水离子发生器的制作方法

文档序号:18410452发布日期:2019-08-13 17:57阅读:3914来源:国知局
水离子发生器的制作方法

本发明涉及一种。



背景技术:

水离子发生器用于产生带电水离子,净化空气,提高空气质量,可应用于空调等电气设备中,以增加功能来提高用户生活质量。

目前的水离子发生器安装在风道内,受风道的影响,产生的带电水离子在风道中消耗了,大大降低了水离子发生器的功能效果,无法满足用户需求。而且,受风道的走向、长度、分布等影响,安装不方便,施工过程复杂。



技术实现要素:

针对上述现有技术的现状,本发明提供了一种水离子发生器,以解决现有技术中存在的上述缺陷。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:

一种水离子发生器,包括水离子发生器本体、进气管、顶部针板、底部针板及出气管,所述进气管设置于所述水离子发生器本体左侧壁上并与其相通,顶部针板设置于水离子发生器本体顶部壁上,底部针板设置于水离子发生器本体底部壁上,出气管设置于水离子发生器本体右侧壁上并与其相通,所述底部针板包括冷凝器、半导体制冷片热端及半导体制冷片冷端、针状电极和对极板,所述冷凝器置于进气管上,所述制冷片安装于水离子发生器本体底部壁上。

在上述的水离子发生器中,底部针板还包括针状电极和对极板,水离子发生器本体底部壁上设置冷凝器,冷凝器上设置半导体制冷片热端,半导体制冷片热端上设置半导体制冷片冷端,半导体制冷片冷端上设置针状电极,针状电极的四周和上方设置对极板。

在上述的水离子发生器中,顶部针板下表面设置有若干个上水离子发生针体。

在上述的水离子发生器中,底部针板上表面设置有若干个下水离子发生针体。

在上述的水离子发生器中,所述上水离子发生针体与所述下水离子发生针体两者的结构相同,设置方向相反。

有益效果:

本发明所述的水离子发生器通过制冷片与冷凝器配合生成水离子,使得空气净化效果好,成本低,噪音小,维护维修方便,适用范围广,使用寿命长,安全可靠。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为本发明的另一视角结构示意图。

图3为本发明图2中a处放大后的结构示意图。

其中,100、水离子发生器本体;300、顶部针板;400、底部针板;410、冷凝器;420、半导体制冷片热端;430、半导体制冷片冷端;440、针状电极;450、对极板。

具体实施方式

为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解和认识,用以较佳的实施例及附图配合详细的说明,说明如下:

如图1至图3所示,一种水离子发生器,包括水离子发生器本体100、进气管、顶部针板300、底部针板400及出气管500,进气管设置于水离子发生器本体100左侧壁上并与其相通,顶部针板300设置于水离子发生器本体100顶部壁上,底部针板400设置于水离子发生器本体100底部壁上,出气管500设置于水离子发生器本体100右侧壁上并与其相通,底部针板400包括冷凝器410、半导体制冷片热端420及半导体制冷片冷端430,冷凝器410置于进气管上,制冷片安装于水离子发生器本体100底部壁上。

具体的,底部针板400还包括针状电极440和对极板450,水离子发生器本体100底部壁上设置冷凝器410,冷凝器410上设置半导体制冷片热端420,半导体制冷片热端420上设置半导体制冷片冷端430,半导体制冷片冷端430上设置针状电极440,针状电极440的四周和上方设置对极板450。

具体的,顶部针板300下表面设置有若干个上水离子发生针体,底部针板400上表面设置有若干个下水离子发生针体。上水离子发生针体与下水离子发生针体两者的结构相同,设置方向相反。

本发明所述的水离子发生器通过制冷片与冷凝器410配合生成水离子,使得空气净化效果好,成本低,噪音小,维护维修方便,适用范围广,使用寿命长,安全可靠。

最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的技术人员应当理解,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行同等替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神与范围。



技术特征:

技术总结
本发明提供了一种水离子发生器,包括水离子发生器本体、进气管、顶部针板、底部针板及出气管,进气管设置于水离子发生器本体左侧壁上并与其相通,顶部针板设置于水离子发生器本体顶部壁上,底部针板设置于水离子发生器本体底部壁上,出气管设置于水离子发生器本体右侧壁上并与其相通,底部针板包括冷凝器、半导体制冷片热端及半导体制冷片冷端,冷凝器置于进气管上,制冷片安装于水离子发生器本体底部壁上。本发明中的水离子发生器的通过制冷片与冷凝器配合生成水离子,使得空气净化效果好,成本低,噪音小,维护维修方便,适用范围广,使用寿命长,安全可靠。

技术研发人员:赵艳
受保护的技术使用者:杭州美时美刻物联网科技有限公司
技术研发日:2019.05.31
技术公布日:2019.08.13
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