一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法与流程

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法。

背景技术：

由于厚铝(36k)刻蚀工艺中，刻蚀工艺时间很长，同时光刻胶厚，聚合物源相对多，导致刻蚀完后铝线侧壁聚合物很厚，而且黏附性强，从而导致后续的多次清洗都无法将残留聚合物去除干净，在残留的聚合物中带有cl2分子，而cl2是造成铝腐蚀的主要原因之一，吸附在残留聚合物中的cl2会慢慢挥发出来引起铝腐蚀。

技术实现要素：

本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。

为了达到上述目的，本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：

在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；

将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；

在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；

在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。

进一步的，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0w的射频功率。

进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。

进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。

进一步的，所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。

进一步的，所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450w的射频功率。

进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。

进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。

进一步的，所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。

进一步的，所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。

本发明提出的基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，在去胶腔室中分别通入氧气和水蒸气进行处理，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。

附图说明

图1所示为本发明较佳实施例的防止铝腐蚀的方法流程图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1，图1所示为本发明较佳实施例的防止铝腐蚀的方法流程图。本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：

步骤s100：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；

步骤s200：将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；

步骤s300：在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；

步骤s400：在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。

根据本发明较佳实施例，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0w的射频功率。

所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。

所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。

所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450w的射频功率。

所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。

所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。

所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。

综上所述，本发明提出的基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，在去胶腔室中分别通入氧气和水蒸气进行处理，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

技术特征：

技术总结
本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。

技术研发人员：沈显青;陈敏杰;吴智勇
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.08.08
技术公布日：2019.01.04