一种便于塑封加工的TO-220IR-3L引线框架的制作方法

本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种引线框架，具体涉及一种便于塑封加工的to-220ir-3l引线框架。

背景技术：

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。to-220ir-3l型引线框架是一种常见的引线框架，根据目前的结构设计及加工方式，连接引脚的连接筋较宽，中部连接筋与底部连接筋的宽度一致，一般为14.75mm，常存在内引脚侧面溢胶问题，降低塑封效果，现有的to-220ir-3l在设计中固定点不合理，在塑封过程中不能良好的固定，出现歪头甚至碎片的问题，增大塑封难度，降低塑封效果。现有的to-220ir-3l型引线框架仅能装载单个芯片，局限了其适用范围，无法满足客户的多样化需求，因此需要改进。

技术实现要素：

发明目的：本发明目的在于针对现有技术的不足，提供一种便于塑封加工的to-220ir-3l引线框架。

技术方案：本发明所述的一种便于塑封加工的to-220ir-3l引线框架，包括散热片区、载片区和引脚区，散热片区位于载片区上方，引脚区位于载片区下方，所述引脚区通过连接片与载片区连接在不同平面上，所述引脚区的各引脚通过连接筋连接，分为中部连接筋和底部连接筋，所述中部连接筋与底部连接筋的宽度比例为0.3～0.6:1，所述载片区为双层载片区，由上至下依次为第一载片区和第二载片区；所述第一载片区和第二载片区的一端通过转轴连接；所述散热片区与载片区的连接处设有多级缓冲区。

进一步地，所述引脚区由左至右依次包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第一引脚和第三引脚顶部设有焊接区，第二引脚顶部通过连接片与载片区连接，所述第一引脚和第三引脚顶部的焊接区面积比例为1：1.2～1.5，通过扩大一侧焊接区的面积，实现键合更多的铝线，同时可以避免铝线脱落的问题。

进一步地，为提高塑封效果，避免在塑封过程中出现歪头甚至碎片的问题，所述焊接区与引脚的连接处设有缓冲条槽，所述缓冲条槽中部设有辅助固定孔。

进一步地，为提高缓冲效果，所述多级缓冲区包括一级缓冲条槽和设置于缓冲条槽中部的椭圆形缓冲洞，所述一级缓冲条槽的截面呈上梯形下矩形的组合结构。

进一步地，为提高缓冲效果，所述椭圆形缓冲洞的截面包括前开口段和后开口段，所述前开口段和后开口段通过渐开式喇叭状通道连接。

进一步地，为提高缓冲效果，所述椭圆形缓冲洞的前开口段的宽度大于后开口段的宽度，前开口段尾部具有缓冲收缩口，该缓冲收缩口的宽度小于后开口段的宽度。

进一步地，为提高排水效果，所述载片区的四周具有排水通道，排水通道的末端设有排水口，排水口低于排水通道；所述排水通道的截面呈梯形结构。

进一步地，所述第一载片区设有中心连接部，载片区内围绕所述中心连接部划分为四个梯形载片区，所述的四个梯形载片区通过中心连接部相互连通，实现自有切换。

进一步地，为避免塑封过程中内管脚侧面溢胶的问题，所述中部连接筋的宽度为13.06mm。

有益效果：(1)通过重新设计引线框架中部连接筋的宽度，相应上移中部连接筋，在塑封过程中有效避免塑封时从内管脚侧面溢胶的问题，提高塑封效果；(2)本结构通过将芯片安装区设置为双层结构，大大提高了该产品的芯片容载量，克服了现有的引线框架仅能容载单片的缺陷；(3)通过在载片区设中心连接部，围绕中心连接部划分为四个梯形载片区，四个梯形载片区通过中心连接部相互连通，实现自有切换，提高了引线框架的工作灵活度；(4)通过在载片区的四周设置排水通道，提高了产品的排水性能，提高产品的使用安全性。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为本发明的整体结构侧视图；

