本技术：
属于新能源充电技术领域，特别是涉及一种双中柱磁芯。
背景技术：
磁芯是由各种氧化铁混合物组成的烧结磁性金属氧化物，现有技术中，铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。例如，锰锌铁氧体是典型的磁芯体材料，且具有高磁导率和高磁通密度的特点，在低于1mhz的频率时具有较低损耗的特性。磁芯的材料和结构是影响磁芯性能的重要因素。现有技术中，磁芯多设置单个中柱，当需要多组线圈时，需要使用多组磁芯配合，占据空间大。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种双中柱磁芯，以克服现有技术中的不足。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本申请实施例公开了一种双中柱磁芯，包括一体成型的底板、对称设置于所述底板两端的两边柱，两所述边柱内侧分别间隔设置有一中柱，所述底板为矩形结构，两所述边柱长度与所述底板的宽度一致，两所述中柱为圆柱状结构，两所述边柱内侧端面中心分别凹设有弧面凹槽，所述凹槽与对应所述中柱同轴设置，两所述中柱之间的最小距离是所述中柱到对应凹槽最小距离的两倍。
优选的，在上述的双中柱磁芯中，所述凹槽与对应所述边柱内侧端面的连接处圆滑过渡。
优选的，在上述的双中柱磁芯中，所述底板两侧分别凹设有与两所述中柱对应设置的两对v形槽。
优选的，在上述的双中柱磁芯中，所述v形槽开口与所述底板侧面连接处圆滑过渡。
优选的，在上述的双中柱磁芯中，所述v型槽的底角为弧面结构。
与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明所述的用于新能源汽车充电桩的磁芯结构简单，可同时组装两组线圈，减小变压器或充电设备的整体体积，还可以减少磁性材料的使用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1所示为本发明具体实施例中双中柱磁芯的结构示意图。
图2所示为本发明具体实施例中双中柱磁芯的仰视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参图1和图2所示，一种双中柱磁芯，包括一体成型的底板10、对称设置于底板10两端的两边柱20，两边柱20内侧分别间隔设置有一中柱30，底板10为矩形结构，两边柱20长度与底板10的宽度一致，两中柱30为圆柱状结构，两边柱20内侧端面中心分别凹设有弧面凹槽21，凹槽21与对应中柱30同轴设置，两中柱30之间的最小距离是中柱30到对应凹槽21最小距离的两倍。
该技术方案中，本发明所述的用于新能源汽车充电桩的磁芯结构简单，可同时组装两组线圈，减小变压器或充电设备的整体体积，还可以减少磁性材料的使用，两中柱之间的最小距离是中柱到对应凹槽最小距离的两倍，优选地，两中柱之间的最小距离与中柱直径相同，中柱到对应凹槽的最小距离与中柱的半径相同，两中柱可套设或绕射相同的线圈，而且不会发生干涉。
进一步地，凹槽21与对应边柱20内侧端面的连接处圆滑过渡。
该技术方案中，凹槽与对应边柱内侧端面的连接处圆滑过渡，使用时不会对绕线造成损伤。
进一步地，底板10两侧分别凹设有与两中柱30对应设置的两对v形槽11。
该技术方案中，底板两侧分别凹设有与两中柱对应设置的两对v形槽，可以方便磁芯的定位与固定，同时利于磁芯的散热。
进一步地，v形槽11开口与底板10侧面连接处圆滑过渡。
进一步地，v型槽的底角为弧面结构。
上述两技术方案中，便于毛坯的压制成型，可以大大降低磁芯在从模具出来过程中碎裂的情况，提高产品的优良率。
综上所述，本发明所述的用于新能源汽车充电桩的磁芯结构简单，可同时组装两组线圈，减小变压器或充电设备的整体体积，还可以减少磁性材料的使用，两中柱之间的最小距离是中柱到对应凹槽最小距离的两倍，优选地，两中柱之间的最小距离与中柱直径相同，中柱到对应凹槽的最小距离与中柱的半径相同，两中柱可套设或绕射相同的线圈，而且不会发生干涉。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。