该方法制作出来的t型栅寄生电容减小，最大工作频率增大。
为达到上述要求，本发明采取的技术方案是：提供一种t型光刻图形的根部腔壁角度调整方法，t型光刻图形包括栅脚光刻图形和栅帽光刻图形，包括以下步骤：利用等离子去胶机轰击栅脚光刻图形和/或栅帽光刻图形的根部腔壁，使根部腔壁角度为85～100度。
优选的，等离子去胶机的压强为1～10torr，功率为50～250w，轰击时间为20～60秒，在腔体内采用氧气及等离子体射频由上而下的方式进行。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
(1)采用等离子去胶机轰击栅脚光刻图形和/或栅帽光刻图形的根部腔壁，去除腔壁的部分光刻胶，使根部腔壁角度增加到85～100度，使应用该方法形成的t型栅具有弧形外形，可以有效减小t型栅的寄生电容，从而增大器件的工作频率；
(2)采用低压真空离子去胶机，相较于一般高压真空(<600mtorr)等离子去胶机，低压真空的平均自由程较小，加大了气体分子间的空间，有利于调整根部墙壁的角度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对
本技术：
的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1(a)为现有t型栅光刻图形的结构图；
图1(b)为本申请调整腔壁角度后t型栅光刻图形的结构图；
图2(a)为利用现有t型栅光刻图形形成的t型栅结构图；
图2(b)为利用调整腔壁角度后的t型栅光刻图形形成的t型栅结构图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
本实施例提供一种t型光刻图形的根部腔壁角度调整方法，在该方法开始之前，先曝光、显影形成t型光刻图形，如图1a所示，t型光刻图形包括栅脚光刻图形和栅帽光刻图形，栅脚光刻图形的根部腔壁角度为a1，在进行热变形步骤后，a1通常为60～80度。本方法利用等离子去胶机轰击栅脚光刻图形和/或栅帽光刻图形的根部腔壁，等离子去胶机的压强为1～10torr，功率为50～250w，轰击时间为20～60秒，并在腔体内采用氧气及等离子体射频由上而下的方式进行。在该步骤中，等离子去胶机去除根部腔壁的部分光刻胶，使栅脚光刻图形和栅帽光刻图形的根部形成朝向光刻胶内部凹陷的弧形结构，如图1b所示，通过控制等离子去胶机的压强、功率及轰击时间，可使根部腔壁的角度为85～100度；
对调整角度后的t型光刻图形蒸发栅金属并剥离形成t型栅，如图2b为本申请形成的t型栅，可见其栅脚和栅帽的根部均具有弧形突出，该弧形突出可以有效减小寄生电容。从工作频率ft＝gm/{rg*(cgs+cgd)*2π}可知，寄生电容cgs减小后，器件的工作频率得到提高。未进行墙壁角度调整形成的t型栅如图2a所示，不具有弧形突出。
以上实施例仅表示本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明保护范围。因此本发明的保护范围应该以权利要求为准。