图3为本结构中多级缓冲区的结构侧视图；

图4为实施例2中第一载片区的结构示意图；

其中：1、散热片区，11、中心连接部，12、梯形载片区，2、载片区，21、有排水通道，3、引脚区，31、第一引脚，32，第二引脚，33、第三引脚，4、连接片，5、中部连接筋，6、底部连接筋，7、一级缓冲条槽，8、椭圆形缓冲洞，81、前开口段，82、后开口段，83、喇叭状通道，84、缓冲收缩口，9、焊接区，91、缓冲条槽，92、辅助固定孔。

具体实施方式

下面通过附图对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。

实施例1：一种便于塑封加工的to-220ir-3l引线框架，包括散热片区1、载片区2和引脚区3，散热片区1位于载片区2上方，引脚区3位于载片区2下方，所述引脚区3通过连接片4与载片区2连接在不同平面上，所述引脚区的各引脚通过连接筋连接，分为中部连接筋5和底部连接筋6，所述中部连接筋5与底部连接筋6的宽度比例为0.3～0.6:1，中部连接筋5的宽度为13.06mm，所述载片区2为双层载片区，由上至下依次为第一载片区和第二载片区；所述第一载片区和第二载片区的一端通过转轴连接；所述散热片区1与载片区2的连接处设有多级缓冲区。多级缓冲区包括一级缓冲条槽7和设置于缓冲条槽中部的椭圆形缓冲洞8，所述一级缓冲条槽7的截面呈上梯形下矩形的组合结构；椭圆形缓冲洞8的截面包括前开口段81和后开口段82，所述前开口段81和后开口段82通过渐开式喇叭状通道83连接。前开口段81的宽度大于后开口段82的宽度，前开口段尾部具有缓冲收缩口84，该缓冲收缩口84的宽度小于后开口段82的宽度。

载片区2的四周具有排水通道21，排水通道21的末端设有排水口，排水口低于排水通道；所述排水通道21的截面呈梯形结构。

引脚区3由左至右依次包括第一引脚31、第二引脚32和第三引脚33，所述第一引脚31和第三引脚33顶部设有焊接区9，第二引脚32顶部通过连接片4与载片区2连接，所述第一引脚31和第三引脚33顶部的焊接区9面积比例为1：1.5，通过扩大一侧焊接区的面积，实现键合更多的铝线，同时可以避免铝线脱落的问题；焊接区9与引脚的连接处设有缓冲条槽91，所述缓冲条槽91中部设有辅助固定孔92。

该引线框架便于塑封加工，有效避免加工中的溢胶问题，多个载片区的设计，大大提高了芯片载容量，具有较好的市场前景。

实施例2：本实施例中结构与实施例1中基本相同，其不同在于本实施例中第一载片区设有中心连接部11，载片区内围绕所述中心连接部11划分为四个梯形载片区12，所述的四个梯形载片区12通过中心连接部11相互连通，实现自有切换。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。

技术特征：

技术总结
本发明公开一种便于塑封加工的TO‑220IR‑3L引线框架，包括散热片区、载片区和引脚区，引脚区通过连接片与载片区连接在不同平面上，引脚区的各引脚通过连接筋连接，分为中部连接筋和底部连接筋，中部连接筋与底部连接筋的宽度比例为0.3～0.6:1，载片区为双层载片区；散热片区与载片区的连接处设有多级缓冲区。通过重新设计引线框架中部连接筋的宽度，相应上移中部连接筋，在塑封过程中有效避免塑封时从内管脚侧面溢胶的问题，提高塑封效果；本结构通过将芯片安装区设置为双层结构，大大提高了该产品的芯片容载量，克服了现有的引线框架仅能容载单片的缺陷。

技术研发人员：张轩
受保护的技术使用者：泰州友润电子科技股份有限公司
技术研发日：2018.11.06
技术公布日：2019.03.12