本发明涉及芯片划片行业，具体涉及一种硅片晶圆切割后检验工艺。
背景技术：
随着科技发展，电子产业突飞猛进，各种集成、控制电路需求急剧增长，对芯片封装的需求也增长迅猛。
芯片封装是指，将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上，然后利用引线将芯片与框架引脚相连接，最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来，外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封，使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时，不受外界湿度、灰尘的影响，同时提供良好的抗机械振动或冲击保护，提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上，增加了散热面积，提高了芯片的运行可靠性。
硅片在进行划割后需要对硅片晶圆进行相应的检测以确保产品质量符合要求。
现需要一种硅片晶圆切割后检验工艺，以期可以解决上述技术问题。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种硅片晶圆切割后检验工艺，以弥补现有测量过程中的不足。
为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片晶圆切割后检验工艺，步骤如下：
步骤1、正面检测：将已划圆片正面朝上放在高倍显微镜下按照抽样要求找到其中一个检查位置，在这个位置检查10颗芯片的外观质量，一个抽样位置检查完后移至下一个位置，直到所有位置检查结束；
步骤2、反面检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的滤纸，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台xy轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查视野范围内的芯片情况；
步骤3、检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕需要用油性笔点出不良芯片，在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片，并记录在生产表单上。
优选地，所述高倍显微镜的放大倍数≥100x。
优选地，在步骤1和步骤2中所要进行检测的内容是：检查是否有腐蚀、碎角、背崩、污染、擦伤、划偏等。
本发明的一种硅片晶圆切割后检验工艺，检测内容全面，易操作，这样可以严格控制产品质量，提高企业的出厂合格率。
具体实施方式
本发明主要针对芯片封装过程中的装片工序，提供了一种硅片晶圆切割后检验工艺，包括如下步骤：
本发明提供了一种硅片晶圆切割后检验工艺，步骤如下：
步骤1、正面检测：将已划圆片正面朝上放在高倍显微镜下按照抽样要求找到其中一个检查位置，在这个位置检查10颗芯片的外观质量，一个抽样位置检查完后移至下一个位置，直到所有位置检查结束；
步骤2、反面检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的滤纸，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台xy轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查视野范围内的芯片情况；
步骤3、检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕后用油性笔点出不良芯片，在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片，并记录在生产表单上。
其中，所述高倍显微镜的放大倍数≥100x。
其中，在步骤1和步骤2中所要进行检测的内容是：检查是否有腐蚀、碎角、背崩、污染、擦伤、划偏等。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
1.一种硅片晶圆切割后检验工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、正面检测：将已划圆片正面朝上放在高倍显微镜下按照抽样要求找到其中一个检查位置，在这个位置检查10颗芯片的外观质量，一个抽样位置检查完后移至下一个位置，直到所有位置检查结束；
步骤2、反面检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的滤纸，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台xy轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查视野范围内的芯片情况；
步骤3、检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕用油性笔点出不良芯片，在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片，并记录在生产表单上。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆切割后检验工艺，其特征在于，所述高倍显微镜的放大倍数≥100x。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆切割后检验工艺，其特征在于，在步骤1和步骤2中所要进行检测的内容是：检查是否有腐蚀、碎角、背崩、污染、擦伤、划偏等。